1. مزايا وعيوب FETs

الحالية - 1. مزايا وعيوب FETs

السابقة - مجال تأثير مكبرات الترانزستور: مقدمة

NEXT- 2. أشباه الموصلات من أكسيد المعادن FET (MOSFET)

يتم تلخيص مزايا FETs بالنسبة إلى BJTs على النحو التالي:

1. FETs هي أجهزة حساسة للجهد مع مقاومة إدخال عالية (بترتيب 10⁷ إلى 10¹² Ω). نظرًا لأن مقاومة المدخلات أعلى بكثير من BJTs ، يفضل FETs على BJTs لاستخدامها كمرحلة إدخال لمكبر للصوت متعدد المراحل.
2. فئة واحدة من FETs (JFETs) يولد ضوضاء أقل من BJTs.
3. FETs أكثر استقرارا في درجة الحرارة من BJTs.
4. FETs هي عموما أسهل في تصنيع من BJTs. يمكن تصنيع أعداد أكبر من الأجهزة على شريحة واحدة (أي زيادة كثافة التعبئة ممكن).
5. تتفاعل FETs مثل المقاومات المتغيرة التي يتم التحكم فيها بالجهد للحصول على قيم صغيرة من جهد التصريف إلى المصدر.
6. تسمح لهم مقاومة المدخلات العالية لـ FETs بتخزين الشحن لفترة كافية للسماح باستخدامهم كعناصر تخزين.
7. يمكن أن تبدد Power FETs الطاقة العالية ويمكنها تبديل التيارات الكبيرة.
8. FETs ليست حساسة للإشعاع مثل BJTs (اعتبار مهم للتطبيقات الإلكترونية الفضائية).

هناك العديد من العيوب التي تحد من استخدام FETs في بعض التطبيقات. هذه هي:

1. عادة ما تظهر مضخمات FET استجابة ضعيفة للتردد بسبب سعة إدخال عالية.
2. بعض أنواع FETs يحمل خطية ضعيفة.
3. يمكن أن تتضرر FETs في التعامل مع الكهرباء الساكنة.

مضخمات الترانزستور ذات التأثير الميداني السابق: مقدمة

NEXT- 2. أشباه الموصلات من أكسيد المعادن FET (MOSFET)