Electronic Design

Vom Konzept zur Realität

Electronic Design

Vom Konzept zur Realität

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Dieses exzellente Buch bietet Studenten und Praktikern des 21st Jahrhunderts die notwendigen Werkzeuge, um effiziente elektronische Schaltungen und Systeme zu analysieren und zu entwerfen. Es enthält viele Schaltungsbeispiele, die jetzt in TINA per Mausklick aus der elektronischen Ausgabe des von DesignSoft herausgegebenen Buches verfügbar sind.

INHALTSVERZEICHNIS

Kapitel 1: GRUNDKONZEPTE

Kapitel 2: IDEALE BETRIEBSVERSTÄRKER

Kapitel 3: SEMICONDUCTOR DIODE CIRCUIT ANALYSIS

Kapitel 4: BIPOLARE VERZWEIGUNGSTRANSISTORKREISE

Kapitel 5: BIPOLARE VERZWEIGUNGSTRANSISTORVERSTÄRKER

Kapitel 6: FELDEFFEKT-TRANSISTORVERSTÄRKER

Kapitel 7: BIAS-STABILITÄT VON TRANSISTORVERSTÄRKERN

Kapitel 8: STROMVERSTÄRKER UND STROMVERSORGUNGEN

Kapitel 9: PRAKTISCHE BETRIEBSVERSTÄRKER

Kapitel 10: FREQUENZVERHALTEN VON TRANSISTORVERSTÄRKERN

Kapitel 11: FEEDBACK UND STABILITÄT

Kapitel 12: AKTIVE FILTER

Kapitel 13: QUASI-LINEARE SCHALTUNGEN

Kapitel 14: PULSED WAVEFORMS UND TIMING CIRCUITS

Kapitel 15: DIGITALE LOGIKFAMILIEN

Kapitel 16: DIGITAL INTEGRIERTE SCHALTUNGEN

KAPITEL 1 - GRUNDKONZEPTE

1.0 Beidhändige Rückhand: Einleitung
1.1-Historie, 1
1.2-Halbleiterschaltungsmodelle, 3
Lineare und nichtlineare 1.3-Schaltungselemente, 4
1.4 Analog- und Digitalsignale, 6
1.5-abhängige Quellen, 7
1.6-Frequenzeffekte, 8
1.7 Analyse und Design, 10

1.7.1 Vergleich von Design und Analyse, 10
1.7.2 Ursprung der Designanforderungen, 10
1.7.3 Was bedeuten "offen" und "Trade Off"?, 11

1.8-Computersimulationen, 13
1.9-Komponenten des Designprozesses, 14

1.9.1-Prinzipien des Designs, 15
1.9.2 Problemdefinition, 16
1.9.3 Unterteilung des Problems, 17
1.9.4-Dokumentation, 17
1.9.5 Das schematische Diagramm, 18
1.9.6 Die Teileliste 18
1.9.7-Ausführungslisten und andere Dokumentation, 19
1.9.8 Verwenden von Dokumenten, 20
1.9.9 Design-Checkliste, 20
1.9.10 Prototyping der Schaltung, 21

Zusammenfassung, 23

KAPITEL 2 - IDEALE OPERATIONELLE VERSTÄRKER

2.0 Einführung, 24
2.1 Ideale Operationsverstärker, 25

2.1.1-abhängige Quellen, 25
2.1.2-Operationsverstärker-Ersatzschaltung, 27
2.1.3-Analysemethode, 30

2.2 Der invertierende Verstärker 30
2.3 Der nicht invertierende Verstärker 33
2.4-Eingangswiderstand von Operationsverstärkerschaltungen, 41
2.5 kombinierte invertierende und nicht invertierende Eingänge, 44
2.6-Entwurf von Operationsverstärkerschaltungen, 46
2.7 Andere Op-Amp-Anwendungen, 52

2.7.1 Negative Impedance Circuit, 52
2.7.2-Abhängigkeitsstromgenerator, 53
2.7.3-Strom-Spannungs-Wandler, 54
2.7.4-Spannungs-Strom-Wandler, 55
2.7.5-Umkehrverstärker mit Impedanzen, 56
2.7.6 Analoge Computeranwendungen, 57
2.7.7 nicht invertierender Miller Integrator, 59

Zusammenfassung, 60
Probleme, 60

KAPITEL 3 - SEMICONDUCTOR DIODE CIRCUIT ANALYSIS

3.0 Einführung, 70
3.1-Theorie der Halbleiter, 71

3.1.1-Leitung in Materialien, 73
3.1.2-Leitung in Halbleitermaterialien, 75
3.1.3 Kristalline Struktur, 76
3.1.4-Erzeugung und Rekombination von Elektronen und Löchern, 78
3.1.5-dotierte Halbleiter, 79
3.1.6 nHalbleiter, 80
3.1.7 pHalbleiter, 80
3.1.8 Carrier Concentrations, 80
3.1.9-Überschuss-Träger, 82
3.1.10-Rekombination und Erzeugung von überschüssigen Trägern, 82
3.1.11 Transport von elektrischem Strom, 83
3.1.12-Diffusion von Trägern, 83
3.1.13-Drift in einem elektrischen Feld, 84

3.2-Halbleiterdioden, 87

3.2.1-Diodenaufbau, 89
3.2.2-Beziehung zwischen Diodenstrom und Diodenspannung, 90
3.2.3-Diodenbetrieb, 92
3.2.4-Temperatureffekte, 93
3.2.5-Diodenäquivalentschaltungsmodelle, 95
3.2.6-Dioden-Schaltkreisanalyse, 96
Grafische Analyse, 96
Stückweise lineare Approximation, 99
3.2.7 Power Handling Fähigkeit, 103
3.2.8-Diodenkapazität, 104

3.3-Berichtigung, 104

3.3.1-Halbwellengleichrichtung, 105
3.3.2-Vollweggleichrichtung, 106
3.3.3-Filterung, 107
3.3.4-Spannungsverdopplungsschaltung, 110

3.4-Zenerdioden, 112

3.4.1 Zener Regulator, 113
3.4.2 Praktische Zenerdioden und Prozentregelung, 117

3.5 Clippers und Clampers, 119

3.5.1 Clippers, 119
3.5.2-Spannelemente, 124

3.6-Op-Amp-Schaltungen mit Dioden, 127
3.7 Alternative Diodentypen, 129

3.7.1-Schottky-Dioden, 129
3.7.2-Leuchtdioden (LED), 130
3.7.3-Fotodioden, 131

3.8 Herstellerspezifikationen, 132
Zusammenfassung, 133
Probleme, 134

KAPITEL 4 - ZWEIPOLIGE VERZWEIGUNGSSTRANSORKREISE

4.0 Einführung, 149
4.1-Struktur von Bipolartransistoren, 149
4.2-Großsignal-BJT-Modell, 153
4.3 Ableitung von Kleinsignalen ac Modelle, 154
4.4 2-Port-Kleinsignal ac Modelle, 156
4.5-Kennlinien, 158
4.6 Hersteller-Datenblätter für BJTs, 160
4.7 BJT-Modelle für Computersimulationen, 161
4.8-Einstufen-Verstärkerkonfigurationen, 164
4.9-Vorspannung von einstufigen Verstärkern, 166
4.10 Überlegungen zur Stromversorgung, 169

4.10.1 Ableitung von Leistungsgleichungen, 170

4.11-Analyse und Design von Spannungsverstärker-Bias-Schaltungen, 172

4.11.1-Analyseverfahren, 172
4.11.2-Entwurfsverfahren, 177
4.11.3-Verstärkerstromquellen, 183
4.11.4 Auswahl der Komponenten, 184

4.12-Analyse und Design von Stromverstärker-Bias-Schaltungen, 184
4.13-Nichtlinearitäten von Bipolar-Junction-Transistoren188
4.14-Ein-Aus-Eigenschaften von BJT-Schaltungen, 190
4.15-Fertigung für integrierte Schaltungen, 192

4.15.1 Transistor und Dioden, 192
4.15.2 Widerstände, 193
4.15.3-Kondensatoren, 193
4.15.4 seitlicher Transistor, 194

Zusammenfassung, 194
Probleme, 195

KAPITEL 5 - VERSTÄRKER MIT ZWEIPOLIGER VERTEILUNG

5.0 Einführung, 207
5.1 Common-Emitter-Verstärker, 208

5.1.1-Verstärkungsimpedanzformel, 208
5.1.2 Eingangswiderstand, R_in, 209
5.1.3 Current Gain, A_i, 210
5.1.4-Spannungsverstärkung, A_v, 210
5.1.5 Ausgangswiderstand, R_o, 211

5.2. Common-Emitter mit Emitterwiderstand (Emitterwiderstandsverstärker), 213

5.2.1 Eingangswiderstand, R_in, 213
5.2.2 Current Gain, A_i, 215
5.2.3-Spannungsverstärkung, A_v, 215
5.2.4 Ausgangswiderstand, R_o, 215

5.3 Common-Collector (Emitter-Follower) Verstärker, 224

5.3.1 Eingangswiderstand, R_in, 224
5.3.2 Current Gain, A_i, 225
5.3.3-Spannungsverstärkung, A_v, 225
5.3.4 Ausgangswiderstand, R_o, 226

5.4 Common-Base-Verstärker, 230

5.4.1 Eingangswiderstand, R_in, 231
5.4.2 Current Gain, A_i, 231
5.4.3-Spannungsverstärkung, A_v, 232
5.4.4 Ausgangswiderstand, R_o, 232

5.5-Transistorverstärkeranwendungen, 236
5.6-Phasenteiler, 237
5.7-Verstärkerkupplung, 238

Kapazitive Kopplung von 5.7.1, 238
5.7.2-Direktkopplung, 238
5.7.3-Transformatorkupplung, 241
5.7.4-Optokopplung, 243

5.8 Multistage Amplifier Analysis, 245
5.9-Cascode-Konfiguration, 250
5.10-Stromquellen und aktive Lasten, 252

5.10.1 Eine einfache Stromquelle, 252
5.10.2 Widlar Current Source, 253
5.10.3 Wilson Current Source, 256
5.10.4-Mehrfachstromquellen unter Verwendung von Stromspiegeln, 258

Zusammenfassung, 259
Probleme, 262

KAPITEL 6 - FELDEFFEKT-TRANSISTORVERSTÄRKER

6.0 Einführung, 277
6.1 Vorteile und Nachteile von FETs, 278
6.2-Metalloxid-Halbleiter-FET (MOSFET), 279

6.2.1 Enhancement-Mode-MOSFET-Anschlussmerkmale, 281
6.2.2-Depletion-Mode-MOSFET, 284
6.2.3-Großsignal-Ersatzschaltkreis, 287
6.2.4-Kleinsignalmodell von MOSFET, 287

6.3 Junction-Feldeffekttransistor (JFET), 290

6.3.1-JFET-Gate-Source-Spannungsänderung, 293
6.3.2-JFET-Übertragungseigenschaften, 293
6.3.3 JFET Kleinsignal ac Modell, 296

6.4-FET-Verstärkerkonfigurationen und Vorspannung, 299

6.4.1 Discrete-Component-MOSFET-Vorspannung, 299

6.5 MOSFET Integrated Circuits, 302

6.5.1-Vorspannung von integrierten MOSFET-Schaltkreisen, 303
6.5.2-Körpereffekt, 305

6.6 Vergleich von MOSFET zu JFET, 306
6.7-FET-Modelle für Computersimulationen, 308
6.8-FET-Verstärker - Canonical Configurations, 312
6.9 FET Amplifier Analysis, 314

6.9.1 Der CS (und Source Resistor) Verstärker, 314
6.9.2 Der CG-Verstärker 319
6.9.3 Der CD (SF) -Verstärker 323

6.10 FET Amplifier Design, 326

6.10.1 Der CS-Verstärker 326
6.10.2 Der CD-Verstärker 336
6.10.3 Der SF-Bootstrap-Verstärker 340

6.11 Andere Geräte, 343

6.11.1 Metallhalbleiter-Sperrschichttransistor, 343
6.11.2 VMOSFET, 344
6.10.3 Andere MOS-Geräte, 344

Zusammenfassung, 345
Probleme, 346

KAPITEL 7 - BIAS-STABILITÄT VON TRANSISTORVERSTÄRKERN

7.0 Einführung, 358
7.1-Arten der Vorspannung, 358

7.1.1 Current Feedback Biasing, 359
7.1.2 Spannungs- und Stromvorspannung, 360

7.2 Auswirkungen von Parameteränderungen - Vorspannungsstabilität, 362

7.2.1 CE-Konfiguration, 363
7.2.2 EF-Konfiguration, 369

7.3-Diodenkompensation, 372
7.4 Design für BJT Amplifier Bias Stability, 374
7.5-FET-Temperatureffekte, 375
7.6 Reduzieren von Temperaturschwankungen, 377
Zusammenfassung, 379
Probleme, 380

KAPITEL 8 - STROMVERSTÄRKER UND STROMVERSORGUNGEN

8.0 Einführung, 384
8.1-Verstärkerklassen, 384

8.1.1 Class-A Operation, 385
8.1.2 Class-B-Betrieb, 385
8.1.3 Class-AB-Betrieb, 387
8.1.4 Class-C-Betrieb, 388

8.2-Leistungsverstärkerschaltungen - Class-A-Betrieb, 389

Induktiv gekoppelter 8.2.1-Verstärker, 389
8.2.2 Trafo-gekoppelter Leistungsverstärker, 391

8.3-Leistungsverstärkerschaltungen - Class-B-Betrieb, 395

8.3.1-Leistungsverstärker der Klasse B und -AB mit komplementärer Symmetrie, 395
8.3.2 Diode-Compensated Complementary-Symmetry Class-B-Leistungsverstärker (CSDC), 398
8.3.3-Leistungsberechnungen für Push-Pull-Verstärker der Klasse B, 401

8.4 Darlington Circuit, 408
8.5-Stromversorgung mit Leistungstransistoren, 413

8.5.1-Netzteil mit diskreten Komponenten, 413
8.5.2-Netzteil mit IC-Regler (Drei-Klemmen-Regler), 417
8.5.3-Netzteil mit einstellbarem Regler mit drei Anschlüssen, 421
8.5.4-Hochstromregler, 422

8.6-Schaltregler, 423

8.6.1-Effizienz von Schaltreglern, 425

Zusammenfassung, 425
Probleme, 426

KAPITEL 9 - PRAKTISCHE BETRIEBSVERSTÄRKER

9.0 Einführung, 437
9.1 Differenzverstärker, 438

9.1.1 dc Übertragungseigenschaften, 438
9.1.2-Gleichtakt- und Differenzialmodusgewinne, 439
9.1.3 Differenzverstärker mit Konstantstromquelle, 442
9.1.4-Differenzverstärker mit einseitigem Ein- und Ausgang, 445

9.2 Level Shifters, 451
9.3 Der typische Operationsverstärker 454

9.3.1-Verpackung, 455
9.3.2-Strombedarf, 456
9.3.3 Der 741-Operationsverstärker 456
     Vorspannungsschaltungen, 457
     Kurzschlussschutz, 457
     Eingangsstufe, 458
     Zwischenstufe, 458
     Ausgangsstufe, 458

9.4 Herstellerspezifikationen, 459
9.5 Praktische Operationsverstärker, 459

9.5.1 Open-Loop-Spannungsverstärkung (G), 460
9.5.2-modifiziertes Operationsverstärkermodell, 461
9.5.3 - Eingangsoffsetspannung (V_io), 461
9.5.4-Eingangsvorspannungsstrom (Ibias), 463
9.5.5-Gleichtakt-Ablehnung, 467
9.5.6-Netzteil-Ablehnungsrate, 467
9.5.7-Ausgangswiderstand, 468

9.6-Computersimulation von Operationsverstärkerschaltungen, 471
9.7 nicht invertierender Verstärker, 473

9.7.1-Eingangs- und Ausgangswiderstand, 473
9.7.2 Voltage Gain, 475
9.7.3-Verstärker mit mehreren Eingängen, 478

9.8-Umkehrverstärker, 479

9.8.1-Eingangs- und Ausgangswiderstand, 479
9.8.2 Voltage Gain, 480
9.8.3-Verstärker mit mehreren Eingängen, 482

9.9-Differenzsummierung, 485
9.10-Verstärker mit symmetrischen Ein- oder Ausgängen, 489
9.11-Kopplung zwischen mehreren Eingängen, 492
9.12 Power Audio-Operationsverstärker, 493

9.12.1-Brückenleistungs-Operationsverstärker, 494
9.12.2 Intercom, 495

Zusammenfassung, 496
Probleme, 496

KAPITEL 10 - FREQUENZVERHALTEN VON TRANSISTORVERSTÄRKERN

10.0 Einführung, 509
10.1 Niederfrequenzgang von Verstärkern, 513

10.1.1-Niederfrequenzgang eines Emitter-Widerstands-Verstärkers, 513
10.1.2-Design für eine gegebene Frequenzcharakteristik, 518
10.1.3-Niederfrequenzgang eines Common-Emitter-Verstärkers, 522
10.1.4-Niederfrequenzgang des Common-Source-Verstärkers 525
10.1.5-Niederfrequenzgang des Common-Base-Verstärkers 528
10.1.6-Niederfrequenzgang des Emitterfolger-Verstärkers 529
10.1.7-Niederfrequenzgang des Source-Follower-Verstärkers 530

10.2-Hochfrequenztransistormodelle, 532

10.2.1-Miller-Theorem, 533
10.2.2-Hochfrequenz-BJT-Modell, 534
10.2.3-Hochfrequenz-FET-Modell, 537

10.3-Hochfrequenzgang von Verstärkern, 538

10.3.1-Hochfrequenzgang eines Common-Emitter-Verstärkers, 538
10.3.2-Hochfrequenzbereich des Common-Source-Verstärkers 542
10.3.3-Hochfrequenzgang des Common-Base-Verstärkers 544
10.3.4-Hochfrequenzgang eines Emitter-Follower-Verstärkers, 546
10.3.5-Hochfrequenzgang eines Common-Drain-Verstärkers (SF), 548
10.3.6 Cascode Verstärker, 549

10.4 Hochfrequenzverstärker-Design, 550
10.5-Frequenzgang von Operationsverstärkerschaltungen, 550

10.5.1 Open-Loop-Operationsverstärker Response554
10.5.2-Phasenverschiebung, 557
10.5.3-Anstiegsrate, 557
10.5.4 Design von Verstärkern mit mehreren Operationsverstärkern, 560
10.5.5 101-Verstärker, 567

Zusammenfassung, 570
Probleme, 571

KAPITEL 11 - FEEDBACK UND STABILITÄT

11.0 Einführung, 585
Überlegungen zu 11.1-Rückkopplungsverstärkern, 586
11.2 Arten von Feedback, 587
11.3-Rückkopplungsverstärker, 588

11.3.1 Stromrückkopplung - Spannungssubtraktion für diskrete Verstärker, 588
11.3.2 Spannungsrückkopplung - Stromsubtraktion für einen diskreten Verstärker, 592

11.4 Mehrstufige Rückkopplungsverstärker, 594
11.5-Feedback in Operationsverstärkern, 595
11.6-Stabilität von Rückkopplungsverstärkern, 599

11.6.1-Systemstabilität und Frequenzgang, 601
11.6.2-Bode-Plots und Systemstabilität, 605

11.7 Frequenzgang - Rückkopplungsverstärker, 610

11.7.1 Einpoliger Verstärker, 610
11.7.2 Zweipoliger Verstärker, 611

11.8-Design eines dreipoligen Verstärkers mit Blei-Equalizer, 617
11.9-Phasenverzögerungs-Equalizer, 623
11.10-Effekte der kapazitiven Belastung, 624
11.11-Oszillatoren, 625

11.11.1 Die Colpitts- und Hartley-Oszillatoren 625
11.11.2 Der Wien Bridge Oscillator, 626
11.11.3 Der Phasenverschiebungsoszillator 628
11.11.4 Der Kristalloszillator 629
11.11.5-Tongenerator, 631

Zusammenfassung, 631
Probleme, 633

KAPITEL 12 - AKTIVE FILTER

12.0 Einführung, 641
12.1-Integratoren und -Differenzierer, 641
12.2 Active Network Design, 645
12.3-Aktivfilter, 648

12.3.1-Filtereigenschaften und Klassifizierung, 649
Aktive 12.3.2-Filter erster Ordnung, 655

12.4-Einzelverstärker - allgemeiner Typ, 666
12.5 Klassische Analogfilter, 668

12.5.1 Butterworth Filter, 669
12.5.2 Chebyshev Filter, 672

12.6-Transformationen, 674

12.6.1-Tiefpass-zu-Hochpass-Transformation, 674
12.6.2-Tiefpass-zu-Bandpass-Transformation, 675

12.7-Design von Butterworth- und Chebyshev-Filtern, 676

12.7.1-Tiefpassfilterdesign, 677
12.7.2-Filterreihenfolge, 677
12.7.3-Parameterskalierungsfaktor, 680
12.7.4-Hochpassfilter, 688
12.7.5-Bandpass- und Bandsperrfilterdesign, 690

12.8-IC-Filter, 694

12.8.1 Switched-Capacitor-Filter, 695
12.8.2 Butterworth-Tiefpassfilter mit Schaltkondensator sechster Ordnung, 697

12.9 Abschließende Bemerkungen, 699
Zusammenfassung, 699
Probleme, 700

KAPITEL 13 - QUASILINARE SCHALTUNGEN

13.0 Einführung, 706
13.1-Gleichrichter, 706
13.2-Feedback-Limiter, 717
13.3-Komparatoren, 731
13.4-Schmitt-Trigger, 735

13.4.1-Schmitt-Trigger mit Begrenzern, 738
13.4.2-Schmitt-Trigger für integrierte Schaltkreise, 744

13.5-Konvertierung zwischen analog und digital, 746

13.5.1-Digital-Analog-Wandler, 746
13.5.2-Analog-Digital-Wandler, 747

Zusammenfassung, 751
Probleme, 752

KAPITEL 14 - PULSED WAVEFORMS UND TIMING CIRCUITS

14.0 Einführung, 760
14.1-Hochpass RC Netzwerk, 762

14.1.1 Steady-State-Antwort des Hochpassnetzwerks auf den Pulszug, 766

14.2-Steady-State-Response-Tiefpass RC Netzwerk zu Pulse Train, 771
14.3-Dioden, 777

14.3.1 Steady-State-Antwort der Diodenschaltung auf die Impulsfolge, 777

14.4-Triggerschaltungen, 781

14.4.1-Impulsfolge-Antwort, 782

14.5 Der 555-Timer 783

14.5.1 Der Relaxationsoszillator 784
14.5.2 Der 555 als Oszillator, 787
14.5.3 Der 555 als monostabile Schaltung, 794

Zusammenfassung, 796
Probleme, 797

KAPITEL 15 - DIGITALE LOGIKFAMILIEN

15.0 Einführung, 805
15.1-Grundkonzepte von Digital Logic, 805

15.1.1-Zustandsdefinitionen - Positive und negative Logik, 806
15.1.2 Zeitunabhängige oder ungetaktete Logik, 807
15.1.3 Zeitabhängige oder getaktete Logik, 807
Elementare 15.1.4-Logikfunktionen, 807
15.1.5 Boolesche Algebra, 811

15.2 IC Konstruktion und Verpackung, 812
Praktische Überlegungen zu 15.3 in Digital Design, 814
15.4-Digitalschalteigenschaften von BJTs, 817
Bipolare 15.5-Logikfamilien, 818
15.6 Transistor-Transistor-Logik (TTL), 818

15.6.1 Open Collector-Konfigurationen, 820
15.6.2 Active Pull Up, 823
15.6.3 H-TTL- und LP-TTL-Gatter, 828
15.6.4 Schottky TTL Gates, 828
15.6.5 Tri-State Gates, 829
15.6.6-Gerätelisten, 831

15.7 Emitter-Coupled Logic (ECL), 832

15.7.1-Gerätelisten, 834

15.8-Digitalschalteigenschaften von FETs, 835

15.8.1 Die n-Kanalverbesserungs-MOSFET, 835
15.8.2 Die p-Kanalverbesserungs-MOSFET, 835

15.9-FET-Transistorfamilien, 836

15.9.1 n-Kanal MOS, 836
15.9.2 p-Kanal MOS, 836

15.10-Komplementär-MOS (CMOS), 837

15.10.1 CMOS Analogschalter, 841
15.10.2-CMOS-Gerätelisten und Verwendungsregeln, 843

15.11-Vergleich von Logikfamilien, 845
Zusammenfassung, 847
Probleme, 848

KAPITEL 16 - DIGITALE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN

16.0 Einführung, 856
16.1 Decoder und Encoder, 857

16.1.1 Data Selector / Multiplexer, 860
16.1.2 Keyboard Encoder / Decoder, 862
16.1.3-Paritätsgeneratoren / -prüfer, 864

16.2-Treiber und zugehörige Systeme, 864

16.2.1 Die Flüssigkristallanzeige (LCD), 867

16.3 Flip-Flops, Latches und Schieberegister, 868

16.3.1 Flip-Flops, 870
16.3.2 Latches und Memories, 875
16.3.3-Schieberegister, 877

16.4-Zähler, 879

16.4.1-Frequenzmessung, 886

16.5 Uhren, 889

16.5.1 Voltage Controlled Oscillator, 889

16.6 Memories, 892

16.6.1 Serial Memories, 892
16.6.2-Arbeitsspeicher (RAM), 895
16.6.3-ROMs und PROMs, 896
16.6.4-EPROMs, 897

16.7 Komplexere Schaltungen, 899

16.7.1 Arithmetic Logic Unit (ALU), 899
16.7.2-Volladdierer, 900
16.7.3 Look-Ahead Carry Generatoren, 900
16.7.4 Magnitude Comparator, 902

16.8 Programmable Array Logic (PAL), 903
16.9 Einführung in Probleme, 903

16.9.1 Generieren von Zufallszahlen, 904
16.9.2-Messung des mechanischen Geschwindigkeitswinkels, 904
16.9.3 Der Hall-Effekt-Schalter 905
16.9.4 Verwendung von Timing Windows, 906

16.10 Abschließende Bemerkungen, 907
Probleme, 908

ANHÄNGE
A. Micro-Cap und SPICE, 929
B. Standardkomponentenwerte, 944
C. Hersteller-Datenblätter, 946
D. Antwort auf ausgewählte Probleme, 985