1. Vor- und Nachteile von FETs


Die Vorteile von FETs gegenüber BJTs lassen sich wie folgt zusammenfassen:
  1. FETs sind spannungsempfindliche Geräte mit hoher Eingangsimpedanz (in der Größenordnung von 10)7 zu 1012 Ω). Da diese Eingangsimpedanz erheblich höher ist als die von BJTs, werden FETs gegenüber BJTs zur Verwendung als Eingangsstufe für einen mehrstufigen Verstärker bevorzugt.
  2. Eine Klasse von FETs (JFETs) erzeugt ein geringeres Rauschen als BJTs.
  3. FETs sind temperaturstabiler als BJTs.
  4. FETs sind im Allgemeinen einfacher herzustellen als BJTs. Eine größere Anzahl von Bauelementen kann auf einem einzelnen Chip hergestellt werden (dh erhöht werden Packungsdichte ist möglich).
  5. FETs reagieren wie spannungsgesteuerte variable Widerstände auf kleine Werte der Drain-Source-Spannung.
  6. Die hohe Eingangsimpedanz von FETs ermöglicht es ihnen, Ladung lange genug zu speichern, um sie als Speicherelemente zu verwenden.
  7. Leistungs-FETs können hohe Leistung abgeben und große Ströme schalten.
  8. FETs sind nicht so strahlungsempfindlich wie BJTs (ein wichtiger Gesichtspunkt für weltraumelektronische Anwendungen).
Es gibt mehrere Nachteile, die die Verwendung von FETs in einigen Anwendungen einschränken. Diese sind:
  1. FETs-Verstärker zeigen aufgrund ihrer hohen Eingangskapazität normalerweise einen schlechten Frequenzgang.
  2. Einige Arten von FETs weisen eine schlechte Linearität auf.
  3. FETs können bei der Handhabung durch statische Elektrizität beschädigt werden.