Amplificador de transistor de efecto de campo
CURRENT - Amplificadores de transistores de efecto de campo-Introducción
Amplificador de transistor de efecto de campo
En este capítulo, comparamos el enfoque que utilizamos para los transistores BJT, esta vez concentrándonos en el transistor de efecto de campo. Después de estudiar este material, lo harás
- Comprender la diferencia entre FETs y BJTs.
- Aprende las diferencias entre varias formas de FETs.
- Sepa cómo sesgar FETs para operación lineal.
- Comprender los modelos de pequeña señal y cómo usarlos.
- Ser capaz de analizar los circuitos del amplificador FET.
- Ser capaz de diseñar circuitos amplificadores FET para cumplir con las especificaciones.
- Comprender cómo los programas de simulación por ordenador modelan los FET.
- Sepa cómo se fabrican los FET como parte de los circuitos integrados.
INTRODUCCIÓN
La moderna Transistor de efecto de campo (FET) propuesto por W. Shockley en 1952, difiere del del BJT. El FET es un portador mayoritario dispositivo. Su funcionamiento depende del uso de un voltaje aplicado para controlar la mayoría de los portadores (electrones en n-tipo de material y agujeros en p-tipo) en un canal. Esta tensión controla la corriente en el dispositivo mediante un campo eléctrico.
Los transistores de efecto de campo son dispositivos de tres terminales, pero a diferencia del transistor bipolar, es la tensión en dos terminales la que controla la corriente que fluye en el tercer terminal. Los tres terminales en un FET son los drenar, fuente y portón.
Al comparar FETs con BJTs, veremos que la drenar (D) es análogo al colector y al fuente (S) es análogo al emisor. Un tercer contacto, el portón (G), es análogo a la base. La fuente y el drenaje de un FET generalmente pueden intercambiarse sin afectar la operación del transistor.
Discutimos en detalle dos clases de FET, que son la unión FET (JFET) y el FET semiconductor de óxido metálico (MOSFET).
El capítulo comienza con una discusión de las características de los MOSFET y los JFET y una comparación de estas características. Luego examinamos las formas de usar estos dispositivos en circuitos y las técnicas para desviar las distintas configuraciones de amplificadores.
A medida que examinamos las técnicas de análisis en detalle, presentamos modelos de simulación por computadora. A esto le siguen secciones detalladas sobre técnicas de análisis y metodología de diseño.
El capítulo concluye con una breve discusión de otros dispositivos especializados.
Los simuladores de circuitos TINA y TINACloud, que soportan este recurso, incluyen una gran cantidad de sofisticados modelos y circuitos de simulación por computadora MOSFET y JFET que se utilizarán para la simulación de circuitos.