1. Ventajas y desventajas de los FET
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Las ventajas de los FET en relación con los BJT se resumen a continuación:
- Los FET son dispositivos sensibles al voltaje con alta impedancia de entrada (del orden de 10).7 al 1012 Ω). Dado que esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET sobre los BJT para usarlos como etapa de entrada a un amplificador de múltiples etapas.
- Una clase de FET (JFET) genera menos ruido que los BJT.
- Los FET son más estables a la temperatura que los BJT.
- Los FET son generalmente más fáciles de fabricar que los BJT. Se puede fabricar un mayor número de dispositivos en un solo chip (es decir, aumentar densidad de empaquetamiento es posible).
- Los FET reaccionan como resistencias variables controladas por voltaje para valores pequeños de voltaje de drenaje a fuente.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar la carga el tiempo suficiente para permitir que se utilicen como elementos de almacenamiento.
- Los FET de potencia pueden disipar la alta potencia y pueden cambiar corrientes grandes.
- Los FET no son tan sensibles a la radiación como los BJT (una consideración importante para las aplicaciones electrónicas espaciales).
Existen varias desventajas que limitan el uso de FET en algunas aplicaciones. Estos son:
- Los amplificadores FET generalmente exhiben una respuesta de frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
- Algunos tipos de FET exhiben una linealidad pobre.
- Los FET pueden dañarse en el manejo debido a la electricidad estática.