Amplificateur de transistor à effet de champ

CURRENT - Amplificateurs à transistors à effet de champ - Introduction

Amplificateur de transistor à effet de champ

Dans ce chapitre, nous mettons en parallèle l’approche que nous avons utilisée pour les transistors BJT, en nous concentrant cette fois sur le transistor à effet de champ. Après avoir étudié ce matériel, vous allez

  • Comprendre la différence entre les FET et les BJT.
  • Apprenez les différences entre les différentes formes de FET.
  • Savoir comment biaiser les FET pour un fonctionnement linéaire.
  • Comprendre les modèles à petits signaux et comment les utiliser.
  • Être capable d'analyser les circuits amplificateurs FET.
  • Être capable de concevoir des circuits amplificateurs FET conformes aux spécifications.
  • Comprendre comment les programmes de simulation sur ordinateur modélisent les FET.
  • Savoir comment les FET sont fabriqués dans le cadre de circuits intégrés.
INTRODUCTION

le moderne transistor à effet de champ (FET) proposé par W. Shockley en 1952, diffère de celui du BJT. Le FET est un transporteur majoritaire dispositif. Son fonctionnement dépend de l’utilisation d’une tension appliquée pour contrôler la plupart des porteurs (électrons dans ntype de matériau et des trous dans p-type) dans un canal. Cette tension contrôle le courant dans l'appareil au moyen d'un champ électrique.

Les transistors à effet de champ sont des dispositifs à trois bornes, mais contrairement au transistor bipolaire, c'est la tension entre deux bornes qui contrôle le courant circulant dans la troisième borne. Les trois terminaux d’un FET sont les vidanger, la source et la porte.

En comparant les FET aux BJT, nous verrons que le vidanger (D) est analogue au collecteur et au la source (S) est analogue à l'émetteur. Un troisième contact, le la porte (G), est analogue à la base. La source et le drain d'un FET peuvent généralement être interchangés sans affecter le fonctionnement du transistor.

Nous discutons en détail deux classes de FET, à savoir le FET à jonction (JFET) et le FET à semi-conducteur oxyde métallique (MOSFET).

Le chapitre commence par une discussion des caractéristiques des MOSFET et des JFET et par une comparaison de ces caractéristiques. Nous examinons ensuite les manières d’utiliser ces dispositifs dans des circuits et les techniques de polarisation des différentes configurations d’amplificateurs.

Lorsque nous examinons les techniques d’analyse en détail, nous présentons des modèles de simulation sur ordinateur. Viennent ensuite des sections détaillées traitant des techniques d’analyse et de la méthodologie de conception.

Le chapitre se termine par une brève discussion d’autres appareils spécialisés.

Les simulateurs de circuit TINA et TINACloud, qui prennent en charge cette ressource, comprennent un grand nombre de modèles et de circuits de simulation informatique sophistiqués MOSFET et JFET à utiliser pour la simulation de circuit.