1. Avantages et inconvénients des FET
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Les avantages des FET par rapport aux TJB se résument comme suit:
- Les FET sont des dispositifs sensibles à la tension avec une impédance d’entrée élevée (de l’ordre de 10).7 - 1012 Ω). Puisque cette impédance d'entrée est considérablement plus élevée que celle des BJT, les FET sont préférables aux BJT pour une utilisation en tant qu'étage d'entrée pour un amplificateur à plusieurs étages.
- Une classe de FET (JFET) génère moins de bruit que les BJT.
- Les FET sont plus stables en température que les BJT.
- Les FET sont généralement plus faciles à fabriquer que les BJT. Un plus grand nombre de périphériques peuvent être fabriqués sur une seule puce (c.-à-d. Densité d'emballage est possible).
- Les FET réagissent comme des résistances variables contrôlées par la tension pour de petites valeurs de tension drain-source.
- L'impédance d'entrée élevée des FET leur permet de stocker la charge suffisamment longtemps pour pouvoir être utilisée comme éléments de stockage.
- Les FET de puissance peuvent dissiper une puissance élevée et commuter des courants importants.
- Les FET ne sont pas aussi sensibles au rayonnement que les BJT (une considération importante pour les applications électroniques spatiales).
Plusieurs inconvénients limitent l'utilisation des FET dans certaines applications. Ce sont:
- Les amplificateurs à FET présentent généralement une réponse en fréquence médiocre à cause d'une capacité d'entrée élevée.
- Certains types de FET présentent une faible linéarité.
- Les FET peuvent être endommagés lors de la manipulation en raison de l'électricité statique.