6. A MOSFET és a JFET összehasonlítása
JELENLEG - 6. A MOSFET és a JFET összehasonlítása
ELŐZŐ - 5. MOSFET Integrált áramkörök
A MOSFET és a JFET összehasonlítása
Mielőtt látnánk, hogyan használjuk fel a FET-et erősítő konfigurációban, megállunk, hogy megvizsgáljuk a FET két széles osztálya közötti lényeges hasonlóságot. Az 2 szekcióban a MOSFET-et és a 4 szekcióban a JFET-et vettük figyelembe. Az egyes osztályokon belül az n-csatornás és a p-csatornás eszközök. A MOSFET-besorolás tovább bővíthető javító- és kimerülési tranzisztorokra.
Ezek a kombinációk hat lehetséges eszköztípushoz vezetnek:
● Az N-csatorna továbbfejlesztése MOSFET (NMOS-bővítmény)
● Az n-csatornás kimerülés MOSFET (kimerülés NMOS)
● Az n-csatornás JFET
● A P-csatorna továbbfejlesztése MOSFET (javítás PMOS)
● A p-csatorna kimerülés MOSFET (kimerülés PMOS)
● A p-csatorna JFET
Az 28 ábra összefoglalja a hat típusú eszköz áramköri szimbólumát. A JFET szimbólumban lévő nyilak néha a Forrás terminálra kerülnek.
28. ábra - Áramkör szimbólumok a FET-ekhez
Egy csatorna jön létre, és a tranzisztor be van kapcsolva, amikor a kapu-forrás feszültség megszakítja a küszöbfeszültséget (VT MOSFET-ek és Vp a JFET-ek számára). A három n-csatornás eszközök, a csatorna akkor jön létre, amikor
(33)
Alternatív megoldásként a p-csatornás eszközök, a csatorna akkor jön létre, amikor
(34)
A küszöb pozitív az NMOS, a kimerülés PMOS és a p-csatorna JFET. Ez negatív az NMOS kimerülésére, a PMOS javítására és a n-csatornás JFET.
Annak érdekében, hogy a tranzisztor működjön a triode régió, a lefolyó-forrás feszültségnek meg kell felelnie a következő egyenlőtlenségeknek:
A n-csatornás MOSFET-ek vagy JFET-ek,
(35)
A p-csatornás MOSFET-ek vagy JFET-ek, az ellenkezője igaz. Azaz, hogy működjenek a triode régióban,
(36)
Mindkét esetben, ha az egyenlőtlenség nem engedelmeskedik, a tranzisztor a telítettségi régióban működik, amikor be van kapcsolva.
Ezeket a kapcsolatokat a 1 táblázat foglalja össze.
1. táblázat - FET kapcsolatok
Most megmutatjuk a MOSFET és a JFET lefolyási áram egyenleteinek hasonlóságát. A telítési tartományban a MOSFET lefolyó áramának értéke [8. egyenlet (fejezet: „2. Fém-oxid félvezető FET (MOSFET)”)],
(37)
ahol K által adva,
A JFET esetében az egyenérték [20. egyenlet (fejezet: „3. Junction field-effect tranzisztor (JFET)”)].
(38)
Ez megegyezik a MOSFET egyenletével, ha beállítjuk VT egyenlő Vp, és egyenlő az állandókkal,
(39)
Ugyanez az egyenértékűség érvényes a triódarégióra is. Bemutattuk a MOSFET lefolyási áramegyenletét [lásd a 4. egyenletet (2. fejezet: Fém-oxid félvezető FET (MOSFET)]]
(40)
Ez az azonos egyenlet a JFET-re vonatkozik a helyettesítéssel Vp mert VT, és az értéke K (39) egyenletben.
Összefoglalva, az egyetlen különbség a MOSFET és a JFET egyenletekben az állandó értékei K, és az a tény, hogy a MOSFET-ben a küszöbfeszültség egyenértékű a JFET-ben lévõ feszültséggel.