1. Keuntungan dan kerugian FET

CURRENT - 1. Keuntungan dan kerugian FET
Sebelumnya - Amplifier Transistor efek medan: Pendahuluan
NEXT- 2. FET semikonduktor logam-oksida (MOSFET)

Keuntungan FET relatif terhadap BJT dirangkum sebagai berikut:
  1. FET adalah perangkat yang peka terhadap tegangan dengan impedansi input tinggi (sesuai urutan 107 untuk 1012 Ω). Karena impedansi input ini jauh lebih tinggi daripada BJT, FET lebih disukai daripada BJT untuk digunakan sebagai tahap input ke amplifier bertingkat.
  2. Satu kelas FET (JFET) menghasilkan kebisingan yang lebih rendah daripada BJT.
  3. FET lebih stabil suhu daripada BJT.
  4. FET umumnya lebih mudah dibuat daripada BJT. Sejumlah besar perangkat dapat dibuat dalam satu chip (yaitu, meningkat kepadatan pengepakan adalah mungkin).
  5. FET bereaksi seperti resistor variabel yang dikontrol tegangan untuk nilai kecil dari tegangan drain-to-source.
  6. Impedansi input FET yang tinggi memungkinkan mereka untuk menyimpan daya cukup lama sehingga memungkinkannya untuk digunakan sebagai elemen penyimpanan.
  7. Daya FET dapat menghilangkan daya tinggi dan dapat mengganti arus besar.
  8. FET tidak sensitif terhadap radiasi seperti BJT (pertimbangan penting untuk aplikasi ruang elektronik).
Ada beberapa kelemahan yang membatasi penggunaan FET di beberapa aplikasi. Ini adalah:
  1. Amplifier FET biasanya menunjukkan respons frekuensi yang buruk karena kapasitansi input yang tinggi.
  2. Beberapa jenis FET menunjukkan linearitas yang buruk.
  3. FET dapat rusak dalam penanganan karena listrik statis.
PREVIOUS- Amplifier transistor efek medan: Pendahuluan
NEXT- 2. FET semikonduktor logam-oksida (MOSFET)