1. Vantaggi e svantaggi dei FET
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I vantaggi dei FET relativi ai BJT sono riassunti come segue:
- I FET sono dispositivi sensibili alla tensione con un'impedenza di ingresso elevata (dell'ordine di 107 a 1012 Ω). Poiché questa impedenza di ingresso è considerevolmente più alta di quella dei BJT, i FET sono preferiti rispetto ai BJT per essere utilizzati come stadio di ingresso per un amplificatore multistadio.
- Una classe di FET (JFET) genera meno rumore dei BJT.
- I FET sono più stabili di temperatura rispetto ai BJT.
- I FET sono generalmente più facili da fabbricare rispetto ai BJT. Un numero maggiore di dispositivi può essere fabbricato su un singolo chip (cioè, aumentato densità dell'imballaggio è possibile).
- I FET reagiscono come resistori variabili controllati in tensione per piccoli valori di tensione drain-to-source.
- L'elevata impedenza di ingresso dei FET consente loro di immagazzinare una carica sufficientemente lunga da consentirne l'utilizzo come elementi di archiviazione.
- I FET di potenza possono dissipare potenza elevata e passare a correnti elevate.
- I FET non sono così sensibili alle radiazioni come i BJT (una considerazione importante per le applicazioni elettroniche spaziali).
Esistono diversi svantaggi che limitano l'utilizzo dei FET in alcune applicazioni. Questi sono:
- Gli amplificatori FET di solito mostrano una scarsa risposta in frequenza a causa dell'elevata capacità di ingresso.
- Alcuni tipi di FET mostrano scarsa linearità.
- I FET possono essere danneggiati durante la manipolazione a causa dell'elettricità statica.