6. MOSFET salīdzinājums ar JFET
PAŠREIZĒJĀ - 6. MOSFET salīdzinājums ar JFET
PREVIOUS- 5. MOSFET Integrētās shēmas
MOSFET salīdzinājums ar JFET
Pirms mēs redzam, kā izmantot FET pastiprinātāja konfigurācijā, mēs pārtraucam pārbaudīt būtisko līdzību starp divām plašajām FET klasēm. Mēs esam uzskatījuši MOSFET sadaļu 2 un JFET sadaļā 4. Katrā klasē ir n-kanāla un p-kanāla ierīces. MOSFET klasifikācija ir sīkāk sadalīta uzlabošanas un izsīkuma tranzistoru.
Šīs kombinācijas noved pie sešiem iespējamiem ierīču veidiem:
● N-kanāla uzlabojums MOSFET (uzlabojums NMOS)
● N-kanāla izsmelšana MOSFET (noārdīšanās NMOS)
● N-kanāla JFET
● P-kanāla uzlabojums MOSFET (uzlabojums PMOS)
● P-kanāla izsmelšana MOSFET (iztukšošanas PMOS)
● P-kanāla JFET
Attēls 28 apkopo šo sešu ierīču veidu ķēdes simbolus. JFET simbola bultiņas dažreiz tiek pārvietotas uz avota termināli.
28. attēls - ķēdes simboli FET
Tiek izveidots kanāls, un tranzistors ir ieslēgts, kad spriegums no vārsta līdz avotam pārtrauc sliekšņa spriegumu (VT MOSFETs un Vp JFETs). Trīs n-kanālu ierīces, kanāls tiek izveidots, kad
(33)
Alternatīvi, p-kanālu ierīces, kanāls tiek izveidots, kad
(34)
Slieksnis ir pozitīvs attiecībā uz NMOS uzlabošanu, PMOS izsīkumu un p-kanāls JFET. Tas ir negatīvs NMOS, uzlabojuma PMOS un n-kanālu JFET.
Lai tranzistors darbotos triode reģions, spriegumam no izplūdes līdz avotam ir jāatbilst šādām nevienlīdzībām:
Par n-kanālu MOSFET vai JFET,
(35)
Par p-kanālu MOSFET vai JFETs, pretējais ir taisnība. Tas ir, darboties triodes reģionā,
(36)
Jebkurā gadījumā, ja nevienlīdzība netiek ievērota, tranzistors darbojas piesātinājuma reģionā, kad tas ir ieslēgts.
Šīs attiecības ir apkopotas 1 tabulā.
1. tabula - FET attiecības
Tagad mēs parādām MOSFET un JFET iztukšošanas strāvas vienādojumu līdzību. Piesātinājuma apgabalā MOSFET iztukšošanas strāva ir [8. vienādojums (nodaļa: “2. Metāla oksīda pusvadītāju FET (MOSFET)”)],
(37)
kur K ir
JFET gadījumā ekvivalents ir [20. vienādojums (nodaļa: “3. Savienojuma lauka efekta tranzistors (JFET)”)].
(38)
Tas ir identisks MOSFET vienādojumam, ja mēs uzstādām VT vienāds ar Vp, un pielīdziniet konstantes,
(39)
Tāda pati līdzvērtība attiecas arī uz triodes reģionu. Mēs parādījām MOSFET notekas strāvas vienādojumu [skat. 4. vienādojumu (nodaļa: “2. Metāla oksīda pusvadītāju FET (MOSFET)”]
(40)
Šis identiskais vienādojums attiecas uz JFET, aizstājot ar Vp forums VT, un K izteikts vienādojumā (39).
Kopumā, vienīgā MOSFET un JFET vienādojumu atšķirība ir konstantes vērtības Kun fakts, ka MOSFET sliekšņa spriegums ir līdzvērtīgs saspiešanas spriegumam JFET.