Penguat Transistor kesan medan
SEMASA - Penguat Transistor kesan medan-Pengenalan
Penguat Transistor kesan medan
Dalam bab ini, kita selari pendekatan yang kita gunakan untuk transistor BJT, kali ini menumpukan pada transistor kesan medan. Selepas mengkaji bahan ini, anda akan
- Memahami perbezaan antara FET dan BJT.
- Ketahui perbezaan antara pelbagai bentuk FET.
- Ketahui cara untuk mengatasi FET untuk operasi linear.
- Memahami model isyarat kecil dan cara menggunakannya.
- Mampu menganalisis litar penguat FET.
- Boleh merancang litar penguat FET untuk memenuhi spesifikasi.
- Fahami bagaimana model simulasi komputer FET model.
- Tahu bagaimana FETs dibuat sebagai sebahagian daripada litar bersepadu.
PENGENALAN
Yang moden transistor kesan medan (FET) dicadangkan oleh W. Shockley pada tahun 1952, berbeza dengan BJT. FET adalah pembawa majoriti peranti. Operasinya bergantung kepada penggunaan voltan yang digunakan untuk mengawal pembawa majoriti (elektron masuk) n- Jenis bahan dan lubang dalam p-tipe) dalam saluran. Voltan ini mengawal arus dalam peranti dengan menggunakan medan elektrik.
Transistor kesan lapangan adalah peranti tiga terminal, tetapi berbeza dengan transistor bipolar, ia adalah voltan merentasi dua terminal yang mengawal arus mengalir di terminal ketiga. Tiga terminal dalam FET ialah longkang, sumber and get.
Dalam membandingkan FET dengan BJT, kita akan melihat bahawa longkang (D) adalah sama dengan pengumpul dan sumber (S) adalah sama dengan pemancar. Satu kenalan ketiga, yang get (G), adalah serupa dengan pangkalan. Sumber dan longkang FET biasanya boleh ditukar tanpa menjejaskan operasi transistor.
Kami membincangkan dua kelas FET secara terperinci, ini adalah persimpangan FET (JFET) dan FET semikonduktor logam-oksida (MOSFET).
Bab ini bermula dengan perbincangan mengenai ciri-ciri MOSFET dan JFET dan perbandingan ciri-ciri ini. Kami kemudian memeriksa cara-cara menggunakan peranti ini dalam litar, dan teknik-teknik untuk membezakan pelbagai konfigurasi penguat.
Seperti yang kita periksa teknik analisa dengan terperinci, kami mempersembahkan model simulasi komputer. Ini diikuti oleh bahagian terperinci yang berkaitan dengan teknik analisis dan dengan kaedah reka bentuk.
Bab ini disimpulkan dengan perbincangan ringkas tentang peranti khusus lain.
Simulator litar TINA dan TINACloud, yang menyokong sumber ini, termasuk banyak model MOSFET dan model simulasi komputer JFET yang canggih untuk digunakan untuk simulasi litar.