6. Perbandingan MOSFET kepada JFET
SEMASA - 6. Perbandingan MOSFET dengan JFET
PREVIOUS- 5. Litar bersepadu MOSFET
Perbandingan MOSFET kepada JFET
Sebelum kita melihat bagaimana menggunakan FET dalam konfigurasi penguat, kita berhenti untuk memeriksa persamaan penting antara dua kelas FET yang luas. Kami telah mempertimbangkan MOSFET di Bahagian 2 dan JFET di Bahagian 4. Dalam setiap kelas adalah peranti n-channel dan p-channel. Klasifikasi MOSFET selanjutnya dibahagikan kepada transistors peningkatan dan pengurangan.
Gabungan ini membawa kepada enam jenis peranti yang mungkin:
● MOSFET tambahan n-saluran (peningkatan NMOS)
● MOSFET kekurangan n-saluran (kekurangan NMOS)
● JFET saluran-n
● MOSFET tambahan p-saluran (peningkatan PMOS)
● MOSFET kekurangan p-channel (PMOS kekurangan)
● JFET p-channel
Rajah 28 meringkaskan simbol litar untuk enam jenis peranti ini. Anak panah dalam simbol JFET terkadang dipindahkan ke terminal Sumber.
Rajah 28 - Simbol litar untuk FET
Saluran dicipta dan transistor adalah ON apabila tegangan gate-to-source memecahkan voltan ambang (VT untuk MOSFET dan Vp untuk JFETs). Untuk ketiga-tiga nPeranti saluran, saluran dicipta apabila
(33)
Sebagai alternatif, untuk pPeranti saluran, saluran dicipta apabila
(34)
Ambang adalah positif untuk penambahan NMOS, PMOS penipisan, dan p-saluran JFET. Ia adalah negatif untuk kekurangan NMOS, peningkatan PMOS, dan n- JFET saluran.
Agar transistor dapat beroperasi di rantau triode, tegasan saliran ke sumber harus mematuhi ketidaksamaan berikut:
Untuk n- MOSFET saluran atau JFET,
(35)
Untuk p- MOSFET saluran atau JFET, sebaliknya adalah benar. Iaitu, untuk beroperasi di rantau triode,
(36)
Dalam kedua-dua kes, jika ketidaksamaan tidak dipatuhi, transistor beroperasi di kawasan tepu apabila ia berada.
Hubungan ini diringkaskan dalam Jadual 1.
Jadual 1 - Hubungan FET
Kami sekarang menunjukkan kesamaan dalam persamaan untuk arus pengaliran untuk MOSFET dan JFET. Di rantau tepu, arus pengaliran untuk MOSFET adalah [Persamaan 8 (Bab: “2. Logam-oksida semikonduktor FET (MOSFET)”)],
(37)
di mana K diberikan oleh,
Dalam kes JFET, yang setara adalah [Persamaan 20 (Bab: “3. Transistor kesan medan persimpangan (JFET)”)].
(38)
Ini adalah sama dengan persamaan untuk MOSFET jika kita menetapkan VT sama dengan Vp, dan menyamakan pemalar,
(39)
Kesamaan yang sama berlaku untuk wilayah triode. Kami membentangkan persamaan arus pembuangan untuk MOSFET [lihat Persamaan 4 (Bab: “2. Semikonduktor logam-oksida FET (MOSFET)”]
(40)
Persamaan yang serupa berlaku untuk JFET dengan penggantian Vp Untuk VT, dan nilai K diberikan dalam Persamaan (39).
Ringkasnya, satu-satunya perbezaan dalam persamaan untuk MOSFET dan JFET adalah nilai-nilai pemalar K, dan hakikat bahawa voltan ambang dalam MOSFET adalah sama dengan voltan pinch-off dalam JFET.