Amplificador de transistor de efeito de campo
CURRENT - Amplificadores de transistor de efeito de campo - Introdução
Amplificador de transistor de efeito de campo
Neste capítulo, fazemos um paralelo com a abordagem que usamos para os transistores BJT, desta vez concentrando-nos no transistor de efeito de campo. Depois de estudar este material, você
- Entenda a diferença entre FETs e BJTs.
- Aprenda as diferenças entre várias formas de FETs.
- Saiba como polarizar FETs para operação linear.
- Entenda os modelos de sinal fraco e como usá-los.
- Ser capaz de analisar circuitos amplificadores FET.
- Ser capaz de projetar circuitos amplificadores FET para atender às especificações.
- Entenda como os programas de simulação de computador modelam os FETs.
- Saiba como os FETs são fabricados como parte de circuitos integrados.
INTRODUÇÃO
O moderno Transistor de efeito de campo (FET) proposto por W. Shockley em 1952, difere daquele do BJT. O FET é um transportadora majoritária dispositivo. Sua operação depende do uso de uma tensão aplicada para controlar os portadores majoritários (elétrons em ntipo de material e furos em ptipo) em um canal. Esta tensão controla a corrente no dispositivo por meio de um campo elétrico.
Os transistores de efeito de campo são dispositivos de três terminais, mas, em contraste com o transistor bipolar, é a tensão nos dois terminais que controla a corrente que flui no terceiro terminal. Os três terminais em um FET são os drenar, fonte e portão.
Ao comparar FETs a BJTs, veremos que o drenar (D) é análogo ao coletor e ao fonte (S) é análogo ao emissor. Um terceiro contato, o portão (G), é análogo à base. A fonte e o dreno de um FET geralmente podem ser trocados sem afetar a operação do transistor.
Discutimos duas classes de FET em detalhes, sendo estas a junção FET (JFET) e o semicondutor de óxido de metal FET (MOSFET).
O capítulo começa com uma discussão sobre as características dos MOSFETs e JFETs e uma comparação dessas características. Em seguida, examinamos as formas de usar esses dispositivos em circuitos e as técnicas para influenciar as várias configurações do amplificador.
Ao examinarmos as técnicas de análise em detalhes, apresentamos modelos de simulação computacional. Isto é seguido por seções detalhadas que lidam com técnicas de análise e com metodologia de design.
O capítulo termina com uma breve discussão sobre outros dispositivos especializados.
Os simuladores de circuitos TINA e TINACloud, que suportam este recurso, incluem vários sofisticados modelos e circuitos de simulação de computador MOSFET e JFET para serem usados na simulação de circuitos.