6. Comparação de MOSFET para JFET
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Comparação de MOSFET para JFET
Antes de vermos como usar o FET em uma configuração de amplificador, fazemos uma pausa para examinar a similaridade essencial entre as duas classes amplas de FET. Nós consideramos o MOSFET na Seção 2 e o JFET na Seção 4. Dentro de cada classe estão os dispositivos n-channel e p-channel. A classificação MOSFET é subdividida em transistores de aumento e de depleção.
Essas combinações levam a seis tipos possíveis de dispositivos:
● O MOSFET de aprimoramento de canal n (aprimoramento NMOS)
● O MOSFET de depleção de canal n (depleção NMOS)
● O canal JFET n
● O MOSFET de aprimoramento de canal p (aprimoramento PMOS)
● O MOSFET de depleção do canal p (PMOS de depleção)
● O canal JFET
A figura 28 resume os símbolos do circuito para esses seis tipos de dispositivos. As setas no símbolo JFET às vezes são movidas para o terminal Source.
Figura 28 - Símbolos de circuito para FETs
Um canal é criado e o transistor está ligado quando a tensão da porta à fonte quebra a tensão limite (VT para MOSFETs e Vp para JFETs). Para os três n-canais, o canal é criado quando
(33)
Alternativamente, para o p-canais, o canal é criado quando
(34)
O limiar é positivo para o aumento de NMOS, o PMOS de esgotamento eo p-canal JFET. É negativo para o esgotamento NMOS, o aprimoramento PMOS, eo n-canal JFET.
Para que o transistor opere no região tríodo, a tensão dreno-fonte deve obedecer às seguintes desigualdades:
Escolha nMOSFETs ou JFETs de canal
(35)
Escolha pMOSFETs-channel ou JFETs, o oposto é verdadeiro. Ou seja, para operar na região tríodo,
(36)
Em ambos os casos, se a desigualdade não for obedecida, o transistor opera na região de saturação quando está ligado.
Essas relações são resumidas na Tabela 1.
Tabela 1 - Relações FET
Agora mostramos a similaridade nas equações para corrente de dreno para o MOSFET e JFET. Na região de saturação, a corrente de drenagem para o MOSFET é [Equação 8 (Capítulo: "2. FET semicondutor de óxido metálico (MOSFET)")],
(37)
onde K É dado por,
No caso do JFET, o equivalente é [Equação 20 (Capítulo: “3. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)”)].
(38)
Isso é idêntico à equação do MOSFET se definirmos VT igual a Vpe igualar as constantes
(39)
A mesma equivalência é verdadeira para a região do triodo. Apresentamos a equação da corrente de drenagem para o MOSFET [ver Equação 4 (Capítulo: “2. FET de semicondutor de óxido de metal (MOSFET)”]
(40)
Esta equação idêntica vale para o JFET com a substituição de Vp para VTe o valor de K dado na equação (39).
Em resumo, a única diferença nas equações para o MOSFET e JFET são os valores da constante Ke o fato de que a tensão limite no MOSFET é equivalente à tensão de pinçamento no JFET.