1. Avantajele și dezavantajele FET-urilor
Avantajele FET față de BJT sunt rezumate după cum urmează:
- FET-urile sunt dispozitive sensibile la tensiune cu impedanță de intrare ridicată (la ordinea 107 la 1012 Ω). Deoarece această impedanță de intrare este considerabil mai mare decât cea a BJT-urilor, FET-urile sunt preferate față de BJT-uri pentru a fi utilizate ca etapă de intrare pentru un amplificator cu mai multe etape.
- O clasă de FET-uri (JFET) generează zgomot mai mic decât BJT-urile.
- FET-urile sunt mai stabile la temperaturi decât BJT-urile.
- FET sunt în general mai ușor de fabricat decât BJT. Un număr mai mare de dispozitive pot fi fabricate pe un singur cip (adică crescut densitatea ambalajului este posibil).
- FET reacționează ca rezistențe variabile controlate de tensiune pentru valori mici ale tensiunii la sursă.
- Impedanța de intrare ridicată a FET le permite să stocheze încărcarea suficient de mult pentru a le permite să fie utilizate ca elemente de stocare.
- FET-urile de putere pot disipa puterea mare și pot comuta curenți mari.
- FET nu sunt la fel de sensibile la radiații ca BJT-urile (un aspect important pentru aplicațiile electronice spațiale).
Există câteva dezavantaje care limitează utilizarea FET-urilor în unele aplicații. Acestea sunt:
- Amplificatoarele FET au de obicei un răspuns redus datorită capacității mari de intrare.
- Unele tipuri de FET-uri prezintă o liniaritate scăzută.
- FET-urile pot fi deteriorate în timpul manipulării datorită electricității statice.