1. Преимущества и недостатки полевых транзисторов.
Преимущества полевых транзисторов по сравнению с BJT сводятся к следующему:
- Полевые транзисторы представляют собой чувствительные к напряжению устройства с высоким входным сопротивлением (порядка 107 в 1012 Ω). Поскольку этот входной импеданс значительно выше, чем у BJT, полевые транзисторы предпочтительнее BJT для использования в качестве входного каскада многоступенчатого усилителя.
- Один класс полевых транзисторов (JFET) генерирует меньший шум, чем BJT.
- Полевые транзисторы более стабильны по температуре, чем BJT.
- Полевые транзисторы, как правило, легче изготовить, чем BJT. На одном кристалле может быть изготовлено большее количество устройств (т.е. плотность упаковки возможно).
- Полевые транзисторы реагируют как переменные резисторы, управляемые напряжением, на малые значения напряжения сток-исток.
- Высокий входной импеданс полевых транзисторов позволяет им хранить заряд достаточно долго, чтобы их можно было использовать в качестве элементов хранения.
- Мощные полевые транзисторы могут рассеивать большую мощность и могут переключать большие токи.
- Полевые транзисторы не так чувствительны к излучению, как BJT (важный фактор для применения в космической электронике).
Есть несколько недостатков, которые ограничивают использование полевых транзисторов в некоторых приложениях. К ним относятся:
- Усилители полевых транзисторов обычно имеют плохую частотную характеристику из-за высокой входной емкости.
- Некоторые типы полевых транзисторов демонстрируют плохую линейность.
- Полевые транзисторы могут быть повреждены при работе из-за статического электричества.