Alan etkili Transistör Yükselteç
AKIM - Alan Etkili Transistör Yükselteçleri-Giriş
Alan etkili Transistör Yükselteç
Bu bölümde BJT transistörlerinde kullandığımız yaklaşıma paralel, bu kez alan etkili transistöre yoğunlaştık. Bu materyali inceledikten sonra
- FET'ler ve BJT'ler arasındaki farkı anlayın.
- Çeşitli FET formları arasındaki farkları öğrenin.
- Lineer işlem için FET'lerin nasıl önyargılı olduğunu bilin.
- Küçük sinyal modellerini ve nasıl kullanılacağını anlayın.
- FET yükselteç devrelerini analiz edebilme.
- Spesifikasyonları karşılayacak FET amplifikatör devreleri tasarlayabilir.
- Bilgisayar simülasyon programlarının FET'leri nasıl modellediğini anlayın.
- FET'lerin entegre devrelerin bir parçası olarak nasıl üretildiğini bilin.
TANITIM
Modern alan etkisi transistörü (FET) W. Shockley tarafından 1952'de önerilen, BJT'ninkinden farklıdır. FET bir çoğunluk taşıyıcısı cihaz. İşlemi, çoğu taşıyıcıyı kontrol etmek için uygulanan bir voltajın kullanılmasına bağlıdır (elektronlar ntipi malzeme ve delikler p-tip) bir kanalda. Bu voltaj, cihazdaki akımı bir elektrik alanı vasıtasıyla kontrol eder.
Alan etkili transistörler, üç terminalli cihazlardır ancak bipolar transistörün aksine, üçüncü terminalde akan akımı kontrol eden iki terminal arasındaki voltajdır. Bir FET’deki üç terminal akıtmak, kaynak ve kapı.
FET’leri BJT’ler ile karşılaştırırken; akıtmak (D), kollektöre ve kollektöre benzer. kaynak (S) yayıcıya benzer. Üçüncü bir kişi kapı (G), tabana benzer. Bir FET'in kaynağı ve drenajı genellikle transistör çalışmasını etkilemeden değiştirilebilir.
FET (JFET) ve metal oksit yarı iletken FET (MOSFET) birleşim noktası olan iki FET sınıfını detaylı olarak tartışıyoruz.
Bu bölüm, MOSFET'lerin ve JFET'lerin özelliklerinin tartışılması ve bu özelliklerin karşılaştırılması ile başlar. Daha sonra bu cihazları devrelerde kullanmanın yollarını ve çeşitli amplifikatör yapılandırmalarını önyargılı hale getirme tekniklerini inceliyoruz.
Analiz tekniklerini detaylıca incelerken bilgisayar simülasyon modellerini sunarız. Bunu, analiz teknikleri ve tasarım metodolojisi ile ilgili detaylı bölümler takip eder.
Bu bölüm, diğer özel cihazların kısa bir tartışması ile sona ermektedir.
Bu kaynağı destekleyen TINA ve TINACloud devre simülatörleri, devre simülasyonu için kullanılacak çok sayıda sofistike MOSFET ve JFET bilgisayar simülasyon modelini ve devrelerini içerir.