场效应晶体管放大器
电流–场效应晶体管放大器-简介
场效应晶体管放大器
在本章中，我们将我们用于BJT晶体管的方法并行，这一次集中在场效应晶体管上。 在研究了这些材料之后，你会的
- 了解FET和BJT之间的区别。
- 了解各种形式的FET之间的差异。
- 知道如何偏置FET进行线性操作。
- 了解小信号模型以及如何使用它们。
- 能够分析FET放大器电路。
- 能够设计FET放大器电路以满足规范要求。
- 了解计算机模拟程序如何模拟FET。
- 了解FET如何制造为集成电路的一部分。
引言
现代 场效应晶体管（FET） W. Shockley在1952年提出的建议与BJT有所不同。 场效应管是 多数承运人 设备。 它的操作取决于使用施加的电压来控制多数载流子（电子中的电子） n型材料和孔 p-type）在一个频道中。 该电压通过电场控制器件中的电流。
场效应晶体管是三端器件，但与双极晶体管相比，两端的电压控制着第三端子中流过的电流。 FET中的三个端子是 排水, 资源 和 门.
在比较FET和BJT时，我们将看到 排水 （D）类似于收集器和 资源 （S）类似于发射器。 第三次联系， 门 （G），类似于基数。 FET的源极和漏极通常可以互换，而不会影响晶体管的工作。
我们详细讨论了两类FET，它们是结FET（JFET）和金属氧化物半导体FET（MOSFET）。
本章首先讨论MOSFET和JFET的特性以及这些特性的比较。 然后，我们检查在电路中使用这些器件的方法，以及偏置各种放大器配置的技术。
在详细研究分析技术时，我们提出了计算机仿真模型。 接下来是关于分析技术和设计方法的详细章节。
本章最后简要讨论了其他专业设备。
支持该资源的TINA和TINACloud电路仿真器包括许多复杂的MOSFET和JFET计算机仿真模型以及用于电路仿真的电路。