1.场效应管的优缺点
当前– 1. FET的优缺点
上一个 - 场效应晶体管放大器：简介
FET相对于BJT的优点总结如下：
- FET是具有高输入阻抗的电压敏感器件（大约为10）7 到1012 Ω）。 由于该输入阻抗远高于BJT，因此FET优于BJT，用作多级放大器的输入级。
- 一类FET（JFET）产生的噪声低于BJT。
- FET比BJT更温度稳定。
- FET通常比BJT更容易制造。 可以在单个芯片上制造更多数量的器件（即，增加 包装密度 是可能的）。
- FET像电压控制可变电阻一样反应，用于较小的漏极 - 源极电压值。
- FET的高输入阻抗允许它们存储足够长的电荷以允许它们用作存储元件。
- 功率FET可以耗散高功率并可以切换大电流。
- FET不像BJT那样对辐射敏感（空间电子应用的一个重要考虑因素）。
在某些应用中存在一些限制FET使用的缺点。 它们是：
- 由于高输入电容，FET放大器通常表现出较差的频率响应。
- 某些类型的FET表现出较差的线性度。
- 由于静电，FET可能会在处理过程中受损。