6。 MOSFET与JFET的比较
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MOSFET与JFET的比较
在我们看到如何在放大器配置中使用FET之前，我们暂停检查两大类FET之间的基本相似性。 我们已经考虑了2部分中的MOSFET和部分4中的JFET。 每个类中都有n通道和p通道器件。 MOSFET分类进一步细分为增强和耗尽型晶体管。
这些组合导致六种可能的设备类型：
●n沟道增强型MOSFET（增强型NMOS）
●n沟道耗尽MOSFET（耗尽型NMOS）
●n沟道JFET
●p沟道增强型MOSFET（增强型PMOS）
●p沟道耗尽MOSFET（耗尽PMOS）
●p沟道JFET
图28总结了这六种器件的电路符号。 JFET符号中的箭头有时会移动到源端子。
图28 – FET的电路符号
当栅极 - 源极电压突破阈值电压时，会产生一个通道并且晶体管导通（VT 用于MOSFET和 Vp 对于JFET）。 三个 n- 通道设备，通道创建时
(33)
或者，为了 p- 通道设备，通道创建时
(34)
阈值对于增强型NMOS，耗尽型PMOS和 p-通道JFET。 它对耗尽型NMOS，增强PMOS和负载是负的 n通道JFET。
为了使晶体管工作 三极管区域，漏极 - 源极电压必须遵守以下不等式：
针对 n通道MOSFET或JFET，
(35)
针对 p - 通道MOSFET或JFET，情况正好相反。 也就是说，要在三极管区域工作，
(36)
在任何一种情况下，如果不遵守不等式，则晶体管在导通时工作在饱和区。
表1总结了这些关系。
表1 – FET关系
现在，我们在MOSFET和JFET的漏极电流方程式中显示出相似性。 在饱和区域中，MOSFET的漏极电流为[公式8（章节：“ 2。金属氧化物半导体FET（MOSFET）”），
(37)
哪里 K 是（谁）给的，
在JFET的情况下，等效值为[等式20（第3章：结型场效应晶体管（JFET））”）。
(38)
如果我们设置，这与MOSFET的等式相同 VT 等于 Vp，并等于常数，
(39)
对于三极管区域也是如此。 我们介绍了MOSFET的漏极电流公式[请参见公式4（第2章：“ XNUMX。金属氧化物半导体FET（MOSFET）”）]
(40)
这个相同的等式适用于JFET的替代 Vp VT，和的价值 K 公式（39）中给出。
总之，MOSFET和JFET方程的唯一区别是常数的值 K以及MOSFET中的阈值电压等于JFET中的夹断电压的事实。