SPICE, SPICE, SPICE 當您進行電子電路仿真時，您總是會聽到這些神奇的話。 這是什麼，為什麼如此重要？ 我們將在此免費的Internet課程中對此進行解釋，並教您如何為仿真軟件使用，添加和創建複雜的設備模型。 在我們的材料中，我們將為您提供TINA和TINACloud軟件，以演示我們將創建的電路和模型，但是我們將 SPICE 模型和電路適用於大多數 SPICE 模擬器沒有任何變化。
Spice 模擬是1973年在加利福尼亞大學伯克利分校開發的一種電路模擬方法。伯克利分校的最新3f5版本 Spice 於1993年發行。Berkely Spice 作為學術界和行業中大多數電路仿真程序的基礎。 今天的 Spice 模擬器當然比原始的Berkely更先進，更複雜 Spice 模擬器並以多種方式擴展。 的一大優勢 Spice 模擬，半導體製造商使用以下方法為其產品提供大型免費庫 Spice 型號，其中最 Spice 模擬器可以打開並使用。
您可以在以下位置找到更多教程
通用格式：
。模型 [AKO： ]
+（[<參數名稱> = [公差規格] *）
。模型 語句描述了一組設備參數，這些參數在網絡列表中用於某些組件。 是組件使用的型號名稱。 是設備類型，並且必須是以下之一：
Following 是描述設備型號的參數列表。 無，任何或所有參數都可以分配值，未分配的參數採用默認值。 參數名稱，含義和默認值的列表位於各個設備的說明中。
LT和SIMetrix使用A設備表示數字圖元。
示例：
。模型RMAX RES（R = 1.5 TC1 = 0.0002 TC2 = 0.005）
。型號DNOM D（IS = 1E-9）
。型號QDRIV NPN（IS = 1E-7 BF = 30）
。模型QDR2 AKO：QDRIV NPN（BF = 50 IKF = 50m）
通用格式：
.參數 < = > *
.參數 < = { }> *
.參數 語句定義參數的值。 在電路說明中，可以使用參數名稱代替大多數數字值。 參數可以是常量，也可以是包含常量的表達式，也可以是它們的組合，並且它們可以包含其他參數。
預定義參數： 溫度，VT，GMIN，TIME，S， PI，E
示例：
.PARAM VCC = 12V，VEE = -12V
.PARAM BANDWIDTH = {100kHz / 3}
.PARAM PI = 3.14159，TWO_PI = {2 * 3.14159}
.PARAM VNUM = {2 * TWO_PI}
通用格式：
.SUBCKT [節點]*
+ [可選：< = > *]
+ [PARAMS：< = > *]
.SUBCKT 聲明將描述網表的子電路，直到 .ENDS 命令。 子電路由命令在網表中調用， X. 是子電路的名稱。 [節點]* 是僅在子電路本地且用於頂層連接的節點的可選列表。 子電路調用可以嵌套（可以有 X 內）。 但是，子電路不能嵌套（否 .SUBCKT 內）。
例:
.SUBCKT 運算放大器 1 2 101 102 17
...
.ENDS
.SUBCKT濾波器輸入輸出參數：CENTER = 100kHz，
+帶寬= 10kHz
...
.ENDS
.SUBCKT 74LS00 ABY
+可選：DPWR = $ G_DPWR DGND = $ G_DGND
+參數：MNTYMXDLY = 0 IO_LEVEL = 0
...
.ENDS
通用格式：
C <+節點> <-節點> [型號名稱] [IC = ]
[型號名稱] 是可選的，如果不包含則 是法拉的電容。 如果 [型號名稱] 指定電容，則電容由下式給出：
Ctot = |值| * C * [1+ TC1 *（T-Tnom）+ TC2 *（T-Tnom）2]
哪裡 C, TC1和 TC2 如下所述。 to 是總電容。 T 是模擬溫度。 和 湯姆 是標稱溫度（27°C，除非在Analysis.Set Analysis對話框中通過設置）
可以是正數或負數。
[IC = ] 給PSPICE 偏置點計算期間對電容器兩端電壓的初始猜測，這是可選的。
| 參數 | 產品描述 |
| C | 電容倍增器 |
| TC1 | 線性溫度係數 |
| TC2 | 二次溫度係數 |
示例：
負載 15 0 20pF
C2 1 2 0.2E-12 IC = 1.5V
C3 3 33 CMOD 10pF
通用格式：
d <+節點> <-節點> [面積值] [關閉]
二極管由一個電阻值建模 RS/[面積值] 與本徵二極管串聯。 <+節點> 是陽極， <-節點> 是陰極。
[面積值]秤 IS, RS, 聯合會和 乙型肝炎病毒 並且默認為1。 乙型肝炎病毒 和 BV 都是積極的。
| 參數 | 產品描述 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| BV | 反向擊穿值 |
| 聯合會 | 零偏置pn電容 |
| EG | 帶隙電壓 |
| FC | 正向偏置耗盡電容係數 |
| 乙型肝炎病毒 | 反向擊穿電流 |
| IS | 飽和電流 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| M | pn分級係數 |
| N | 發射係數 |
| RS | 寄生電阻 |
| RZ | 齊納電阻（僅TINA） |
| TT | 運輸時間 |
| VJ | pn電位 |
| XTI | IS溫度指數 |
P不支持OFF參數SPice.
例
直流箝位 14 0 DMOD
D13 15 17開關1.5
DBV1 3 9 DX 1.5關閉
通用格式：
Ë <+節點> <-節點>
+ <+控制節點> <-控制節點>
Ë <+節點> <-節點> POLY（ ）
+ <<+控制節點>，<-控制節點>> *
+ < > *
Ë <+ <-節點> VALUE = { }
Ë <+ <-節點> TABLE { } =
+ < ， > *
Ë <+節點> <-節點> LAPLACE { } =
+ { }
Ë <+節點> <-節點> FREQ { } =
+ < ， ， > *
每種格式都聲明一個電壓源，其大小與節點之間的電壓差有關 <+控制節點> 和 <-控制節點>。 第一種格式定義線性情況，其他格式定義非線性情況。
拉普拉斯 和 FREQ 受控源的模式只能在AC模式下使用。
FREQ模式在LT和SIMetrix中不可用
LAPLACE模式通過S域傳遞功能塊SIMetrix實現。
示例：
埃布夫10 11 1 2 1.0
擴大13 0 POLY（1）26 0 0 500
ENONLIN 100 POLY（101）2 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2
ESQROOT 5 0值= {5V * SQRT（V（3,2））}
ET2 2 0表格{V（陽極，陰極）} =（0,0）（30,1）
ERC 5 0 LAPLACE {V（10）} = {1 /（1 + .001 * s）}
低通5 0頻率{V（10）} =（0,0,0）（5kHz，0,0）（6kHz -60，0）
通用格式：
F <+節點> <-節點>
+
or
F <+節點> <-節點> POLY（ ）
+ < > *
+ < > *
兩種格式都聲明一個電流源，其大小與通過的電流有關 .
第一種形式產生線性關係。 第二種形式產生非線性響應。
例:
FSENSE 1 2 VSENSE 10.0
板面13 0 POLY（1）VIN 0
FNONLIN 100 POLY（101）碳納米管VCINTRL2 1 2 0.0 13.6
通用格式：
一世<+節點> <-節點>
+ [[DC] ]
+ [AC [相位值]
+ [暫態規範]
電流源有三種類型。 DC, AC或瞬時來源。
DC 源提供恆定大小電流的電流源。 DC 來源用於補給或用於。DC 分析。
AC 來源用於 .AC 分析。 源的大小由下式給出 。 源的初始相位由[phase]給出，默認相位為0。
瞬態源是其輸出隨仿真時間而變化的源。 這些主要用於瞬態分析， .TRAN.
瞬態源必須定義為以下之一：
EXP |參數|
脈衝|參數|
PWL |參數|
SFFM |參數|
SIN |參數|
示例：
IBIAS 13 0 2.3mA
國際交流電 2 3 交流電 0.001
IACPHS 2 3交流0.001 90
VPULSE 1 0脈衝（-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns）
V3 26 77 DC 0.002 AC 1 SIN（0.002 0.002 1.5MEG）
通用格式：
Ĵ [區域] [關閉]
J 聲明一個JFET。 JFET被建模為具有歐姆電阻（RD / {area}）與漏極串聯，歐姆電阻（RS / {area}）與電源串聯，歐姆電阻（RG）與閘門串聯。
{區}（可選）是相對設備區域。 默認是1。
| 參數 | 產品描述 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| BETA | 跨導係數 |
| 貝塔斯 | BETA指數溫度係數 |
| CGD | 柵漏零偏置pn電容 |
| CGS | 柵源零偏置pn電容 |
| EG | 帶隙電壓（僅TINA） |
| IS | 柵極pn飽和電流 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| LAMBDA | 信道長度調製 |
| M | 門 pn 分級係數 |
| PB | 門 pn 潛力 |
| RD | 漏極歐姆電阻 |
| RS | 源極歐姆電阻 |
| 門口機 | 臨界電壓 |
| 職訓局 | VTO溫度係數 |
P不支持OFF參數SPice.
例:
金100 1 0
J13 22 14 23 JNOM 2.0
JA3 3 9 JX 2關閉
通用格式：
ķ 大號 > *
+
ķ > *
+ [大小值]
K 將兩個或多個電感耦合在一起。 使用點約定，在每個電感器的第一個節點上放置一個點。 這樣，耦合電流相對於驅動電流將具有相反的極性。
是互耦係數，必須在0到1之間。 [大小值] 縮放磁性橫截面，默認為1。
如果型號名稱> 目前有4件事發生了變化：
1.互耦合電感器成為非線性磁芯。
2.使用Jiles-Atherton模型分析核心的BH特性。
3.電感變成繞組，因此指定電感的數字現在表示匝數。
4.耦合電感的列表可能只是一個電感。
| 參數 | 產品描述 |
| A | 形狀參數 |
| 區 | 平均磁截面 |
| C | 疇壁撓曲係數 |
| GAP的 | 有效氣隙長度 |
| K | 疇壁釘扎常數 |
| MS | 磁化飽和 |
| PACK | 包裝（堆積）係數 |
| 路徑 | 平均磁路長度 |
該2nd LT和SIMetrix不支持表單。
在SIMetrix中，只能使用2個電感，如果要耦合更多，則需要為每種組合創建一個單獨的耦合命令。
示例：
KTUNNED L3OUT L4IN .8
KTRNSFRM初級LSECNDRY 1
KXFRM L1 L2 L3 L4 .98 KPOT_3C8
通用格式：
大號<+節點> <-節點> [型號名稱] [IC = ]
L定義一個電感。 <+節點> 和 <-節點> 定義正壓降的極性。
可以是正數或負數，但不能為0。
[型號名稱] 是可選的。 如果省略，電感的電感為 亨利。
如果[型號名稱] 包括在內，則總電感為：
Ltot = |值| * L *（1 + TC1 *（T-Tnom）+ TC2 *（T-Tnom）2)
哪裡 L, TC1和 TC2 在模型聲明中定義， T 是模擬的溫度，並且 湯姆 是標稱溫度（27°C，除非 在Analysis.Set分析對話框中)
[IC = ] 是可選的，如果使用的話，它定義了當P時通過電感器的電流的初始猜測SPICE 嘗試找到偏差點。
| 參數 | 產品描述 |
| L | 電感倍增 |
| TC1 | 線性溫度係數 |
| TC2 | 二次溫度係數 |
示例：
L2 1 2 0.2E-6
L4 3 42 LMOD 0.03
L31 5 12 2U IC = 2mA
通用格式：
中號
+ [L = ] [W = ] [AD = |值|] [AS = |值|]
+ [PD = ] [PS = ] [NRD = |值|] [NRS = |值|]
+ [NRG = ] [NRB =
M定義了MOSFET晶體管。 MOSFET被建模為具有與漏極，源極，柵極和襯底（體）串聯的歐姆電阻的本徵MOSFET。 還有一個分流電阻（RDS）與漏極-源極通道並聯。
L 和 W 通道的長度和寬度。 L 減少了 2 * LD 和 W 減少了 2 * WD 以獲得有效的通道長度和寬度。 L 和 W 可以在device語句，模型或 。選項 命令。 device語句優先於模型，模型優先於模型 。選項.
AD 和 AS 是漏極和源極擴散區。 PD 和 PS 是漏極和源極擴散參數。 漏極和源極的飽和電流可以通過以下方式指定： JS （依次乘以 AD 和 AS）或 IS （絕對值）。 零偏置耗盡電容可以通過 CJ，乘以 AD 和 AS，並通過 中央社校，乘以 PD 和 PS，或 CBD 和 CBS，這是絕對值。 東德, NRS, NRG和 國家資源局 是它們各自端子的電抗率，以正方形表示。 可以通過以下方式指定這些寄生蟲： RSH （依次乘以 東德, NRS, NRG和 國家資源局）或絕對阻力 RD, RG, RS和 RB。 的默認值 L, W, AD和 AS 可以使用 。選項 命令。 如果 。選項 不使用它們的默認值分別是100u，100u，0和0
M 是一個並行設備倍增器（默認= 1），它可以並行模擬多個設備的效果。 MOSFET的有效寬度，重疊電容和結電容以及結電流乘以 M。 寄生電阻值（例如RD和RS）除以 M.
LEVEL= 1 Shichman-Hodges模型
LEVEL= 2基於幾何的解析模型
LEVEL= 3半經驗的短通道模型
LEVEL= 7 BSIM3模型版本3
Level 1
| 參數 | 產品描述 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| CBD | 體漏零偏置pn電容 |
| CBS | 體源零偏置pn電容 |
| CGBO | 柵-襯底重疊電容/溝道長度 |
| 總務部 | 柵漏重疊電容/溝道寬度 |
| 總務處 | 柵源重疊電容/溝道寬度 |
| CJ | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| 中央社校 | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| FC | 體pn正向電容係數 |
| 伽瑪 | 體閾值參數 |
| IS | 體pn飽和電流 |
| JS | 體pn飽和電流/面積 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| KP | 跨導 |
| L | 通道長度 |
| LAMBDA | 信道長度調製 |
| LD | 橫向擴散（長度） |
| LEVEL | 型號類型 |
| MJ | 體pn底部分級係數 |
| 麻省理工學院 | 體pn側壁梯度係數 |
| N | 體pn發射係數 |
| 新高中 | 表面態密度 |
| 南北 | 襯底摻雜密度 |
| PB | 體pn勢 |
| PHI | 表面電位 |
| RB | 基板歐姆電阻 |
| RD | 漏極歐姆電阻 |
| RDS | 漏源歐姆電阻 |
| RG | 柵極歐姆電阻 |
| RS | 源極歐姆電阻 |
| RSH | 漏極，源極擴散薄層電阻 |
| 毒物 | 氧化物厚度 |
| TPG | 澆口材料類型：+1 =相對，-1 =相同，0 =鋁 |
| UO | 表面遷移率 |
| 門口機 | 零偏置閾值電壓 |
| W | 信道寬度 |
Level 2
| 參數 | 產品描述 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| CBD | 體漏零偏置pn電容 |
| CBS | 體源零偏置pn電容 |
| CGBO | 柵-襯底重疊電容/溝道長度 |
| 總務部 | 柵漏重疊電容/溝道寬度 |
| 總務處 | 柵源重疊電容/溝道寬度 |
| CJ | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| 中央社校 | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| DELTA | 寬度對閾值的影響 |
| FC | 體pn正向電容係數 |
| 伽瑪 | 體閾值參數 |
| IS | 體pn飽和電流 |
| JS | 體pn飽和電流/面積 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| KP | 跨導 |
| L | 通道長度 |
| LAMBDA | 信道長度調製 |
| LD | 橫向擴散（長度） |
| LEVEL | 型號類型 |
| MJ | 體pn底部分級係數 |
| 麻省理工學院 | 體pn側壁梯度係數 |
| N | 體pn發射係數 |
| 尼弗 | 通道電荷係數 |
| NFS的 | 快速表面態密度 |
| 新高中 | 表面態密度 |
| 南北 | 襯底摻雜密度 |
| PB | 體pn勢 |
| PHI | 表面電位 |
| RB | 基板歐姆電阻 |
| RD | 漏極歐姆電阻 |
| RDS | 漏源歐姆電阻 |
| RG | 柵極歐姆電阻 |
| RS | 源極歐姆電阻 |
| RSH | 漏極，源極擴散薄層電阻 |
| 毒物 | 氧化物厚度 |
| TPG | 澆口材料類型：+1 =相對，-1 =相同，0 =鋁 |
| UCRIT | 遷移率降低臨界場 |
| 用戶體驗計劃 | 遷移率下降指數 |
| UO | 表面遷移率 |
| 最大電壓 | 最大漂移速度 |
| 門口機 | 零偏置閾值電壓 |
| W | 信道寬度 |
| XJ | 冶金結深度 |
Level 3
| 參數 | 產品描述 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| ALPHA | 阿爾法 |
| CBD | 體漏零偏置pn電容 |
| CBS | 體源零偏置pn電容 |
| CGBO | 柵-襯底重疊電容/溝道長度 |
| 總務部 | 柵漏重疊電容/溝道寬度 |
| 總務處 | 柵源重疊電容/溝道寬度 |
| CJ | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| 中央社校 | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| DELTA | 寬度對閾值的影響 |
| ETA | 靜態反饋 |
| FC | 體pn正向電容係數 |
| 伽瑪 | 體閾值參數 |
| IS | 體pn飽和電流 |
| JS | 體pn飽和電流/面積 |
| 卡帕 | 飽和場因子 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| KP | 跨導 |
| L | 通道長度 |
| LD | 橫向擴散（長度） |
| LEVEL | 型號類型 |
| MJ | 體pn底部分級係數 |
| 麻省理工學院 | 體pn側壁梯度係數 |
| N | 體pn發射係數 |
| NFS的 | 快速表面態密度 |
| 新高中 | 表面態密度 |
| 南北 | 襯底摻雜密度 |
| PB | 體pn勢 |
| PHI | 表面電位 |
| RB | 基板歐姆電阻 |
| RD | 漏極歐姆電阻 |
| RDS | 漏源歐姆電阻 |
| RG | 柵極歐姆電阻 |
| RS | 源極歐姆電阻 |
| RSH | 漏極，源極擴散薄層電阻 |
| THETA | 遷移率調製 |
| 毒物 | 氧化物厚度 |
| TPG | 澆口材料類型：+1 =相對，-1 =相同，0 =鋁 |
| UO | 表面遷移率 |
| 最大電壓 | 最大漂移速度 |
| 門口機 | 零偏置閾值電壓 |
| W | 信道寬度 |
| XD | 係數 |
| XJ | 冶金結深度 |
Level 7
| 參數 | 產品描述 |
| 手機模組 | 流動性模型選擇器 |
| CAP模塊 | 短通道電容模型的標誌 |
| 國家質檢總局 | NQS模型的標誌 |
| 諾莫德 | 噪聲模型的標誌 |
| 賓尼 | 垃圾箱單位比例選擇器 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| CGBO | 柵-襯底重疊電容/溝道長度 |
| 總務部 | 柵漏重疊電容/溝道寬度 |
| 總務處 | 柵源重疊電容/溝道寬度 |
| CJ | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| 中央社校 | 體pn零偏置底部電容/面積 |
| JS | 體pn飽和電流/面積 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| L | 通道長度 |
| LEVEL | 型號類型 |
| MJ | 體pn底部分級係數 |
| 麻省理工學院 | 體pn側壁梯度係數 |
| PB | 體pn勢 |
| RSH | 漏極，源極擴散薄層電阻 |
| W | 信道寬度 |
| A0 | 通道長度的大電荷效應係數 |
| A1 | 第一個非飽和效應參數 |
| A2 | 第二個非飽和因子 |
| AGS | Abulk的門偏係數 |
| 阿爾法0 | 衝擊電離電流的第一個參數 |
| B0 | 通道寬度的大電荷效應係數 |
| B1 | 批量電荷效應寬度偏移 |
| 測試版0 | 衝擊電離電流的第二個參數 |
| 疾病預防控制中心 | 漏極/源極至通道耦合電容 |
| 中央證券交易委員會 | CDSC的身體偏向敏感性 |
| 光盤 | CDSC的漏極偏置靈敏度 |
| CIT | 界面陷阱電容 |
| DELTA | 有效的Vds參數 |
| 退出 | Rout中DIBL校正參數的L相關係數 |
| 數字子系統 | 亞閾值區域的DIBL係數指數 |
| 深靜脈血栓0 | 短通道效應對閾值電壓的第一係數 |
| 深靜脈血栓0W | 小通道長度的窄帶效應對閾值電壓的第一係數 |
| 深靜脈血栓1 | 短通道效應對閾值電壓的第二係數 |
| 深靜脈血栓2 | 短通道效應對閾值電壓的體偏係數 |
| 深靜脈血栓1W | 小溝道長度下窄帶效應對閾值電壓的第二係數 |
| 深靜脈血栓2W | 小通道長度的窄幅效應的人體偏置係數 |
| 數字寬帶 | 襯底基體偏置係數與Weff的依賴關係 |
| DWG | 韋夫門相關係數 |
| 預計0 | 亞閾值區域的DIBL係數 |
| 埃塔布 | 亞閾值DIBL效應的體偏係數 |
| JSW | 單位長度的側壁飽和電流 |
| K1 | 一階身體效應係數 |
| K2 | 二階身體效應係數 |
| K3 | 窄寬度係數 |
| K3B | K3的身體效應係數 |
| 凱達 | 體偏壓係數 |
| 皮棉 | IV的長度偏移擬合參數，無偏差 |
| 因子 | 閾下擺動係數 |
| 門 | 多晶矽柵摻雜濃度 |
| NLX | 橫向非均勻摻雜參數 |
| 聚氯乙烯 | 信道長度調製參數 |
| PDIBLC1 | 第一輸出電阻DIBL效果校正參數 |
| PDIBLC2 | 第二輸出電阻DIBL效果校正參數 |
| PDIBLCB | DIBL校正參數的人體效應係數 |
| 印製板 | RDSW的身體效應係數 |
| 工作組 | RDSW的柵極偏置效應係數 |
| PSCBE1 | 第一襯底當前體效應參數 |
| PSCBE2 | 第二襯底當前體效應參數 |
| 聚乙二醇 | 早期電壓的柵極依賴性 |
| RDSW | 單位寬度的寄生電阻 |
| U0 | 溫度= TNOM時的遷移率 |
| UA | 一階遷移率退化係數 |
| UB | 二階遷移率退化係數 |
| UC | 遷移率退化係數的人體效應 |
| VBM | 閾值電壓計算中的最大施加體偏置 |
| 關斷 | W和L大的亞閾值區域中的失調電壓 |
| VSAT | 溫度= TNOM時的飽和速度 |
| VTH0 | 大L的閾值電壓@ Vbs = 0 |
| W0 | 窄寬度參數 |
| 溫特 | IV的偏移量擬合參數，無偏差 |
| WR | Weff的寬度偏移量，用於Rds計算 |
| CF | 邊緣場電容 |
| 卡帕 | 輕摻雜區的係數重疊電容邊緣場電容 |
| CLC | 短通道模型的常數項 |
| 騎士 | 短通道模型的指數項 |
| CGDL | 輕摻雜漏柵區重疊電容 |
| CGSL | 輕摻雜源極-柵極區域重疊電容 |
| 工作小組 | 每單位寬度的源極/漏極柵極側壁結電容 |
| DLC | CV的長度偏移擬合參數 |
| DWC | CV的寬度偏移擬合參數 |
| 工作組 | 源極/漏極柵極側壁結電容分級係數 |
| 公共廣播電台 | 源極/漏極側結內置電位 |
| 工作組 | 源極/漏極柵極側壁結內置電位 |
| VFBCCV | 平帶電壓參數（僅對於CAPMOD = 0） |
| X部分 | 電荷分配率標誌 |
| LMAX | 最大通道長度 |
| 最低限度 | 最小通道長度 |
| 最大 | 最大通道寬度 |
| 最小 | 最小通道寬度 |
| EF | 閃爍指數 |
| EM | 飽和場 |
| 諾亞 | 噪聲參數A |
| 諾伊 | 噪聲參數B |
| 諾伊克 | 噪聲參數C |
| ELM | 頻道的Elmore常數 |
| 伽瑪1 | 表面附近的身體效應係數 |
| 伽瑪2 | 主體效應係數 |
| 國家衛生研究院 | 溝道摻雜濃度 |
| 南北 | 襯底摻雜濃度 |
| 毒物 | 柵氧化層厚度 |
| VBX | 耗盡區= XT的Vbs |
| XJ | 連接深度 |
| XT | 摻雜深度 |
| AT | 飽和速度溫度係數 |
| KT1 | 閾值電壓的溫度係數 |
| KT1L | 閾值電壓溫度係數的通道長度依賴性 |
| KT2 | 閾值電壓溫度效應的體偏置係數 |
| NJ | 結髮射係數 |
| PRT | RDSW的溫度係數 |
| 諾姆 | 提取參數的溫度 |
| UA1 | UA的溫度係數 |
| UB1 | UB的溫度係數 |
| UC1 | UC溫度係數 |
| 出去 | 遷移率溫度指數 |
| XTI | 結電流溫度指數係數 |
| LL | 長度依賴的長度偏移係數 |
| LLN | 長度依存度對長度偏移的影響 |
| LW | 長度偏移的寬度相關係數 |
| LWL | 長度和寬度係數長度偏移的交叉項 |
| 長城 | 寬度依賴於長度偏移的冪 |
| WL | 寬度偏移的長度相關係數 |
| 無線網絡 | 寬度偏移的長度依存度 |
| WW | 寬度偏移的寬度依賴性係數 |
| WWL | 長度和寬度係數寬度偏移的交叉項 |
| 世界網絡 | 寬度偏移的寬度依存度 |
P不支持OFF參數SPice.
BSIM3是LT中的8級模型，
示例：
M1 14 2 13 0 PNOM L = 25u W = 12u
M13 15 3 0 0 強
M16 17 3 0 0 NX M = 2關閉
M28 0 2 100 NWEAK L = 100u W = 33u
+ AD = 288p AS = 288p PD = 60u PS = 60u NRD = 14 NRS = 24 NRG = 10 NRB = 0.5
ñ
+
+ DGTLNET =
+
+ [IS =初始狀態]
| 參數 | 產品描述 |
| 世衛組織 | 到高級節點的電容 |
| CLO | 到低電平節點的電容 |
| S0NAME..S19NAME | 狀態0..19字符的縮寫 |
| S0TSW..S19TSW | 狀態0..19切換時間 |
| S0RLO..S19RLO | 狀態0..19到低電平節點的電阻 |
| S0RHI..S19RHI | 狀態0..19對高電平節點的抵抗 |
LT和SImetrix中不存在N設備
示例：
N1模擬DIGITAL_GND DIGITAL_PWR DIN74
+ DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD
NRESET 7 15 16 來自_TTL
Ø
+ DGTLNET =
| 參數 | 產品描述 |
| 華立 | 0：每個時間步寫1：更改時寫 |
| 加載 | 輸出電容 |
| 加載 | 輸出電阻 |
| S0NAME..S19NAME | 狀態0..19字符的縮寫 |
| S0VLO..S19VLO | 狀態0..19低電平電壓 |
| S0VHI..S19VHI | 狀態0..19高電平電壓 |
| 名稱 | 接口節點電壓落在所有範圍之外時施加的狀態 |
O設備在LT中定義了有損傳輸線Spice 和Simetrix。
示例：
O12 ANALOG_NODE DIGITAL_GND DO74 DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD
OVCO 17 0 TO_TTL
通用格式：
問
+ [基材] [面積值] [關閉]
Q 在P中聲明一個雙極晶體管SPICE。 該晶體管被建模為具有與基極，集電極（RC / {面積值}），以及發射器（RE / {面積值}). {基質} node是可選的，默認值為ground。 {面積價值} 是可選的（用於縮放設備），默認值為1。參數 ISE 和 ISC的 可以設置為大於1。 IS （即 ISE * IS).
P不支持OFF參數SPice.
級別1：Gummel-Poon模型
| 參數 | 產品描述 |
| AF | 閃爍噪聲指數 |
| BF | 理想的最大正向beta |
| BR | 理想的最大反向beta |
| CJC | 基極-集電極零偏置pn電容 |
| 電子工程師協會 | 基極-發射極零偏置pn電容 |
| CJS | 集電極-襯底零偏置pn電容 |
| EG | 帶隙電壓（勢壘高度） |
| FC | 正向偏置耗盡電容器係數 |
| IKF | 正向beta高電流滾落的角落 |
| 伊克 | 反向beta大電流滾降的轉角 |
| IS | pn飽和電流 |
| ISC的 | 基極-集電極洩漏飽和係數 |
| ISE | 基極-發射極洩漏飽和電流 |
| 國際空間站 | 基板pn飽和電流 |
| KF | 閃爍噪聲係數 |
| 澳門賽馬會 | 基極-PN分級係數 |
| 梅傑 | 基發射極pn分級係數 |
| MJS | 集電極-基底pn分級係數 |
| NC | 基極-集電極洩漏發射係數 |
| NE | 基極-發射極洩漏發射係數 |
| NF | 正向電流發射係數 |
| NR | 反向電流發射係數 |
| NS | 底物pn發射係數 |
| PTF | 1 /（2 * PI * TF）Hz時出現過剩相位。 |
| RB | 零偏置（最大）基極電阻 |
| RBM | 最小基極電阻 |
| RC | 集電極歐姆電阻 |
| RE | 發射極歐姆電阻 |
| TF | 理想的向前運輸時間 |
| TR | 理想逆行時間 |
| 變風量 | 正向早期電壓 |
| VAR | 反向早期電壓 |
| 維吉克 | 內置電位的基極收集器 |
| 維杰 | 內置電位的基極發射極 |
| VJS | 集電極-襯底內置電位 |
| 可變頻率傳輸函數 | 對VBC的渡越時間依賴性 |
| 徐家匯 | 連接到RB內部的CJC部分 |
| XTB | 正反偏壓溫度係數 |
| XTF | 渡越時間偏差依賴係數 |
| XTI | IS溫度影響指數 |
示例：
Q1 14 2 13 PNPNOM
Q13 15 3 0 1 NPN 強 1.5
Q7 VC 5 12 [SUB] LATPNP
QN5 1 2 3 QX關閉
通用格式：
[R <+節點> <-節點> [型號名稱]
+ [TC = [， ]]
<+節點> 和 <-節點> 根據電阻兩端的電壓降定義電阻的極性。
{model name}是可選的，如果不包括，則| value | 是以歐姆為單位的電阻。 如果 [型號名稱] 被指定並且 TCE 未指定，則電阻由下式給出：
Rtot = |值| * R * [1 + TC1 *（T-Tnom））+ TC2 *（T-Tnom）2]
哪裡 R, TC1和 TC2 如下所述。 羅托 是總阻力。 V 是電阻兩端的電壓。 T 是模擬溫度。 和 湯姆 是標稱溫度（27°C，除非在Analysis.Set Analysis對話框中）
If TCE 指定電阻，則電阻由下式給出：
Rtot = |值| * R * 1.01（TCE *（T-Tnom））
可以是正數或負數。
| 參數 | 產品描述 |
| R | 電阻倍增器 |
| TC1 | 線性溫度係數 |
| TC2 | 二次溫度係數 |
| TCE | 指數溫度係數 |
示例：
讀取負載15 0 2K
R2 1 2 2.4E4 TC = 0.015，-0.003
RA34 3 33 RMOD 10K
通用格式：
小號<+交換節點> <-交換節點>
+ <+控制節點> <-控制節點> |
S 表示壓控開關。 之間的阻力 <+交換節點> 和 <-交換節點> 取決於之間的電壓差 <+控制節點> 和 <-控制節點>。 電阻在 RON 和 關閉.
RON 和 關閉 必須大於零且小於 最小值 （在 。選項 命令）。 有價值的電阻 1 / GMIN 連接在控制節點之間以防止它們浮動。 用於磁滯開關 VT，VH 否則必須使用 VON，VOFF
| 參數 | 產品描述 |
| RON | 抵抗 |
| 關閉 | 斷開電阻 |
| 馮 | 接通狀態的控制電壓 |
| 關斷 | 關斷狀態下的控制電壓 |
| VT | 閾值控制電壓 |
| VH | 磁滯控制電壓 |
示例：
S12 13 17 2 0 SMOD
設定5 0 15 3繼電器
通用格式：
Ť <+ A端口> <-A端口> <+ B端口> <-B端口>
+ Z0 = [TD = ] [F = [NL = ]]
+ IC =
Ť <+ A端口> <-A端口> <+ B端口> <-B端口>
+ LEN = R = L =
+ G = C =
T 定義2端口傳輸線。 該設備是雙向的理想延遲線。 這兩個端口是 A 和 B 其極性由 + or - 標誌。 第一種格式描述無損，第二種格式描述有損傳輸線。
如果定義有損線，則必須指定R，L，G，C參數中的至少兩個，並且它們必須為非零。 支持的組合為：LC，RLC，RC，RG。 也不支持RL，也不支持nonyeo G expext（RG）。
可以使用LT中與O設備相同的參數來定義有損傳輸線Spice 和SImetrix
示例：
T1 1 2 3 4 Z0 = 220 TD = 115ns
T2 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 2.25MEG
T3 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 4.5MEG NL = 0.5
T4 1 2 3 4 LEN = 1 R = .311 L = 0.378u G = 6.27u C = 67.3p
通用格式：
w ^ <+交換節點> <-交換節點>
+
W表示電流控制開關。 之間的阻力 <+交換節點> 和 <-交換節點> 取決於流過控制源的電流 。 電阻在 RON 和 關閉.
RON 和 關閉 必須大於零且小於 最小值 （在 。選項 命令）。 值1 / GMIN的電阻器連接在控制節點之間，以防止其浮動。 用於磁滯開關 VT，VH 否則必須使用 VON，VOFF
| 參數 | 產品描述 |
| RON | 抵抗 |
| 關閉 | 斷開電阻 |
| ION | 接通狀態的控制電壓 |
| 關 | 關斷狀態下的控制電壓 |
| IT | 閾值控制電壓 |
| IH | 磁滯控制電壓 |
電流控制開關在SIMetrix中不可用
示例：
W12 13 17 VC WMOD
WRESET 5 0 VRESET繼電器
通用格式：
X [節點]* [PARAMS：< = > *]
X 調用子電路 . 必須在某處定義 .SUBCKT 和 .ENDS 命令。 節點數（由[節點]*）必須保持一致。 引用的子電路插入到給定電路中，其中給定節點替換定義中的自變量節點。 子迴路調用可以嵌套，但不能循環。
示例：
X12 100 DIFFAMP
XBUFF 13 15 UNITAMP
XFOLLOW IN OUT VCC VEE OUT 運算放大器
XFELT 1 2濾波器參數：CENTER = 200kHz
ü [（ *）]
+
+ *
+
+ [MNTYMXDLY = ]
+ [IO_LEVEL = ]
支持的原語是：BUF，INV，XOR，NXOR，AND，NAND，OR，NOR，BUFA，INVA，XORA，NXORA，ANDA，NANDA，ORA，NORA，BUF3，BUF3A，JKFF，DFF，SRFF，DLTCH
混合模式不支持門陣列。
ü STIM（ ， ）
+
+ *
+
+ [IO_LEVEL = ]
+ [TIMESTEP = ]
閘門時序模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| TPLHM | 延遲：從低到高，分鐘 |
| TPHLTY | 延遲：從低到高，典型 |
| TPLHMX | 延遲：從低到高，最大 |
| TPHLMN | 延遲：從高到低，分鐘 |
| TPHLTY | 延遲：高到低，典型 |
| TPHLMX | 延遲：從高到低，最大 |
鎖存時序模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| DG | 保持：門邊緣之後的s / r / d，最小值 |
| THTHTY | 保持：柵極邊緣後的s / r / d（典型值） |
| 總諧波失真 | 保持：門邊緣之後的s / r / d，最大值 |
| TPDQLHMN 號 | 延遲：s / r / d至q / qb低至高，最小值 |
| TPDQHTY | 延遲：s / r / d至q / qb低至高，典型值 |
| TPDQLHMX | 延遲：s / r / d至q / qb低至高，最大 |
| TPDQHLMN | 延遲：s / r / d至q / qb高至低，最小值 |
| TPDQHLTY | 延遲：s / r / d至q / qb高至低，典型值 |
| TPDQHLMX | 延遲：s / r / d至q / qb HI至低，最大 |
| TPGQLHM | 延遲：柵極到q / qb低到高，最小值 |
| TPGQHTY | 延遲：柵極至q / qb低至高，典型值 |
| TPGQLHMX | 延遲：柵極到q / qb低到高，最大 |
| TPGQHLMN | 延遲：門控到q / qb到低，最小值 |
| TPGQHLTY | 延遲：柵極到q / qb到低電平，典型值 |
| TPGQHLMX | 延遲：門控到q / qb到低，最大 |
| TPPCQLHMN | 延遲：preb / clrb至q / qb低至hi，min |
| TPPCQHTY | 延遲：從preb / clrb到q / qb到hi，典型值 |
| TPPCQLHMX | 延遲：preb / clrb至q / qb低至高，最大 |
| TPPCQHLMN | 延遲：preb / clrb至q / qb hi至低，最小值 |
| TPPCQHLTY | 延遲：preb / clrb至q / qb hi至低，典型值 |
| TPPCQHLMX | 延遲：preb / clrb至q / qb hi至低，最大 |
| TSUDGMN | 設置：s / r / d到門邊緣，最小值 |
| 關注 | 設置：s / r / d至柵極邊緣，典型值 |
| TSUDGMX | 設置：s / r / d到門邊緣，最大值 |
| 中科院總醫院 | 設置：preb / clrb移至門邊緣，最小值 |
| 蘇普格蒂 | 設置：preb / clrb高至門邊緣，典型值 |
| TSUPPCGHMX | 設置：preb / clrb高至門邊緣，最大值 |
| TWWPCLMN | 最小preb / clrb寬度低，最小 |
| TWCLTY | 最小preb / clrb寬度低，典型 |
| TWPCLMX | 最小preb / clrb寬度低，最大 |
| 東華三院 | 最小門寬hi，min |
| TWGTY | 最小澆口寬度hi，典型值 |
| 東華三院 | 最小澆口寬度hi，max |
邊沿觸發FF時序模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| 總諧波失真 | 保持：clk / clkb邊緣後的j / k / d，最小值 |
| 總諧波失真 | 保持：clk / clkb邊緣後的j / k / d，典型值 |
| 總諧波失真 | 保持：clk / clkb邊緣後最大j / k / d |
| TPCLKQLHMN | 延遲：clk / clkb邊緣到q / qb低到高，最小值 |
| TPCLKQHTY | 延遲：clk / clkb邊緣到q / qb的低到高，典型值 |
| TPCLKQLHMX | 延遲：clk / clkb邊緣到q / qb低到高，最大 |
| TPCLKQHLMN | 延遲：clk / clkb邊緣到q / qb的高低，最小 |
| TPCLKQHLTY | 延遲：clk / clkb邊緣到q / qb到低，典型值 |
| TPCLKQHLMX | 延遲：clk / clkb邊緣到q / qb的高到低，最大 |
| TPPCQLHMN | 延遲：preb / clrb至q / qb低至hi，min |
| TPPCQHTY | 延遲：從preb / clrb到q / qb到hi，典型值 |
| TPPCQLHMX | 延遲：preb / clrb至q / qb低至高，最大 |
| TPPCQHLMN | 延遲：preb / clrb至q / qb高低，最小值 |
| TPPCQHLTY | 延遲：preb / clrb至q / qb高低，最小值 |
| TPPCQHLMX | 延遲：preb / clrb至q / qb高低，最小值 |
| TSUDCLKMN | 設置：j / k / d至clk / clkb邊緣，最小值 |
| TSUDCLKTY | 設置：j / k / d至clk / clkb邊緣，典型 |
| TSUDCLKMX | 設置：最大j / k / d至clk / clkb邊緣 |
| TSUPCCLKHMN | 設置：preb / clrb調至clk / clkb邊緣，最小值 |
| TSUPC時鐘 | 設置：preb / clrb高至clk / clkb邊緣，典型 |
| TSUPC時鐘HMX | 設置：preb / clrb調高至clk / clkb邊緣，最大值 |
| TWWPCLMN | 最小preb / clrb寬度低，最小 |
| TWCLTY | 最小preb / clrb寬度低，典型 |
| TWPCLMX | 最小preb / clrb寬度低，最大 |
| TWCLKLMN | 最小clk / clkb寬度最小值 |
| TWCLKLMN | 最小clk / clkb寬度低，典型 |
| TWCLKLMN | 最小clk / clkb寬度低，最大 |
| TWCLKHMN | 最小clk / clkb寬度最小 |
| 時鐘 | 最小clk / clkb寬度，典型 |
| TWCLKHMX | 最小clk / clkb寬度最大值 |
| TSUCECLKMN | 設置：時鍾啟用至時鐘沿，最小值 |
| 蘇塞克蒂 | 設置：時鐘使能到時鐘沿，典型 |
| TSUCECLKMX | 設置：時鐘使能到最大邊緣 |
| 三七 | 保持：在時鐘邊緣後時鐘使能，最小值 |
| 十億美元 | 保持：clk沿後的時鐘使能，典型值 |
| THCECLKMX | 保持：在時鐘邊緣後時鐘使能，最大值 |
輸入/輸出模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| 硬盤錄像機 | 輸出高電平電阻 |
| 極低密度脂蛋白 | 輸出低電平電阻 |
| 錄像帶 | 輸出Z態洩漏電阻 |
| INLD | 輸入負載電容 |
| INR | 輸入負載電阻 |
| 外展 | 輸出負載電容 |
| TPWRT | 脈衝寬度抑制閾值 |
| 斯托曼 | 將網模擬為費用的最短存儲時間 |
| TSWHL1 | DtoA1的切換時間從高到低 |
| TSWHL2 | DtoA2的切換時間從高到低 |
| TSWHL3 | DtoA3的切換時間從高到低 |
| TSWHL4 | DtoA4的切換時間從高到低 |
| TSWLH1 | DtoA1從低到高的切換時間 |
| TSWLH2 | DtoA2從低到高的切換時間 |
| TSWLH3 | DtoA3從低到高的切換時間 |
| TSWLH4 | DtoA4從低到高的切換時間 |
| ATOD1 | 1級AtoD接口子電路的名稱 |
| ATOD2 | 2級AtoD接口子電路的名稱 |
| ATOD3 | 3級AtoD接口子電路的名稱 |
| ATOD4 | 4級AtoD接口子電路的名稱 |
| DTOA1 | 1級DtoA接口子電路的名稱 |
| DTOA1 | 2級DtoA接口子電路的名稱 |
| DTOA1 | 3級DtoA接口子電路的名稱 |
| DTOA1 | 4級DtoA接口子電路的名稱 |
| 迪格威 | 電源子電路名稱 |
U設備在LT和SIMetrix中不可用。 儘管兩個模擬器都支持數字仿真。 SIMetrix使用的是X的高級版本SPICE 數字引擎，而LT擁有自己的數字支持。 兩種仿真器均使用A設備表示數字圖元。
示例：
U1 NAND（2）$ G_DPWR $ G_DGND 1 2 10 D0_GATE IO_DFT
U2 JKFF（1）$ G_DPWR $ G_DGND 3 5 200 3 3 10 2 D_293ASTD IO_STD
U3 INV $ G_DPWR $ G_DGND IN OUT D_INV IO_INV MNTYMXDLY = 3 IO_LEVEL = 2
ÿ *
支持的型號名稱為：VCO，SINE_VCO，TRI_VCO，SQUARE_VCO，AMPLI，AMPLI_GR，COMP，COMP_GR，COMP_GR_2INP，COMP_GR_3INP，COMP_GR_4INP，COMP_GR_NINP，CNTN_UDSR
VCO，SINE_VCO，TRI_VCO，SQUARE_VCO模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| 中心頻率 | |
| 康凡 | |
| 0號 | |
| 奧坦普利 | |
| 出口 | |
| 英林 | |
| 胰島素 | |
| 利蒙 | |
| 義務教育 | |
| 上升時間 | |
| 秋季時間 | |
| MODE |
AMPLI模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| GAIN | |
| 林 | |
| 潰敗 | |
| 來源 | |
| 出口銀行 | |
| 最大輸出 | |
| 最大資源 | |
| 最大IOUT接收器 | |
| IS0 | |
| 斜率 | |
| 變率 | |
| 滑落 | |
| 飛行極1 | |
| 飛行極2 | |
| VDROPOH | |
| 維德羅波爾 | |
| 伏夫索姆 | |
| 總成本 | |
| 伊比諾 | |
| 諾夫 | |
| 庫魯 | |
| 輸出 |
AMPLI_GR模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| GAIN | |
| 林 | |
| 潰敗 | |
| 來源 | |
| 出口銀行 | |
| 最大輸出 | |
| 最大資源 | |
| 最大IOUT接收器 | |
| 斜率 | |
| 變率 | |
| 滑落 | |
| 飛行極1 | |
| 飛行極2 | |
| 聲音 | |
| 輸出電壓 | |
| 伏夫索姆 | |
| 總成本 | |
| 伊比諾 | |
| 諾夫 | |
| 庫魯 | |
| 輸出 |
COMP模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| GAIN | |
| 林 | |
| 潰敗 | |
| 來源 | |
| 出口銀行 | |
| 最大輸出 | |
| 最大資源 | |
| 最大IOUT接收器 | |
| IS0 | |
| 斜率 | |
| 變率 | |
| 滑落 | |
| 延遲 | |
| 延遲 | |
| 延遲 | |
| 甚高頻 | |
| VHYST | |
| VDROPOH | |
| 維德羅波爾 | |
| 伏夫索姆 | |
| 總成本 | |
| 伊比諾 | |
| 諾夫 | |
| 庫魯 | |
| 輸出 |
COMP_GR模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| GAIN | |
| 林 | |
| 潰敗 | |
| 來源 | |
| 出口銀行 | |
| 最大輸出 | |
| 最大資源 | |
| 最大IOUT接收器 | |
| 斜率 | |
| 變率 | |
| 滑落 | |
| 延遲 | |
| 延遲 | |
| 延遲 | |
| 甚高頻 | |
| VHYST | |
| 聲音 | |
| 輸出電壓 | |
| 伏夫索姆 | |
| 總成本 | |
| 伊比諾 | |
| 諾夫 | |
| 庫魯 | |
| 輸出 |
COMP_GR_2INP，COMP_GR_3INP，COMP_GR_4INP，COMP_GR_NINP模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| GAIN | |
| 林 | |
| 潰敗 | |
| 來源 | |
| 出口銀行 | |
| 最大輸出 | |
| 最大資源 | |
| 最大IOUT接收器 | |
| 斜率 | |
| 變率 | |
| 滑落 | |
| 延遲 | |
| 延遲 | |
| 延遲 | |
| 聲音 | |
| 輸出電壓 | |
| 伏夫索姆 | |
| 總成本 | |
| 伊比諾 | |
| 諾夫 | |
| 庫魯 | |
| 輸出 | |
| 直流傳輸 | |
| 邏輯功能 | |
| VTHRES1..VTHRES4 | |
| VHYST1..VHYST4 |
CNTN_UDSR模型參數
| 參數 | 產品描述 |
| 類型 | |
| 外型 | |
| ， | |
| 模型 | |
| 戴爾2H | |
| 德爾H2L | |
| 鎖扣 | |
| 最大數量 | |
| CNT_模式 | |
| 過時 |
示例：
Y1 IN1p IN1m IN2p IN2m Out Gnd Comp
瞬時聲明有幾種可用的來源。
EXP –指數來源
通用格式：
EXP（| v1 | | v2 | | td1 | | td2 | | tc1 | | tc2 |）
EXP 形式導致電壓為 | v1 | 為了第一 | td1 | 秒。 然後它從 | v1 | 至 | v2 | 具有時間常數 | tc1 |。 持續增長 | td2 | - | td1 | 秒。 然後電壓從 | v2 | 至 | v1 | 具有時間常數 | tc2 |.
| 參數 | 產品描述 |
| v1 | 初始電壓 |
| v2 | 峰值電壓 |
| td1 | 上升延遲時間 |
| tc1 | 上升時間常數 |
| td2 | 下降延遲時間 |
| tc2 | 下降時間常數 |
PULSE –脈衝源
通用格式：
PULSE（| v1 | | v2 | | td | | tr | | tf | | pw | | per |）
脈衝產生電壓以開始 | v1 | 並在那裡保持 | td | 秒。 然後電壓從 | v1 | 至 | v2 | 為下一 | tr | 秒。 然後將電壓保持在 | v2 | 對於 | pw | 秒。 之後，它從 | v2 | 至 | v1 | in | tf | 秒。 它停留在 | v1 | 在以下給定的剩餘時間內 |每|.
| 參數 | 產品描述 |
| v1 | 初始電壓 |
| v2 | 脈衝電壓 |
| td | 延遲時間 |
| tr | 上升時間 |
| tf | 下降時間 |
| pw | 脈衝寬度 |
| 為 | 期 |
PWL –分段線性源
通用格式：
wl
+ [TIME_SCALE_FACTOR =值>]
+ [VALUE_SCALE_FACTOR =值>]
+（角點)*
其中corner_points是：
（ ， ）指定一個點
重複（corner_points）*
ENDREPEAT重複n>次
永遠重複（corner_points）*
ENDREPEAT永遠重複
PWL描述了分段線性格式。 每對時間/電壓（即 | tn |, | vn |）指定波形的一個角點。 拐角之間的電壓是拐角處電壓的線性內插。
| 參數 | 產品描述 |
| tn | 拐角時間 |
| vn | 轉角電壓 |
PWL的這種格式在SIMetrix中稱為PWLS。
SFFM –單頻FM源
通用格式：
SFFM（| voff | | vampl | | fc | | mod | | fm |）
SFFM 使電壓信號跟隨：
v = voff +鞋面* sin（2π* fc * t + mod * sin（2π* fm * t））
哪裡 伏夫, 瓦普爾, fc, MOD和 fm 在下面定義。 t 是時間。
| 參數 | 產品描述 |
| 伏夫 | 失調電壓 |
| 瓦普爾 | 峰值幅度電壓 |
| fc | 載波頻率 |
| MOD | 調製指數 |
| fm | 調製頻率 |
SIN –正弦波源
通用格式：
SIN（| voff | | vampl | | freq | | td | | df | | phase |）
罪 創建一個正弦波源。 信號保持在 | vo | 對於 | td | 秒。 然後，電壓變為指數衰減的正弦波，其描述如下：
v = voff + vampl * sin（2π *（頻率*（t – td）–相位/ 360））* e-（（t – td） * df）
| 參數 | 產品描述 |
| 伏夫 | 失調電壓 |
| 瓦普爾 | 峰值幅度電壓 |
| 頻率 | 載波頻率 |
| td | 延遲 |
| df | 阻尼因子 |
| 相 | 相 |
示例：
IRAMP 10 5 EXP（1 5 1 0.2 2 0.5）
VSW 10 5脈衝（1 5 1 0.1 0.4 0.5 2）
v1 1 2 PWL（0,1）（1.2,5）（1.4,2）（2,4）（3,1）
v2 3 4 PWL REPEAT FOR 5（1,0）（2,1）（3,0）ENDREPEAT
v4 7 8 PWL TIME_SCALE_FACTOR = 0.1
+永遠重複（1,0）（2,1）（3,0）結束
V34 10 5 SFFM（2 1 8 4 1）
ISIG 10 5 SIN（2 2 5 1 1 30）
支持的功能有：ABS，ACOS，ACOSH，ARCTAN，ASIN，ASINH，ATAN，ATAN2，ATANH，CEIL，COS，COSH，DDT，EXP，FLOOR，IF，IMG，LIMIT，LOG，LOG10，M，MAX，MIN， P，PWR，PWRS，R，SDT，SGN，SIN，SINH，SQRT，STP，TABLE，TAN，TANH
CEIL，TABLE在SIMetrix中不可用
STP在LT中不可用
IMG，M，P，R在SIMetrix和LT中不可用
例:
| 功能 | 涵義 | 評論 |
| ABS（x） | | x | | |
| ACOS（x） | x的反餘弦 | -1.0 <= x <= +1.0 |
| ACOSH（x） | x的反雙曲餘弦值 | 結果以弧度表示，x是一個表達式 |
| ARCTAN（x） | tan-1（x） | 導致弧度 |
| ASIN（x） | x的反正弦 | -1.0 <= x <= +1.0 |
| ASINH（x） | x的反雙曲正弦 | 結果以弧度表示，x是一個表達式 |
| ATAN（x） | tan-1（x） | 導致弧度 |
| ATAN2（y，x） | （y / x）的反正切 | 導致弧度 |
| ATANH（x） | x的反雙曲正切 | 結果以弧度表示，x是一個表達式 |
| COS（x） | cos（x） | x弧度 |
| COSH（x） | x的雙曲餘弦 | x弧度 |
| 滴滴涕（x） | x的時間導數 | 僅瞬態分析 |
| IF（t，x，y） | 如果t = TRUE，則為x；如果t = FALSE，則為y | 是一個布爾表達式，其值為TRUE或FALSE，並且可以包括邏輯和關係運算符X和Y可以是數值或表達式。 |
| IMG（x） | x的虛部 | 對於實數返回0.0 |
| 極限（x，min，max） | 如果x <最小值，則結果為min；如果x> max，則結果為max；否則，x | |
| 對數（x） | ln（x） | |
| LOG10（x） | 對數（x） | |
| M（x） | x的大小 | 這產生與ABS（x）相同的結果 |
| 最大（x，y） | x和y的最大值 | |
| 最小值（x，y） | x和y的最小值 | |
| P（x） | x的相位 | |
| PWR（x，y） | | x | y | |
| PWRS（x，y） | + | x | y（如果x> 0），-| x | y（如果x <0） | |
| R（x） | x的實部 | |
| SDT（x） | x的時間積分 | 僅瞬態分析 |
| SGN（x） | 信號功能 | |
| SIN（x） | sin（x） | x弧度 |
| SINH（x） | x的雙曲正弦 | x弧度 |
| STP（x） | 如果x> = 1則為0.0如果x <0 | 單位步進功能可用於抑制值，直到經過給定的時間量。 |
| SQRT（x） | x1 / 2 | |
| tan（x） | tan（x） | x弧度 |
| 罐（x） | x的雙曲正切 | x弧度 |
| 表格（x，x1，y1，x2，y2，... xn，yn） | 當繪製所有xn，yn點並通過直線連接時，結果是與x對應的y值。 如果x大於最大值xn，則該值為與最大xn相關的yn。 如果x小於最小xn，則該值為與最小xn相關的yn。 | |
| ceil（arg） | 返回一個整數值。 該函數的參數應為數字值或計算結果為數字值的表達式。 如果 精氨酸 是整數，返回值等於參數值。 如果 精氨酸 是非整數值，返回值是大於參數值的最接近的整數。 | |
| 地板（arg） | 返回一個整數值。 該函數的參數應為數字值或計算結果為數字值的表達式。 如果 精氨酸 是整數，返回值等於參數值。 如果 精氨酸 是非整數值，返回值是小於參數值的最接近的整數。 |
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