場效應晶體管放大器
電流–場效應晶體管放大器-簡介
場效應晶體管放大器
在本章中，我們將我們用於BJT晶體管的方法並行，這一次集中在場效應晶體管上。 在研究了這些材料之後，你會的
- 了解FET和BJT之間的區別。
- 了解各種形式的FET之間的差異。
- 知道如何偏置FET進行線性操作。
- 了解小信號模型以及如何使用它們。
- 能夠分析FET放大器電路。
- 能夠設計FET放大器電路以滿足規範要求。
- 了解計算機模擬程序如何模擬FET。
- 了解FET如何製造為集成電路的一部分。
簡介
現代 場效應晶體管（FET） W. Shockley在1952年提出的建議與BJT有所不同。 場效應管是 多數承運人 設備。 它的操作取決於使用施加的電壓來控制多數載流子（電子中的電子） n型材料和孔 p-type）在一個頻道中。 該電壓通過電場控制器件中的電流。
場效應晶體管是三端器件，但與雙極晶體管相比，兩端的電壓控制著第三端子中流過的電流。 FET中的三個端子是 排水, 資源 和 門.
在比較FET和BJT時，我們將看到 排水 （D）類似於收集器和 資源 （S）類似於發射器。 第三次聯繫， 門 （G），類似於基數。 FET的源極和漏極通常可以互換，而不會影響晶體管的工作。
我們詳細討論了兩類FET，它們是結FET（JFET）和金屬氧化物半導體FET（MOSFET）。
本章首先討論MOSFET和JFET的特性以及這些特性的比較。 然後，我們檢查在電路中使用這些器件的方法，以及偏置各種放大器配置的技術。
在詳細研究分析技術時，我們提出了計算機仿真模型。 接下來是關於分析技術和設計方法的詳細章節。
本章最後簡要討論了其他專業設備。
支持該資源的TINA和TINACloud電路仿真器包括許多複雜的MOSFET和JFET計算機仿真模型以及用於電路仿真的電路。