1.場效應管的優缺點


FET相對於BJT的優點總結如下:
  1. FET是具有高輸入阻抗的電壓敏感器件(大約為10)7 到1012 Ω)。 由於該輸入阻抗遠高於BJT,因此FET優於BJT,用作多級放大器的輸入級。
  2. 一類FET(JFET)產生的噪聲低於BJT。
  3. FET比BJT更溫度穩定。
  4. FET通常比BJT更容易製造。 可以在單個芯片上製造更多數量的器件(即,增加 包裝密度 是可能的)。
  5. FET像電壓控制可變電阻一樣反應,用於較小的漏極 - 源極電壓值。
  6. FET的高輸入阻抗允許它們存儲足夠長的電荷以允許它們用作存儲元件。
  7. 功率FET可以耗散高功率並可以切換大電流。
  8. FET不像BJT那樣對輻射敏感(空間電子應用的一個重要考慮因素)。
在某些應用中存在一些限制FET使用的缺點。 這些是:
  1. 由於高輸入電容,FET放大器通常表現出較差的頻率響應。
  2. 某些類型的FET表現出較差的線性度。
  3. 由於靜電,FET可能會在處理過程中受損。