6。 MOSFET與JFET的比較
電流– 6. MOSFET與JFET的比較
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MOSFET與JFET的比較
在我們看到如何在放大器配置中使用FET之前，我們暫停檢查兩大類FET之間的基本相似性。 我們已經考慮了2部分中的MOSFET和部分4中的JFET。 每個類中都有n通道和p通道器件。 MOSFET分類進一步細分為增強和耗盡型晶體管。
這些組合導致六種可能的設備類型：
●n溝道增強型MOSFET（增強型NMOS）
●n溝道耗盡MOSFET（耗盡型NMOS）
●n溝道JFET
●p溝道增強型MOSFET（增強型PMOS）
●p溝道耗盡MOSFET（耗盡PMOS）
●p溝道JFET
圖28總結了這六種器件的電路符號。 JFET符號中的箭頭有時會移動到源端子。
圖28 – FET的電路符號
當柵極 - 源極電壓突破閾值電壓時，會產生一個通道並且晶體管導通（VT 用於MOSFET和 Vp 對於JFET）。 三個 n- 通道設備，通道創建時
（33）
或者，為了 p- 通道設備，通道創建時
（34）
閾值對於增強型NMOS，耗盡型PMOS和 p-通道JFET。 它對耗盡型NMOS，增強PMOS和負載是負的 n通道JFET。
為了使晶體管工作 三極管區域，漏極 - 源極電壓必須遵守以下不等式：
為 n通道MOSFET或JFET，
（35）
為 p - 通道MOSFET或JFET，情況正好相反。 也就是說，要在三極管區域工作，
（36）
在任何一種情況下，如果不遵守不等式，則晶體管在導通時工作在飽和區。
表1總結了這些關係。
表1 – FET關係
現在，我們在MOSFET和JFET的漏極電流方程式中顯示出相似性。 在飽和區域中，MOSFET的漏極電流為[公式8（章：“ 2。金屬氧化物半導體FET（MOSFET）”）），
（37）
哪裡 K 是（誰）給的，
在JFET的情況下，等效項為[等式20（第3章：結型場效應晶體管（JFET））”）。
（38）
如果我們設置，這與MOSFET的等式相同 VT 等於 Vp，並等於常數，
（39）
對於三極管區域也是如此。 我們介紹了MOSFET的漏極電流公式[請參見公式4（第2章：“ XNUMX。金屬氧化物半導體FET（MOSFET）”）]
（40）
這個相同的等式適用於JFET的替代 Vp 對於 VT，和的價值 K 公式（39）中給出。
總之，MOSFET和JFET方程的唯一區別是常數的值 K以及MOSFET中的閾值電壓等於JFET中的夾斷電壓的事實。