1. Awantaj û dezavantajên FET-ê

NAVEND - 1. Kêrhatî û dezavantajên FET
BİXWÎNE - Pêvek-bandor-bandorên Transistor-ê: Destpêk
NEXT-2. Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Felazên FETs yên bi BJTs re tête kurt kirin:
  1. FETs ji alavên elektronîk-rexne hene ku bi neheqê veguhestina bilind (li ser armanca 107 ji bo 1012 Ω). Ji ber ku neheqiya vê qutiyê ji BJT-ê pir girîng e, FETs li ser BZT-ê ji bo qonaxa veguhestina amplifierê tê bikaranîn.
  2. Çar yek ji FETs (JFETs) ji BJTsê kêmtir dengek din.
  3. FET ji BJTsê bêtir germê neheq in.
  4. FET bi gelemperî ji hêla BJT ve têne çêkirin. Gelek hejmarên cîhaz dikarin li ser yekek yekgirtî bibin (ango, mezinbûn çermkirina pakkirinê mimkin e).
  5. FET re wekî nirxên piçûk yên voltage-ê-vol-volê-re-berxwedanên volkan-guherbarên kontrolkirî re reaksiyon bikin.
  6. Bersaziya bilind ya FETs ji wan re destnîşan dike ku biqewime dirêj dirêj bikin ku destûr bidin ku ew wek hêla hêsankirina hilberê bikar bînin.
  7. Hêzên FETê dikarin hêza bilind bilind bikin û dikarin kanalên mezin bigirin.
  8. FETs ne wek hûrgelan wekî BJTs (nirxên giring ji bo daxwaznameyên elektronîkî) ne.
Gelek astengiyên ku di bikaranîna hin daxwazên FETs de kêm dikin. Ev in:
  1. FETs amplifiers bi gelemperî bersiva reza hûrgelan pêşniyar dikin ji ber ku ji hêla gravê bilind ve.
  2. Hin celebên FETs nîşana xurt.
  3. FETs dikarin di bin kontrola elektrîkê de zehf kirin.
BİXWÎNE - Berhemên bandor-bandor ên travantralê: Têkilî
NEXT-2. Metal-Oxide Semiconductor FET (MOSFET)