6. MOSFET-i JFET-ə müqayisə
MOSFET-i JFET-ə müqayisə
Bir gücləndirici konfiqurasiyasında FET-dən necə istifadə edildiyini görməzdən əvvəl FET-in iki geniş sinfi arasındakı əsas oxşarlığı nəzərdən keçirək. MOSFET 2 bölməsində və JFET 4 bölməsində nəzərdən keçirmişik. Hər sinifdə n-kanal və p-kanal qurğuları var. MOSFET təsnifatı daha da genişləndirilməsi və tükənməsi tranzistorlarına bölünür.
Bu birləşmələr altı mümkün cihaz növünə gətirib çıxarır:
● n-kanalı genişləndirilməsi MOSFET (NMOS genişləndirilməsi)
● n-kanalın tükənməsi MOSFET (tükənməz NMOS)
● n-kanalı JFET
● P-kanalı genişləndirilməsi MOSFET (genişləndirilməsi PMOS)
● P-kanalı tükənməsi MOSFET (depozit PMOS)
● P-kanalı JFET
Şəkil 28 bu altı növ cihaz üçün dövrə simvollarını xülasə edir. JFET semboldesindeki oklar bazen Kaynak terminaline taşınır.
Bir kanal yaradılır və tranzistor qapıdan mənbəyə gərginlik eşik voltajını pozduqda AÇIKdır (VT MOSFET və Vp JFETs üçün). Üçüncü n-kanal qurğuları, kanal zaman yaradılır
(33)
Alternativ olaraq p-kanal qurğuları, kanal zaman yaradılır
(34)
Ebar NMOS-nun inkişafı üçün, pozğunluq PMOS, və p-kanal JFET. NMOS tükənməsi, PMOS-nun inkişafı və n- kanal JFET.
Transistorun fəaliyyət göstərməsi üçün triode rayonu, qaynaqdan qaynaqlanan gerilim aşağıdakı bərabərsizliklərə uymalıdır:
Üçün n-kanal MOSFETs və ya JFETs,
(35)
Üçün p- kanal MOSFETs və ya JFETs, əksinə doğrudur. Yəni triod bölgəsində fəaliyyət göstərmək üçün,
(36)
Hər iki halda, əgər bərabərsizliyə riayət edilmirsə, tranzistor olduqda doyma bölgəsində fəaliyyət göstərir.
Bu əlaqələr Cədvəl 1-da öz əksini tapmışdır.
İndi MOSFET və JFET üçün axın cərəyanının tənliklərindəki oxşarlığı göstəririk. Doyma bölgəsində, MOSFET üçün boşaltma axını [Denklem 8 (Fəsil: “2. Metal oksidli yarımkeçirici FET (MOSFET)”)],
(37)
hara K tərəfindən verilir,
JFET vəziyyətində, ekvivalent [Denklem 20 (Fəsil: “3. Qovşaq sahə effektli tranzistor (JFET)”)].
(38)
Bu, MOSFET üçün bərabərliyə bərabərdir VT bərabərdir Vp, və sabitləri bərabərləşdirin,
(39)
Eyni ekvivalentlik triod bölgəsi üçün də doğrudur. MOSFET üçün drenaj cərəyanı tənliyini təqdim etdik [bax Denklem 4 (Fəsil: “2. Metal oksidli yarımkeçirici FET (MOSFET)”)
(40)
Bu eyni tənlik JFET-in əvəzlənməsi ilə bağlıdır Vp üçün VTvə dəyəri K (39) tənlikində verilmişdir.
Xülasə olaraq, MOSFET və JFET üçün tənliklərdəki yeganə fərq sabit olan dəyərlərdir Kvə MOSFET-də olan eşik voltajının JFET-də qısır-kəsmə gərginliyinə bərabər olması.