1. Предимства и недостатъци на БНТ
Предимствата на БНТ по отношение на BJTs са обобщени, както следва:
- FETs са чувствителни на напрежение устройства с високо входно съпротивление (по реда на 107 да 1012 Ω). Тъй като този входен импеданс е значително по-висок от този на BJT, FETs са предпочитани пред BJTs за използване като входен етап към многоетапен усилвател.
- Един клас на FETs (JFETs) генерира по-нисък шум от BJTs.
- БНТ са по-стабилни от температурата, отколкото BJTs.
- По принцип е по-лесно да се произведат БНТ от БДТ. По-голям брой устройства могат да бъдат произведени на един чип (т.е. увеличени плътност на опаковката е възможно).
- FETs реагират като управляеми с напрежение променливи резистори за малки стойности на напрежението на източване към източник.
- Високият импеданс на входа на БНТ им позволява да съхраняват заряда достатъчно дълго, за да могат да се използват като елементи за съхранение.
- Мощност FETs може да разсее голяма мощност и може да превключва големи токове.
- БНТ не са толкова чувствителни към радиацията като BJTs (важно съображение за космически електронни приложения).
Има няколко недостатъка, които ограничават използването на FETs в някои приложения. Това са:
- FETs усилвателите обикновено показват лоша честотна характеристика поради високия входен капацитет.
- Някои видове FETs показват слаба линейност.
- FETs могат да бъдат повредени при работа поради статично електричество.