၁။ FET ၏အားသာချက်များနှင့်အားနည်းချက်များ
အောက်မှာဖေါ်ပြတဲ့အတိုင်း BJTs မှဆွေမျိုး FETs ၏အားသာချက်များကိုအကျဉ်းချုံးထားပါသည်:
- FETs 10 ၏အမိန့်အပေါ်မြင့်မားတဲ့ input ကို impedance နှင့်အတူဗို့-အထိခိုက်မခံ devices များ (များမှာ7 10 မှ12 Ω) ။ ဒီ input ကို impedance BJTs ၏ထက်သိသိသာသာမြင့်မားကတည်းက FETs တစ် multistage အသံချဲ့စက်ဖို့ input ကိုစင်မြင့်အဖြစ်အသုံးပြုရန် BJTs ကျော်ပိုမိုနှစ်သက်ကြသည်။
- FETs တစ်ခုမှာလူတန်းစား (JFETs) BJTs ထက်နိမ့်ဆူညံသံကိုထုတ်ပေးပါတယ်။
- FETs BJTs ထက်တည်ငြိမ်ပိုပြီးအပူချိန်ဖြစ်ကြသည်။
- FETs ယေဘုယျအား BJTs ထက်လီဆယ်ဖို့ပိုပြီးလွယ်ကူဖြစ်ကြသည်။ devices များပိုမိုနံပါတ်များကိုတိုးမြှင့်တစ်ခုတည်း chip ကို (ဆိုလိုသည်မှာပေါ်တွင်လုပ်ကြံနိုင်ပါသည် ထုပ်ပိုးသိပ်သည်းဆ ) ဖြစ်နိုင်ပါတယ်။
- FETs ယိုစီးမှု-to-source ကိုဗို့အား၏သေးငယ်တဲ့တန်ဖိုးများများအတွက်ဗို့-controlled variable ကို resistors တူသောတုံ့ပြန်။
- FETs ၏မြင့် input ကို impedance ရှည်လျားအလုံအလောက်သူတို့ကိုသိုလှောင်မှုဒြပ်စင်အဖြစ်အသုံးပြုခံရဖို့ခွင့်ပြုတာဝန်ခံတွေကိုသိမ်းဆည်းဖို့သူတို့ကိုခွင့်ပြုသည်။
- Power က FETs မြင့်သောအာဏာကိုငျ့သှားနိုငျပါနဲ့ကြီးမားတဲ့ရေစီးကြောင်းပြောင်းနိုင်သည်။
- FETs BJTs (အာကာသအီလက်ထရောနစ် application များအတွက်အရေးပါသောထည့်သွင်းစဉ်းစား) အဖြစ်ဓါတ်ရောင်ခြည်ကြောင့်အထိခိုက်မခံမရှိကြပေ။
အချို့ applications များအတွက် FETs ၏အသုံးပြုမှုကိုကန့်သတ်ကြောင်းအတော်ကြာအားနည်းချက်များရှိနေပါသည်။ ဤအရာများသည်:
- FETs ချဲ့စက်များများသောအားဖြင့်မြင့်မားသောကြောင့် input ကို capacitance ၏ဆင်းရဲသားကိုအကြိမ်ရေတုံ့ပြန်မှုပြ။
- FETs ၏အချို့အမျိုးအစားများကိုဆင်းရဲသောသူသည် Linear ပြ။
- FETs ငြိမ်လျှပ်စစ်မီးကြောင့်ကိုင်တွယ်အတွက်ပျက်စီးစေနိုင်သည်။