FET-TINA နှင့် TINACloud အရင်းအမြစ်များ၏အားသာချက်များနှင့်အားနည်းချက်များ

အောက်မှာဖေါ်ပြတဲ့အတိုင်း BJTs မှဆွေမျိုး FETs ၏အားသာချက်များကိုအကျဉ်းချုံးထားပါသည်:

FETs 10 ၏အမိန့်အပေါ်မြင့်မားတဲ့ input ကို impedance နှင့်အတူဗို့-အထိခိုက်မခံ devices များ (များမှာ⁷ 10 မှ¹² Ω) ။ ဒီ input ကို impedance BJTs ၏ထက်သိသိသာသာမြင့်မားကတည်းက FETs တစ် multistage အသံချဲ့စက်ဖို့ input ကိုစင်မြင့်အဖြစ်အသုံးပြုရန် BJTs ကျော်ပိုမိုနှစ်သက်ကြသည်။
FETs တစ်ခုမှာလူတန်းစား (JFETs) BJTs ထက်နိမ့်ဆူညံသံကိုထုတ်ပေးပါတယ်။
FETs BJTs ထက်တည်ငြိမ်ပိုပြီးအပူချိန်ဖြစ်ကြသည်။
FETs ယေဘုယျအား BJTs ထက်လီဆယ်ဖို့ပိုပြီးလွယ်ကူဖြစ်ကြသည်။ devices များပိုမိုနံပါတ်များကိုတိုးမြှင့်တစ်ခုတည်း chip ကို (ဆိုလိုသည်မှာပေါ်တွင်လုပ်ကြံနိုင်ပါသည် ထုပ်ပိုးသိပ်သည်းဆ ) ဖြစ်နိုင်ပါတယ်။
FETs ယိုစီးမှု-to-source ကိုဗို့အား၏သေးငယ်တဲ့တန်ဖိုးများများအတွက်ဗို့-controlled variable ကို resistors တူသောတုံ့ပြန်။
FETs ၏မြင့် input ကို impedance ရှည်လျားအလုံအလောက်သူတို့ကိုသိုလှောင်မှုဒြပ်စင်အဖြစ်အသုံးပြုခံရဖို့ခွင့်ပြုတာဝန်ခံတွေကိုသိမ်းဆည်းဖို့သူတို့ကိုခွင့်ပြုသည်။
Power က FETs မြင့်သောအာဏာကိုငျ့သှားနိုငျပါနဲ့ကြီးမားတဲ့ရေစီးကြောင်းပြောင်းနိုင်သည်။
FETs BJTs (အာကာသအီလက်ထရောနစ် application များအတွက်အရေးပါသောထည့်သွင်းစဉ်းစား) အဖြစ်ဓါတ်ရောင်ခြည်ကြောင့်အထိခိုက်မခံမရှိကြပေ။

အချို့ applications များအတွက် FETs ၏အသုံးပြုမှုကိုကန့်သတ်ကြောင်းအတော်ကြာအားနည်းချက်များရှိနေပါသည်။ ဤအရာများသည်:

FETs ချဲ့စက်များများသောအားဖြင့်မြင့်မားသောကြောင့် input ကို capacitance ၏ဆင်းရဲသားကိုအကြိမ်ရေတုံ့ပြန်မှုပြ။
FETs ၏အချို့အမျိုးအစားများကိုဆင်းရဲသောသူသည် Linear ပြ။
FETs ငြိမ်လျှပ်စစ်မီးကြောင့်ကိုင်တွယ်အတွက်ပျက်စီးစေနိုင်သည်။

PREVIOUS- ကွင်းဆင်း-အကျိုးသက်ရောက်မှုကို transistor ချဲ့စက်များ: နိဒါန်း

NEXT- 2 ။ metal-oxide ကိုဆီမီးကွန်ဒတ်တာ FET (MOSFET)