Free SPICE 模拟与建模课程

SPICE, SPICE, SPICE 当您进行电子电路仿真时，您总是会听到这些神奇的话。 这是什么，为什么如此重要？ 我们将在此免费的Internet课程中对此进行解释，并教您如何为仿真软件使用，添加和创建复杂的设备模型。 在我们的材料中，我们将为您提供TINA和TINACloud软件，以演示我们将创建的电路和模型，但是我们将 SPICE 模型和电路适用于大多数 SPICE 模拟器没有任何变化。

历史回顾 SPICE

创新中心 SPICE 今天使用

创建 SPICE 迟滞比较器的模型

创建 SPICE 实用门极驱动器的模型

添加 SPICE TINA和TINACloud的模型

.MODEL-模型定义

.PARAM-参数定义

.SUBCKT-子电路说明

C –电容器

D –二极管

E –电压控制电压源，G –电压控制电流源

F –电流控制电流源，H –电流控制电压源

I –独立电流源，V –独立电压源

J –结型场效应管

K –电感耦合（变压器铁芯）

L –电感器

M - MOSFET

N –数字输入

O –数字输出

Q –双极晶体管

R –电阻

S –电压控制开关

T –传输线

W –电流控制开关

X –子回路呼叫

U –数字基元

Y –蒂娜基元

源–瞬态源描述

功能–表达式中的函数

---

历史回顾 SPICE

Spice 模拟是1973年在加利福尼亚大学伯克利分校开发的一种电路模拟方法。伯克利分校的最新3f5版本 Spice 于1993年发行。Berkely Spice 作为学术界和行业中大多数电路仿真程序的基础。 今天的 Spice 模拟器当然比原始的Berkely更先进，更复杂 Spice 模拟器并以多种方式扩展。 的一大优势 Spice 模拟，半导体制造商使用以下方法为其产品提供大型免费库 Spice 型号，其中最 Spice 模拟器可以打开并使用。

创新中心 SPICE 今天使用

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添加 SPICE TINA和TINACloud的模型

您可以在以下位置找到更多教程

.MODEL-模型定义

通用格式：

。模型 [AKO： ]  

+（[<参数名称> = [公差规格] *）

 。模型 语句描述了一组设备参数，这些参数在网络列表中用于某些组件。   是组件使用的型号名称。   是设备类型，并且必须是以下之一：

跟随  是描述设备型号的参数列表。 无，任何或所有参数都可以分配值，未分配的参数采用默认值。 参数名称，含义和默认值的列表位于各个设备的说明中。  

LT和SIMetrix使用A设备表示数字图元。

示例：

。模型RMAX RES（R = 1.5 TC1 = 0.0002 TC2 = 0.005）

。型号DNOM D（IS = 1E-9）

。型号QDRIV NPN（IS = 1E-7 BF = 30）

。模型QDR2 AKO：QDRIV NPN（BF = 50 IKF = 50m）

.PARAM-参数定义

通用格式：

    .参数 < = > *

    .参数 < = { }> *

 .参数 语句定义参数的值。 在电路说明中，可以使用参数名称代替大多数数字值。 参数可以是常量，也可以是包含常量的表达式，也可以是它们的组合，并且它们可以包含其他参数。

预定义参数： 温度，VT，GMIN，TIME，S，  PI，E

示例：

.PARAM VCC = 12V，VEE = -12V

.PARAM BANDWIDTH = {100kHz / 3}

.PARAM PI = 3.14159，TWO_PI = {2 * 3.14159}

.PARAM VNUM = {2 * TWO_PI}

.SUBCKT-子电路说明

通用格式：

.SUBCKT [节点]* 

+ [可选：< = > *]

+ [PARAMS：< = > *]

.SUBCKT 声明将描述网表的子电路，直到 .ENDS 命令。 子电路由命令在网表中调用， X.   是子电路的名称。  [节点]* 是仅在子电路本地且用于顶层连接的可选节点列表。 子电路调用可以嵌套（可以有 X 内）。 但是，子电路不能嵌套（否 .SUBCKT 内）。

例如：:

.SUBCKT 运算放大器 1 2 101 102 17

...

.ENDS

.SUBCKT滤波器输入输出参数：CENTER = 100kHz，

+带宽= 10kHz

...

.ENDS

.SUBCKT 74LS00 ABY

+可选：DPWR = $ G_DPWR DGND = $ G_DGND

+参数：MNTYMXDLY = 0 IO_LEVEL = 0

...

.ENDS

C –电容器

通用格式：

C <+节点> <-节点> [型号名称] [IC = ]

[型号名称] 是可选的，如果不包含则  是法拉的电容。 如果 [型号名称] 指定电容，则电容由下式给出：

Ctot = |值| * C * [1+ TC1 *（T-Tnom）+ TC2 *（T-Tnom）²]

哪里 C, TC1及 TC2 如下所述。  to 是总电容。   T 是模拟温度。 和 汤姆 是标称温度（27°C，除非在Analysis.Set Analysis对话框中通过设置）

 可以是正数或负数。

[IC = ] 给出PSPICE 偏置点计算期间对电容器两端电压的初始猜测，这是可选的。

产品型号	产品描述
C	电容倍增器
TC1	线性温度系数
TC2	二次温度系数

示例：

负载 15 0 20pF

C2 1 2 0.2E-12 IC = 1.5V

C3 3 33 CMOD 10pF

D –二极管

通用格式：

d <+节点> <-节点> [面积值] [关闭]

二极管由一个电阻值建模 R_S/[面积值] 与本征二极管串联。  <+节点> 是阳极， <-节点> 是阴极。 

[面积值]秤 IS, RS, 联合会及 乙型肝炎病毒 并且默认为1。  乙型肝炎病毒 和 BV 都是积极的。

产品型号	产品描述
AF	闪烁噪声指数
BV	反向击穿值
联合会	零偏置pn电容
EG	带隙电压
FC	正向偏置耗尽电容系数
乙型肝炎病毒	反向击穿电流
IS	饱和电流
KF	闪烁噪声系数
M	pn分级系数
N	发射系数
RS	寄生电阻
RZ	齐纳电阻（仅TINA）
TT	运输时间
VJ	pn电位
XTI	IS温度指数

P不支持OFF参数SPice.

例如：

直流钳位 14 0 DMOD

D13 15 17开关1.5

DBV1 3 9 DX 1.5关闭

E –电压控制电压源，G –电压控制电流源

通用格式：

Ë <+节点> <-节点>

+ <+控制节点> <-控制节点>

Ë <+节点> <-节点> POLY（ ）

+ <<+控制节点>，<-控制节点>> * 

+ < > *

Ë <+ <-节点> VALUE = { }

Ë <+ <-节点> TABLE { } =

+ < ， > *

Ë <+节点> <-节点> LAPLACE { } =

+ { }

Ë <+节点> <-节点> FREQ { } = 

+ < ， ， > *

每种格式都声明一个电压源，其大小与节点之间的电压差有关 <+控制节点> 和 <-控制节点>。 第一种格式定义线性情况，其他格式定义非线性情况。

 拉普拉斯 和 FREQ 受控源的模式只能在AC模式下使用。

FREQ模式在LT和SIMetrix中不可用

LAPLACE模式通过S域传递功能块SIMetrix实现。

示例：

埃布夫10 11 1 2 1.0

扩大13 0 POLY（1）26 0 0 500

ENONLIN 100 POLY（101）2 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2

ESQROOT 5 0值= {5V * SQRT（V（3,2））}

ET2 2 0表格{V（阳极，阴极）} =（0,0）（30,1）

ERC 5 0 LAPLACE {V（10）} = {1 /（1 + .001 * s）}

低通5 0频率{V（10）} =（0,0,0）（5kHz，0,0）（6kHz -60，0）

F –电流控制电流源，H –电流控制电压源

通用格式：

F <+节点> <-节点> 

+

or

F <+节点> <-节点> POLY（ ）

+ < > * 

+ < > *

两种格式都声明一个电流源，其大小与通过的电流有关 .

第一种形式产生线性关系。 第二种形式产生非线性响应。  

例如：:

FSENSE 1 2 VSENSE 10.0

板面13 0 POLY（1）VIN 0

FNONLIN 100 POLY（101）碳纳米管VCINTRL2 1 2 0.0 13.6

I –独立电流源，V –独立电压源

通用格式：

一世<+节点> <-节点> 

+ [[DC] ]

+ [AC [相位值]

+ [暂态规范]

电流源有三种类型。 DC, AC或瞬时来源。

DC 源提供恒定大小电流的电流源。  DC 来源用于补给或用于。DC 分析。

AC 来源用于 .AC 分析。 源的大小由下式给出 。 源的初始相位由[phase]给出，默认相位为0。  

瞬态源是其输出随仿真时间而变化的源。 这些主要用于瞬态分析， .TRAN.

瞬态源必须定义为以下之一：

EXP |参数|

脉冲|参数|

PWL |参数|

SFFM |参数|

SIN |参数|

示例：

IBIAS 13 0 2.3mA

国际交流电 2 3 交流电 0.001

IACPHS 2 3交流0.001 90

VPULSE 1 0脉冲（-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns）

V3 26 77 DC 0.002 AC 1 SIN（0.002 0.002 1.5MEG）

J –结型场效应管

通用格式：

Ĵ [区域] [关闭]

J 声明一个JFET。 JFET被建模为具有欧姆电阻（RD / {area}）与漏极串联，欧姆电阻（RS / {area}）与电源串联，欧姆电阻（RG）与闸门串联。

{区}（可选）是相对设备区域。 默认是1。

产品型号	产品描述
AF	闪烁噪声指数
BETA	跨导系数
贝塔斯	BETA指数温度系数
CGD	栅漏零偏置pn电容
CGS	栅源零偏置pn电容
EG	带隙电压（仅TINA）
IS	栅极pn饱和电流
KF	闪烁噪声系数
LAMBDA	信道长度调制
M	门 PN 分级系数
PB	门 PN 潜力
RD	漏极欧姆电阻
RS	源极欧姆电阻
门口机	临界电压
职训局	VTO温度系数

P不支持OFF参数SPice.

例如：:

金100 1 0

J13 22 14 23 JNOM 2.0

JA3 3 9 JX 2关闭

K –电感耦合（变压器铁芯）

通用格式：

ķ 大号 > *

+

ķ > *

+ [大小值]

K 将两个或多个电感耦合在一起。 使用点约定，在每个电感器的第一个节点上放置一个点。 这样，耦合电流相对于驱动电流将具有相反的极性。

 是互耦系数，必须在0到1之间。 [大小值] 缩放磁性横截面，默认为1。

如果型号名称> 目前有4件事发生了变化： 

1.互耦合电感器成为非线性磁芯。

2.使用Jiles-Atherton模型分析核心的BH特性。

3.电感变成绕组，因此指定电感的数字现在表示匝数。

4.耦合电感的列表可能只是一个电感。

产品型号	产品描述
A	形状参数
国家 / 地区	平均磁截面
C	畴壁挠曲系数
GAP的	有效气隙长度
K	畴壁钉扎常数
MS	磁化饱和
PACK	包装（堆积）系数
PATH	平均磁路长度

MTT综合医学训练疗法国际教学中心^nd LT和SIMetrix不支持表单。 

在SIMetrix中，只能使用2个电感，如果要耦合更多，则需要为每种组合创建一个单独的耦合命令。

示例：

KTUNNED L3OUT L4IN .8

KTRNSFRM初级LSECNDRY 1

KXFRM L1 L2 L3 L4 .98 KPOT_3C8

L –电感器

通用格式：

大号<+节点> <-节点> [型号名称] [IC = ] 

L定义一个电感。  <+节点> 和 <-节点> 定义正压降的极性。  

 可以是正数或负数，但不能为0。

[型号名称] 是可选的。 如果省略，电感的电感为  亨利。

如果[型号名称] 包括在内，则总电感为：

Ltot = |值| * L *（1 + TC1 *（T-Tnom）+ TC2 *（T-Tnom）²)

哪里 L, TC1及 TC2 在模型声明中定义， T 是模拟的温度，并且  汤姆 是标称温度（27°C，除非 在Analysis.Set分析对话框中)

[IC = ] 是可选的，如果使用的话，它定义了当P时通过电感器的电流的初始猜测SPICE 尝试找到偏差点。

产品型号	产品描述
L	电感倍增
TC1	线性温度系数
TC2	二次温度系数

示例：

L2 1 2 0.2E-6

L4 3 42 LMOD 0.03

L31 5 12 2U IC = 2mA

M - MOSFET

通用格式：

中号

+ [L = ] [W = ] [AD = |值|] [AS = |值|]

+ [PD = ] [PS = ] [NRD = |值|] [NRS = |值|]

+ [NRG = ] [NRB =

M定义了MOSFET晶体管。 MOSFET被建模为具有与漏极，源极，栅极和衬底（体）串联的欧姆电阻的本征MOSFET。 还有一个分流电阻（RDS）与漏极-源极通道并联。  

L 和 W 通道的长度和宽度。  L 减少了 2 * LD 和 W 减少了 2 * WD 以获得有效的通道长度和宽度。 L 和 W 可以在device语句，模型或 。选项 命令。 device语句优先于模型，模型优先于模型 。选项.

AD 和 AS 是漏极和源极扩散区。  PD 和 PS 是漏极和源极扩散参数。 漏极和源极的饱和电流可以通过以下方式指定： JS （依次乘以 AD 和 AS），或者通过 IS （绝对值）。 零偏置耗尽电容可以通过 CJ，乘以 AD 和 AS，并通过 中央社校，乘以 PD 和 PS，或通过 CBD 和 CBS，这是绝对值。  GDR, NRS, NRG及 NRB 是它们各自端子的电抗率，以正方形表示。 可以通过以下方式指定这些寄生虫： RSH （依次乘以 GDR, NRS, NRG及 NRB）或通过绝对阻力 RD, RG, RS及 RB。 的默认值 L, W, AD及 AS 可以使用 。选项 命令。 如果 。选项 不使用它们的默认值分别是100u，100u，0和0

M 是一个并行设备倍增器（默认= 1），它可以并行模拟多个设备的效果。 MOSFET的有效宽度，重叠电容和结电容以及结电流乘以 M。 寄生电阻值（例如RD和RS）除以 M. 

LEVEL= 1 Shichman-Hodges模型

LEVEL= 2基于几何的解析模型

LEVEL= 3半经验的短通道模型

LEVEL= 7 BSIM3模型版本3 

等级1

产品型号	产品描述
AF	闪烁噪声指数
CBD	体漏零偏置pn电容
CBS	体源零偏置pn电容
CGBO	栅-衬底重叠电容/沟道长度
总务部	栅漏重叠电容/沟道宽度
总务处	栅源重叠电容/沟道宽度
CJ	体pn零偏置底部电容/面积
中央社校	体pn零偏置底部电容/面积
FC	体pn正向电容系数
GAMMA	体阈值参数
IS	体pn饱和电流
JS	体pn饱和电流/面积
KF	闪烁噪声系数
KP	跨导
L	通道长度
LAMBDA	信道长度调制
LD	横向扩散（长度）
LEVEL	型号类型
MJ	体pn底部分级系数
麻省理工学院	体pn侧壁梯度系数
N	体pn发射系数
新高中	表面态密度
南北	衬底掺杂密度
PB	体pn势
PHI	表面电位
RB	基板欧姆电阻
RD	漏极欧姆电阻
RDS	漏源欧姆电阻
RG	栅极欧姆电阻
RS	源极欧姆电阻
RSH	漏极，源极扩散薄层电阻
毒物	氧化物厚度
TPG	浇口材料类型：+1 =相对，-1 =相同，0 =铝
UO	表面迁移率
门口机	零偏置阈值电压
W	信道宽度

等级2

产品型号	产品描述
AF	闪烁噪声指数
CBD	体漏零偏置pn电容
CBS	体源零偏置pn电容
CGBO	栅-衬底重叠电容/沟道长度
总务部	栅漏重叠电容/沟道宽度
总务处	栅源重叠电容/沟道宽度
CJ	体pn零偏置底部电容/面积
中央社校	体pn零偏置底部电容/面积
DELTA	宽度对阈值的影响
FC	体pn正向电容系数
GAMMA	体阈值参数
IS	体pn饱和电流
JS	体pn饱和电流/面积
KF	闪烁噪声系数
KP	跨导
L	通道长度
LAMBDA	信道长度调制
LD	横向扩散（长度）
LEVEL	型号类型
MJ	体pn底部分级系数
麻省理工学院	体pn侧壁梯度系数
N	体pn发射系数
NEFF	通道电荷系数
NFS的	快速表面态密度
新高中	表面态密度
南北	衬底掺杂密度
PB	体pn势
PHI	表面电位
RB	基板欧姆电阻
RD	漏极欧姆电阻
RDS	漏源欧姆电阻
RG	栅极欧姆电阻
RS	源极欧姆电阻
RSH	漏极，源极扩散薄层电阻
毒物	氧化物厚度
TPG	浇口材料类型：+1 =相对，-1 =相同，0 =铝
UCRIT	迁移率降低临界场
用户体验计划	迁移率下降指数
UO	表面迁移率
VMAX	最大漂移速度
门口机	零偏置阈值电压
W	信道宽度
XJ	冶金结深度

等级3

产品型号	产品描述
AF	闪烁噪声指数
ALPHA	阿尔法
CBD	体漏零偏置pn电容
CBS	体源零偏置pn电容
CGBO	栅-衬底重叠电容/沟道长度
总务部	栅漏重叠电容/沟道宽度
总务处	栅源重叠电容/沟道宽度
CJ	体pn零偏置底部电容/面积
中央社校	体pn零偏置底部电容/面积
DELTA	宽度对阈值的影响
ETA	静态反馈
FC	体pn正向电容系数
GAMMA	体阈值参数
IS	体pn饱和电流
JS	体pn饱和电流/面积
KAPPA	饱和场因子
KF	闪烁噪声系数
KP	跨导
L	通道长度
LD	横向扩散（长度）
LEVEL	型号类型
MJ	体pn底部分级系数
麻省理工学院	体pn侧壁梯度系数
N	体pn发射系数
NFS的	快速表面态密度
新高中	表面态密度
南北	衬底掺杂密度
PB	体pn势
PHI	表面电位
RB	基板欧姆电阻
RD	漏极欧姆电阻
RDS	漏源欧姆电阻
RG	栅极欧姆电阻
RS	源极欧姆电阻
RSH	漏极，源极扩散薄层电阻
THETA	迁移率调制
毒物	氧化物厚度
TPG	浇口材料类型：+1 =相对，-1 =相同，0 =铝
UO	表面迁移率
VMAX	最大漂移速度
门口机	零偏置阈值电压
W	信道宽度
XD	系数
XJ	冶金结深度

等级7

产品型号	产品描述
手机模组	流动性模型选择器
CAP模块	短通道电容模型的标志
国家质检总局	NQS模型的标志
诺莫德	噪声模型的标志
宾尼	垃圾箱单位比例选择器
AF	闪烁噪声指数
CGBO	栅-衬底重叠电容/沟道长度
总务部	栅漏重叠电容/沟道宽度
总务处	栅源重叠电容/沟道宽度
CJ	体pn零偏置底部电容/面积
中央社校	体pn零偏置底部电容/面积
JS	体pn饱和电流/面积
KF	闪烁噪声系数
L	通道长度
LEVEL	型号类型
MJ	体pn底部分级系数
麻省理工学院	体pn侧壁梯度系数
PB	体pn势
RSH	漏极，源极扩散薄层电阻
W	信道宽度
A0	通道长度的大电荷效应系数
A1	第一个非饱和效应参数
A2	第二个非饱和因子
AGS	Abulk的门偏系数
阿尔法0	冲击电离电流的第一个参数
B0	通道宽度的大电荷效应系数
B1	批量电荷效应宽度偏移
BETA0	冲击电离电流的第二个参数
疾病预防控制中心	漏极/源极至通道耦合电容
中央银行	CDSC的身体偏向敏感性
光盘	CDSC的漏极偏置灵敏度
企业所得税	界面陷阱电容
DELTA	有效的Vds参数
退出	Rout中DIBL校正参数的L相关系数
数字子系统	亚阈值区域的DIBL系数指数
深静脉血栓0	短通道效应对阈值电压的第一系数
深静脉血栓0W	小通道长度的窄带效应对阈值电压的第一系数
深静脉血栓1	短通道效应对阈值电压的第二系数
深静脉血栓2	短通道效应对阈值电压的体偏系数
深静脉血栓1W	小沟道长度下窄带效应对阈值电压的第二系数
深静脉血栓2W	小通道长度的窄幅效应的人体偏置系数
数字宽带	衬底基体偏置系数与Weff的依赖关系
DWG	韦夫门相关系数
预计0	亚阈值区域的DIBL系数
埃塔布	亚阈值DIBL效应的体偏系数
JSW	单位长度的侧壁饱和电流
K1	一阶身体效应系数
K2	二阶身体效应系数
K3	窄宽度系数
K3B	K3的身体效应系数
凯达	体偏压系数
皮棉	IV的长度偏移拟合参数，无偏差
因子	阈下摆动系数
门	多晶硅栅掺杂浓度
NLX	横向非均匀掺杂参数
聚氯乙烯	信道长度调制参数
PDIBLC1	第一输出电阻DIBL效果校正参数
PDIBLC2	第二输出电阻DIBL效果校正参数
PDIBLCB	DIBL校正参数的人体效应系数
公共广播电台	RDSW的身体效应系数
工作组	RDSW的栅极偏置效应系数
PSCBE1	第一衬底当前体效应参数
PSCBE2	第二衬底当前体效应参数
聚乙二醇	早期电压的栅极依赖性
RDSW	单位宽度的寄生电阻
U0	温度= TNOM时的迁移率
UA	一阶迁移率退化系数
UB	二阶迁移率退化系数
UC	迁移率退化系数的人体效应
VBM	阈值电压计算中的最大施加体偏置
关断	W和L大的亚阈值区域中的失调电压
VSAT	温度= TNOM时的饱和速度
VTH0	大L的阈值电压@ Vbs = 0
W0	窄宽度参数
温特	IV的偏移量拟合参数，无偏差
WR	Weff的宽度偏移量，用于Rds计算
CF	边缘场电容
卡帕	轻掺杂区的系数重叠电容边缘场电容
CLC	短通道模型的常数项
CLE	短通道模型的指数项
CGDL	轻掺杂漏栅区重叠电容
CGSL	轻掺杂源极-栅极区域重叠电容
工作小组	每单位宽度的源极/漏极栅极侧壁结电容
DLC	CV的长度偏移拟合参数
DWC	CV的宽度偏移拟合参数
工作组	源极/漏极栅极侧壁结电容分级系数
公共广播电台	源极/漏极侧结内置电位
工作组	源极/漏极栅极侧壁结内置电位
VFBCCV	平带电压参数（仅对于CAPMOD = 0）
X部分	电荷分配率标志
LMAX	最大通道长度
最低限度	最小通道长度
最大	最大通道宽度
最小	最小通道宽度
EF	闪烁指数
EM	饱和场
NOIA	噪声参数A
诺伊	噪声参数B
诺伊克	噪声参数C
ELM	频道的Elmore常数
伽玛1	表面附近的身体效应系数
伽玛2	主体效应系数
NCH	沟道掺杂浓度
南北	衬底掺杂浓度
毒物	栅氧化层厚度
VBX	耗尽区= XT的Vbs
XJ	连接深度
XT	掺杂深度
AT	饱和速度温度系数
KT1	阈值电压的温度系数
KT1L	阈值电压温度系数的通道长度依赖性
KT2	阈值电压温度效应的体偏置系数
NJ	结发射系数
PRT	RDSW的温度系数
诺姆	提取参数的温度
UA1	UA的温度系数
UB1	UB的温度系数
UC1	UC温度系数
出去	迁移率温度指数
XTI	结电流温度指数系数
LL	长度依赖的长度偏移系数
LLN	长度依存度对长度偏移的影响
LW	长度偏移的宽度相关系数
LWL	长度和宽度系数长度偏移的交叉项
LWN	宽度依赖于长度偏移的幂
WL	宽度偏移的长度相关系数
无线网络	宽度偏移的长度依存度
WW	宽度偏移的宽度依赖性系数
WWL	长度和宽度系数宽度偏移的交叉项
世界网络	宽度偏移的宽度依存度

P不支持OFF参数SPice.

BSIM3是LT中的8级模型，

示例：

M1 14 2 13 0 PNOM L = 25u W = 12u

M13 15 3 0 0 强

M16 17 3 0 0 NX M = 2关闭

M28 0 2 100 NWEAK L = 100u W = 33u

+ AD = 288p AS = 288p PD = 60u PS = 60u NRD = 14 NRS = 24 NRG = 10 NRB = 0.5

N –数字输入

ñ

+

+ DGTLNET =

+

+ [IS =初始状态]

产品型号	产品描述
世卫组织	到高级节点的电容
CLO	到低电平节点的电容
S0NAME..S19NAME	状态0..19字符的缩写
S0TSW..S19TSW	状态0..19切换时间
S0RLO..S19RLO	状态0..19到低电平节点的电阻
S0RHI..S19RHI	状态0..19对高电平节点的抵抗

LT和SImetrix中不存在N设备

示例：

N1模拟DIGITAL_GND DIGITAL_PWR DIN74

+ DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD

NRESET 7 15 16 来自_TTL

O –数字输出

Ø

+ DGTLNET =

产品型号	产品描述
华立	0：每个时间步写1：更改时写
加载	输出电容
加载	输出电阻
S0NAME..S19NAME	状态0..19字符的缩写
S0VLO..S19VLO	状态0..19低电平电压
S0VHI..S19VHI	状态0..19高电平电压
名称	接口节点电压落在所有范围之外时施加的状态

O设备在LT中定义了有损传输线Spice 和Simetrix。

示例：

O12 ANALOG_NODE DIGITAL_GND DO74 DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD

OVCO 17 0 TO_TTL

Q –双极晶体管

通用格式：

问

+ [基材] [面积值] [关闭]

Q 在P中声明一个双极晶体管SPICE。 该晶体管被建模为具有与基极，集电极（RC / {面积值}），以及发射器（RE / {面积值}).  {基质} node是可选的，默认值为ground。 {面积价值} 是可选的（用于缩放设备），默认值为1。参数 ISE 和 ISC的 可以设置为大于1。 IS （即 ISE * IS).

P不支持OFF参数SPice.

级别1：Gummel-Poon模型

产品型号	产品描述
AF	闪烁噪声指数
BF	理想的最大正向beta
BR	理想的最大反向beta
CJC	基极-集电极零偏置pn电容
电子工程师协会	基极-发射极零偏置pn电容
CJS	集电极-衬底零偏置pn电容
EG	带隙电压（势垒高度）
FC	正向偏置耗尽电容器系数
IKF	正向beta高电流滚落的角落
IKR	反向beta大电流滚降的转角
IS	pn饱和电流
ISC的	基极-集电极泄漏饱和系数
ISE	基极-发射极泄漏饱和电流
国际空间站	基板pn饱和电流
KF	闪烁噪声系数
澳门赛马会	基极-PN分级系数
梅杰	基发射极pn分级系数
麻省理工学院	集电极-基底pn分级系数
NC	基极-集电极泄漏发射系数
NE	基极-发射极泄漏发射系数
NF	正向电流发射系数
NR	反向电流发射系数
NS	底物pn发射系数
全要素生产率	1 /（2 * PI * TF）Hz时出现过剩相位。
RB	零偏置（最大）基极电阻
成果管理	最小基极电阻
RC	集电极欧姆电阻
RE	发射极欧姆电阻
TF	理想的向前运输时间
TR	理想逆行时间
VAF	正向早期电压
VAR	反向早期电压
VJC	内置电位的基极收集器
VJE	内置电位的基极发射极
虚拟JS	集电极-衬底内置电位
可变频率传输函数	对VBC的渡越时间依赖性
徐家汇	连接到RB内部的CJC部分
XTB	正反偏压温度系数
XTF	渡越时间偏差依赖系数
XTI	IS温度影响指数

示例：

Q1 14 2 13 PNPNOM

Q13 15 3 0 1 NPN 强 1.5

Q7 VC 5 12 [SUB] LATPNP

QN5 1 2 3 QX关闭

R –电阻

通用格式：

[R <+节点> <-节点> [型号名称] 

+ [TC = [， ]]

 <+节点> 和 <-节点> 根据电阻两端的电压降定义电阻的极性。  

{model name}是可选的，如果不包括，则| value | 是以欧姆为单位的电阻。 如果 [型号名称] 被指定并且 三氯乙烯 未指定，则电阻由下式给出：

Rtot = |值| * R * [1 + TC1 *（T-Tnom））+ TC2 *（T-Tnom）²]

哪里 R, TC1及 TC2 如下所述。  罗托 是总阻力。  V 是电阻两端的电压。  T 是模拟温度。 和 汤姆 是标称温度（27°C，除非在Analysis.Set Analysis对话框中）

If 三氯乙烯 指定电阻，则电阻由下式给出：

Rtot = |值| * R * 1.01^{（TCE *（T-Tnom））}

 可以是正数或负数。

产品型号	产品描述
R	电阻倍增器
TC1	线性温度系数
TC2	二次温度系数
三氯乙烯	指数温度系数

示例：

读取负载15 0 2K

R2 1 2 2.4E4 TC = 0.015，-0.003

RA34 3 33 RMOD 10K

S –电压控制开关

通用格式：

小号<+交换节点> <-交换节点> 

+ <+控制节点> <-控制节点> | 

S 表示压控开关。 之间的阻力 <+交换节点> 和 <-交换节点> 取决于之间的电压差 <+控制节点> 和 <-控制节点>。 电阻在 RON 和 关闭.

RON 和 关闭 必须大于零且小于 最小值 （在 。选项 命令）。 有价值的电阻 1 / GMIN 连接在控制节点之间以防止它们浮动。 用于磁滞开关 VT，VH 否则必须使用 VON，VOFF

产品型号	产品描述
RON	抵抗
关闭	断开电阻
作者：	接通状态的控制电压
关断	关断状态下的控制电压
VT	阈值控制电压
VH	磁滞控制电压

示例：

S12 13 17 2 0 SMOD

设定5 0 15 3继电器

T –传输线

通用格式：

Ť <+ A端口> <-A端口> <+ B端口> <-B端口>

+ Z0 = [TD = ] [F = [NL = ]]

+ IC =

Ť <+ A端口> <-A端口> <+ B端口> <-B端口>

+ LEN = R = L =

+ G = C =

T 定义2端口传输线。 该设备是双向的理想延迟线。 这两个端口是 A 和 B 其极性由 + or – 标志。 第一种格式描述无损，第二种格式描述有损传输线。

如果定义有损线，则必须指定R，L，G，C参数中的至少两个，并且它们必须为非零。 支持的组合为：LC，RLC，RC，RG。 也不支持RL，也不支持nonyeo G expext（RG）。

可以使用LT中与O设备相同的参数来定义有损传输线Spice 和SImetrix

示例：

T1 1 2 3 4 Z0 = 220 TD = 115ns

T2 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 2.25MEG

T3 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 4.5MEG NL = 0.5

T4 1 2 3 4 LEN = 1 R = .311 L = 0.378u G = 6.27u C = 67.3p

W –电流控制开关

通用格式：

w ^ <+交换节点> <-交换节点> 

+ 

W表示电流控制开关。 之间的阻力 <+交换节点> 和 <-交换节点> 取决于流过控制源的电流 。 电阻在 RON 和 关闭.

RON 和 关闭 必须大于零且小于 最小值 （在 。选项 命令）。 值1 / GMIN的电阻器连接在控制节点之间，以防止其浮动。 用于磁滞开关 VT，VH 否则必须使用 VON，VOFF

产品型号	产品描述
RON	抵抗
关闭	断开电阻
ION	接通状态的控制电压
关	关断状态下的控制电压
IT	阈值控制电压
IH	磁滞控制电压

电流控制开关在SIMetrix中不可用

示例：

W12 13 17 VC WMOD

WRESET 5 0 VRESET继电器

X –子回路呼叫

通用格式：

X [节点]* [PARAMS：< = > *]

X 调用子电路 .   必须在某处定义 .SUBCKT 和 .ENDS 命令。 节点数（由[节点]*）必须保持一致。 引用的子电路插入到给定电路中，其中给定节点替换定义中的自变量节点。 子回路调用可以嵌套，但不能循环。

示例：

X12 100 DIFFAMP

XBUFF 13 15 UNITAMP

XFOLLOW IN OUT VCC VEE OUT 运算放大器

XFELT 1 2滤波器参数：CENTER = 200kHz

U –数字基元

ü [（ *）]

+

+ *

+

+ [MNTYMXDLY = ]

+ [IO_LEVEL = ]

支持的原语是：BUF，INV，XOR，NXOR，AND，NAND，OR，NOR，BUFA，INVA，XORA，NXORA，ANDA，NANDA，ORA，NORA，BUF3，BUF3A，JKFF，DFF，SRFF，DLTCH

混合模式不支持门阵列。

ü STIM（ ， ）

+

+ *

+

+ [IO_LEVEL = ]

+ [TIMESTEP = ]

闸门时序模型参数

产品型号	产品描述
TPLHM	延迟：从低到高，分钟
TPHLTY	延迟：从低到高，典型
TPLHMX	延迟：从低到高，最大
TPHLMN	延迟：从高到低，分钟
TPHLTY	延迟：高到低，典型
TPHLMX	延迟：从高到低，最大

锁存时序模型参数

产品型号	产品描述
DG	保持：门边缘之后的s / r / d，最小值
THTHTY	保持：栅极边缘后的s / r / d（典型值）
总谐波失真	保持：门边缘之后的s / r / d，最大值
TPDQLHMN	延迟：s / r / d至q / qb低至高，最小值
TPDQHTY	延迟：s / r / d至q / qb低至高，典型值
TPDQLHMX	延迟：s / r / d至q / qb低至高，最大
TPDQHLMN	延迟：s / r / d至q / qb高至低，最小值
TPDQHLTY	延迟：s / r / d至q / qb高至低，典型值
TPDQHLMX	延迟：s / r / d至q / qb HI至低，最大
TPGQLHM	延迟：栅极到q / qb低到高，最小值
TPGQHTY	延迟：栅极至q / qb低至高，典型值
TPGQLHMX	延迟：栅极到q / qb低到高，最大
TPGQHLMN	延迟：门控到q / qb到低，最小值
TPGQHLTY	延迟：栅极到q / qb到低电平，典型值
TPGQHLMX	延迟：门控到q / qb到低，最大
TPPCQLHMN	延迟：preb /​​ clrb至q / qb低至hi，min
TPPCQHTY	延迟：从preb /​​ clrb到q / qb到hi，典型值
TPPCQLHMX	延迟：preb /​​ clrb至q / qb低至高，最大
TPPCQHLMN	延迟：preb /​​ clrb至q / qb hi至低，最小值
TPPCQHLTY	延迟：preb /​​ clrb至q / qb hi至低，典型值
TPPCQHLMX	延迟：preb /​​ clrb至q / qb hi至低，最大
TSUDGMN	设置：s / r / d到门边缘，最小值
关注	设置：s / r / d至栅极边缘，典型值
TSUDGMX	设置：s / r / d到门边缘，最大值
中科院总医院	设置：preb /​​ clrb移至门边缘，最小值
苏普格蒂	设置：preb /​​ clrb高至门边缘，典型值
TSUPPCGHMX	设置：preb /​​ clrb高至门边缘，最大值
TWWPCLMN	最小preb /​​ clrb宽度低，最小
TWCLTY	最小preb /​​ clrb宽度低，典型
TWPCLMX	最小preb /​​ clrb宽度低，最大
东华三院	最小门宽hi，min
TWGTY	最小浇口宽度hi，典型值
东华三院	最小浇口宽度hi，max

边沿触发FF时序模型参数

产品型号	产品描述
总谐波失真	保持：clk / clkb边缘后的j / k / d，最小值
总谐波失真	保持：clk / clkb边缘后的j / k / d，典型值
总谐波失真	保持：clk / clkb边缘后最大j / k / d
TPCLKQLHMN	延迟：clk / clkb边缘到q / qb低到高，最小值
TPCLKQHTY	延迟：clk / clkb边缘到q / qb的低到高，典型值
TPCLKQLHMX	延迟：clk / clkb边缘到q / qb低到高，最大
TPCLKQHLMN	延迟：clk / clkb边缘到q / qb的高低，最小
TPCLKQHLTY	延迟：clk / clkb边缘到q / qb到低，典型值
TPCLKQHLMX	延迟：clk / clkb边缘到q / qb的高到低，最大
TPPCQLHMN	延迟：preb /​​ clrb至q / qb低至hi，min
TPPCQHTY	延迟：从preb /​​ clrb到q / qb到hi，典型值
TPPCQLHMX	延迟：preb /​​ clrb至q / qb低至高，最大
TPPCQHLMN	延迟：preb /​​ clrb至q / qb高低，最小值
TPPCQHLTY	延迟：preb /​​ clrb至q / qb高低，最小值
TPPCQHLMX	延迟：preb /​​ clrb至q / qb高低，最小值
TSUDCLKMN	设置：j / k / d至clk / clkb边缘，最小值
TSUDCLKTY	设置：j / k / d至clk / clkb边缘，典型
TSUDCLKMX	设置：最大j / k / d至clk / clkb边缘
TSUPCCLKHMN	设置：preb /​​ clrb高至clk / clkb边缘，最小值
TSUPC时钟	设置：preb /​​ clrb高至clk / clkb边缘，典型
TSUPC时钟HMX	设置：preb /​​ clrb调高至clk / clkb边缘，最大值
TWWPCLMN	最小preb /​​ clrb宽度低，最小
TWCLTY	最小preb /​​ clrb宽度低，典型
TWPCLMX	最小preb /​​ clrb宽度低，最大
TWCLKLMN	最小clk / clkb宽度最小值
TWCLKLMN	最小clk / clkb宽度低，典型
TWCLKLMN	最小clk / clkb宽度低，最大
TWCLKHMN	最小clk / clkb宽度最小
时钟	最小clk / clkb宽度hi，典型值
TWCLKHMX	最小clk / clkb宽度最大值
TSUCECLKMN	设置：使能时钟至时钟边缘，最小值
苏塞克蒂	设置：时钟使能到时钟沿，典型
TSUCECLKMX	设置：时钟使能到最大边缘
三七	保持：在时钟边缘后时钟使能，最小值
十亿美元	保持：在时钟边缘后时钟使能，典型值
THCECLKMX	保持：在时钟边缘后时钟使能，最大值

输入/输出模型参数

产品型号	产品描述
硬盘录像机	输出高电平电阻
极低速	输出低电平电阻
录像带	输出Z态泄漏电阻
INLD	输入负载电容
INR	输入负载电阻
外展	输出负载电容
TPWRT	脉冲宽度抑制阈值
斯托曼	将网模拟为费用的最短存储时间
TSWHL1	DtoA1的切换时间从高到低
TSWHL2	DtoA2的切换时间从高到低
TSWHL3	DtoA3的切换时间从高到低
TSWHL4	DtoA4的切换时间从高到低
TSWLH1	DtoA1从低到高的切换时间
TSWLH2	DtoA2从低到高的切换时间
TSWLH3	DtoA3从低到高的切换时间
TSWLH4	DtoA4从低到高的切换时间
ATOD1	1级AtoD接口子电路的名称
ATOD2	2级AtoD接口子电路的名称
ATOD3	3级AtoD接口子电路的名称
ATOD4	4级AtoD接口子电路的名称
DTOA1	1级DtoA接口子电路的名称
DTOA1	2级DtoA接口子电路的名称
DTOA1	3级DtoA接口子电路的名称
DTOA1	4级DtoA接口子电路的名称
迪格威	电源子电路名称

U设备在LT和SIMetrix中不可用。 尽管两个模拟器都支持数字仿真。 SIMetrix使用的是X的高级版本SPICE 数字引擎，而LT拥有自己的数字支持。 两种仿真器均使用A设备表示数字图元。

示例：

U1 NAND（2）$ G_DPWR $ G_DGND 1 2 10 D0_GATE IO_DFT

U2 JKFF（1）$ G_DPWR $ G_DGND 3 5 200 3 3 10 2 D_293ASTD IO_STD

U3 INV $ G_DPWR $ G_DGND IN OUT D_INV IO_INV MNTYMXDLY = 3 IO_LEVEL = 2

Y –蒂娜基元

ÿ *

支持的型号名称为：VCO，SINE_VCO，TRI_VCO，SQUARE_VCO，AMPLI，AMPLI_GR，COMP，COMP_GR，COMP_GR_2INP，COMP_GR_3INP，COMP_GR_4INP，COMP_GR_NINP，CNTN_UDSR

VCO，SINE_VCO，TRI_VCO，SQUARE_VCO模型参数

产品型号	产品描述
中心频率
康凡
凤凰
奥坦普利
出口
英林
胰岛素
利蒙
义务教育
上升时间
秋季时间
MODE

AMPLI模型参数

产品型号	产品描述
获得
林
溃败
来源
出口银行
最大输出
最大资源
最大IOUT接收器
IS0
斜率
变率
滑落
飞行极1
飞行极2
VDROPOH
维德罗波尔
伏夫索姆
总成本
伊比诺
诺夫
库鲁
输出

AMPLI_GR模型参数

产品型号	产品描述
获得
林
溃败
来源
出口银行
最大输出
最大资源
最大IOUT接收器
斜率
变率
滑落
飞行极1
飞行极2
声音
输出电压
伏夫索姆
总成本
伊比诺
诺夫
库鲁
输出

COMP模型参数

产品型号	产品描述
获得
林
溃败
来源
出口银行
最大输出
最大资源
最大IOUT接收器
IS0
斜率
变率
滑落
延迟
延迟
延迟
甚高频
VHYST
VDROPOH
维德罗波尔
伏夫索姆
总成本
伊比诺
诺夫
库鲁
输出

COMP_GR模型参数

产品型号	产品描述
获得
林
溃败
来源
出口银行
最大输出
最大资源
最大IOUT接收器
斜率
变率
滑落
延迟
延迟
延迟
甚高频
VHYST
声音
输出电压
伏夫索姆
总成本
伊比诺
诺夫
库鲁
输出

COMP_GR_2INP，COMP_GR_3INP，COMP_GR_4INP，COMP_GR_NINP模型参数

产品型号	产品描述
获得
林
溃败
来源
出口银行
最大输出
最大资源
最大IOUT接收器
斜率
变率
滑落
延迟
延迟
延迟
声音
输出电压
伏夫索姆
总成本
伊比诺
诺夫
库鲁
输出
直流传输
逻辑功能
VTHRES1..VTHRES4
VHYST1..VHYST4

CNTN_UDSR模型参数

产品型号	产品描述
类型
外型
，
模型
戴尔2H
德尔H2L
锁扣
最大数量
CNT_模式
过时

示例：

Y1 IN1p IN1m IN2p IN2m Out Gnd Comp

源–瞬态源描述

瞬态声明有几种可用的来源。  

EXP –指数来源

通用格式：

EXP（| v1 | | v2 | | td1 | | td2 | | tc1 | | tc2 |）

 进出口 形式导致电压为 | v1 | 为了第一 | td1 | 秒。 然后它从 | v1 | 至 | v2 | 具有时间常数 | tc1 |。 持续增长 | td2 | – | td1 | 秒。 然后电压从 | v2 | 至 | v1 | 具有时间常数 | tc2 |.

产品型号	产品描述
v1	初始电压
v2	峰值电压
td1	上升延迟时间
tc1	上升时间常数
td2	下降延迟时间
tc2	下降时间常数

PULSE –脉冲源

通用格式：

脉冲（| v1 | | v2 | | td | | tr | | tf | | pw | | per |）

脉冲产生电压以开始 | v1 | 并在那里保持 | td | 秒。 然后电压从 | v1 | 至 | v2 | 为了下一个 | tr | 秒。 然后将电压保持在 | v2 |   | pw | 秒。 之后，它从 | v2 | 至 | v1 | in | tf | 秒。 它停留在 | v1 | 在以下给定的剩余时间内 |每|.

产品型号	产品描述
v1	初始电压
v2	脉冲电压
td	延迟时间
tr	上升时间
tf	下降时间
pw	脉冲宽度
为	期间

PWL –分段线性源

通用格式：

wl 

+ [TIME_SCALE_FACTOR =折扣值>]

+ [VALUE_SCALE_FACTOR =折扣值>]

+（角点)*

其中corner_points是：

        （ ， ）指定一个点

重复（corner_points）*

ENDREPEAT重复n>次

永远重复（corner_points）*

ENDREPEAT永远重复

PWL描述了分段线性格式。 每对时间/电压（即 | tn |, | vn |）指定波形的一个角。 拐角之间的电压是拐角处电压的线性内插。

产品型号	产品描述
tn	拐角时间
vn	转角电压

PWL的这种格式在SIMetrix中称为PWLS。

SFFM –单频FM源

通用格式：

SFFM（| voff | | vampl | | fc | | mod | | fm |）

SFFM 使电压信号跟随：       

v = voff +鞋面* sin（2π* fc * t + mod * sin（2π* fm * t））

哪里 伏夫, 瓦普尔, fc, MOD及 fm 在下面定义。  t 是时间。

产品型号	产品描述
伏夫	失调电压
瓦普尔	峰值振幅电压
fc	载频
MOD	调制指数
fm	调制频率

SIN –正弦波源

通用格式：

SIN（| voff | | vampl | | freq | | td | | df | | phase |）

SIN 创建一个正弦波源。 信号保持在 | vo |   | td | 秒。 然后，电压变成指数衰减的正弦波，其描述如下：

  v = voff + vampl * sin（2π *（频率*（t – td）–相位/ 360））* e^{-（（t – td）} * df）

产品型号	产品描述
伏夫	失调电压
瓦普尔	峰值振幅电压
频率	载频
td	延迟
df	阻尼因子
相	相

示例：

IRAMP 10 5 EXP（1 5 1 0.2 2 0.5）

VSW 10 5脉冲（1 5 1 0.1 0.4 0.5 2）

v1 1 2 PWL（0,1）（1.2,5）（1.4,2）（2,4）（3,1）

v2 3 4 PWL REPEAT FOR 5（1,0）（2,1）（3,0）ENDREPEAT

v4 7 8 PWL TIME_SCALE_FACTOR = 0.1

+永远重复（1,0）（2,1）（3,0）结束

V34 10 5 SFFM（2 1 8 4 1）

ISIG 10 5 SIN（2 2 5 1 1 30）

功能–表达式中的函数

支持的功能有：ABS，ACOS，ACOSH，ARCTAN，ASIN，ASINH，ATAN，ATAN2，ATANH，CEIL，COS，COSH，DDT，EXP，FLOOR，IF，IMG，LIMIT，LOG，LOG10，M，MAX，MIN， P，PWR，PWRS，R，SDT，SGN，SIN，SINH，SQRT，STP，TABLE，TAN，TANH

CEIL，TABLE在SIMetrix中不可用

STP在LT中不可用

IMG，M，P，R在SIMetrix和LT中不可用

例如：:

功能	涵义	评论
ABS（x）	| x |
ACOS（x）	x的反余弦	-1.0 <= x <= +1.0
ACOSH（x）	x的反双曲余弦值	结果以弧度表示，x是一个表达式
ARCTAN（x）	tan-1（x）	导致弧度
ASIN（x）	x的反正弦	-1.0 <= x <= +1.0
ASINH（x）	x的反双曲正弦	结果以弧度表示，x是一个表达式
ATAN（x）	tan-1（x）	导致弧度
ATAN2（y，x）	（y / x）的反正切	导致弧度
ATANH（x）	x的反双曲正切	结果以弧度表示，x是一个表达式
COS（x）	COS（x）的	x弧度
COSH（x）	x的双曲余弦	x弧度
滴滴涕（x）	x的时间导数	仅瞬态分析
IF（t，x，y）	如果t = TRUE，则为x；如果t = FALSE，则为y	是一个布尔表达式，其值为TRUE或FALSE，并且可以包含逻辑和关系运算符X和Y可以是数值或表达式。
IMG（x）	x的虚部	对于实数返回0.0
极限（x，min，max）		如果x <最小值，则结果为min；如果x> max，则结果为max；否则，x
对数（x）	ln（x）
LOG10（x）	日志（X）
M（x）	x的大小	这产生与ABS（x）相同的结果
最大（x，y）	x和y的最大值
最小值（x，y）	x和y的最小值
P（x）	x的相位
PWR（x，y）	| x | y
PWRS（x，y）	+ | x | y（如果x> 0），-| x | y（如果x <0）
R（x）	x的实部
SDT（x）	x的时间积分	仅瞬态分析
SGN（x）	信号功能
SIN（x）	的sin（x）	x弧度
SINH（x）	x的双曲正弦	x弧度
STP（x）	如果x> = 1则为0.0如果x <0	单位步进功能可用于抑制值，直到经过给定的时间。
SQRT（x）	x1 / 2
tan（x）	棕褐色（x）的	x弧度
罐（x）	x的双曲正切	x弧度
表格（x，x1，y1，x2，y2，... xn，yn）		当绘制所有xn，yn点并通过直线连接时，结果是与x对应的y值。 如果x大于最大值xn，则该值为与最大xn相关的yn。 如果x小于最小xn，则该值为与最小xn相关的yn。
ceil（arg）		返回一个整数值。 此函数的参数应为数字值或计算结果为数字值的表达式。 如果 ARG 是整数，返回值等于参数值。 如果 ARG 是非整数值，返回值是大于参数值的最接近的整数。
地板（arg）		返回一个整数值。 此函数的参数应为数字值或计算结果为数字值的表达式。 如果 ARG 是整数，返回值等于参数值。 如果 ARG 是非整数值，返回值是小于参数值的最接近的整数。