Gratuito SPICE curso de simulación y modelado

SPICE, SPICE, SPICE cuando haces simulación de circuito electrónico siempre escuchas estas palabras mágicas. ¿Qué es esto y por qué es tan importante? Explicaremos eso en este curso gratuito de Internet y le enseñaremos cómo usar, agregar y crear modelos de dispositivos sofisticados para su software de simulación. En nuestro material le ofreceremos el software TINA y TINACloud para la demostración de los circuitos y modelos que crearemos, sin embargo nuestro SPICE modelos y circuitos funcionan en la mayoría SPICE simuladores sin cambios.

Historia SPICE

Cómo SPICE se usa hoy

Creación de una SPICE modelo para un comparador con histéresis

Creación de una SPICE modelos para conductores de portones prácticos

Adición SPICE modelos para TINA y TINACloud

MODELO- Definición del modelo

.PARAM- Definición del parámetro

.SUBCKT- Descripción del subcircuito

C - Condensador

D - Diodo

E - Fuente de voltaje controlada por voltaje, G - Fuente de corriente controlada por voltaje

F - Fuente de corriente controlada por corriente, H - Fuente de voltaje controlada por corriente

I - Fuente de corriente independiente, V - Fuente de voltaje independiente

J - Unión FET

K - Acoplamiento del inductor (núcleo del transformador)

L - Inductor

M - MOSFET

N - Entrada digital

O - Salida digital

Q - Transistor bipolar

R - Resistencia

S - Interruptor controlado por voltaje

T - Línea de transmisión

W - Interruptor controlado por corriente

X - Llamada de subcircuito

U - Primitivas digitales

Y - Primitivas de Tina

FUENTES - Descripciones de fuentes transitorias

FUNCIONES - Funciones en Expresión

---

Historia SPICE

Spice La simulación es un método de simulación de circuito desarrollado en la Universidad de California, Berkeley, presentado por primera vez en 1973. La última versión 3f5 de Berkeley Spice fue lanzado en 1993. Berkely Spice sirve como base para la mayoría de los programas de simulación de circuitos en la academia y en la industria. De hoy Spice los simuladores son, por supuesto, más avanzados y sofisticados que el Berkely original Spice simulador y se extienden de muchas maneras. Una gran ventaja de Spice simulación, que los fabricantes de semiconductores proporcionan grandes bibliotecas gratuitas para sus productos utilizando Spice modelos, que la mayoría Spice Los simuladores se pueden abrir y usar.

Cómo SPICE se usa hoy

Creación de una SPICE modelo para un comparador con histéresis

Creación de una SPICE modelos para conductores de portones prácticos

Adición SPICE modelos para TINA y TINACloud

Puedes encontrar más tutoriales en

MODELO- Definición del modelo

Formato general:

.MODELO [AKO: ]  

+ ([<nombre de parámetro> = [especificación de tolerancia]] *)

La .MODELO La declaración describe un conjunto de parámetros del dispositivo que se utilizan en la lista de red para ciertos componentes.   es el nombre del modelo que utilizan los componentes.   es el tipo de dispositivo y debe ser uno de los siguientes:

Siguiendo  es la lista de parámetros que describen el modelo del dispositivo. A ninguno, a alguno oa todos los parámetros se les pueden asignar valores, los que no están asignados toman valores por defecto. Las listas de nombres de parámetros, significados y valores predeterminados se encuentran en las descripciones de dispositivos individuales.  

LT y SIMetrix utilizan un dispositivo A para representar primitivas digitales.

Ejemplo:

MODELO RMAX RES (R = 1.5 TC1 = 0.0002 TC2 = 0.005)

.MODEL DNOM D (IS = 1E-9)

.MODEL QDRIV NPN (IS = 1E-7 BF = 30)

.MODEL QDR2 AKO: QDRIV NPN (BF = 50 IKF = 50m)

.PARAM- Definición del parámetro

Formatos generales

    .PARAM < = > *

    .PARAM < = { }> *

La .PARAM La declaración define el valor de un parámetro. Se puede usar un nombre de parámetro en lugar de la mayoría de los valores numéricos en la descripción del circuito. Los parámetros pueden ser constantes o expresiones que involucran constantes, o una combinación de estos, y pueden incluir otros parámetros.

Parámetros predefinidos: TEMP, VT, GMIN, TIEMPO, S,  TARTA

Ejemplo:

.PARAM VCC = 12 V, VEE = -12 V

.PARAM BANDWIDTH = {100kHz / 3}

.PARAM PI = 3.14159, TWO_PI = {2 * 3.14159}

.PARAM VNUM = {2 * TWO_PI}

Descripción del subcircuito .SUBCKT

Formatos generales

.SUBCKT [nodo]* 

+ [OPCIONAL: < = > *]

+ [PARAMS: < = > *]

.SUBCCT declara que se describirá un subcircuito de la lista neta hasta que .FINES mando. Los subcircuitos se llaman en la lista de red mediante el comando, X.   es el nombre de los subcircuitos.  [nodo]* es una lista opcional de nodos locales solo para el subcircuito y se utiliza para la conexión en el nivel superior. Las llamadas de subcircuito se pueden anidar (pueden tener X dentro). Sin embargo, los subcircuitos no se pueden anidar (no .SUBCCT dentro).

Ejemplo:

.OPORTE SUBMARINO 1 2 101 102 17

...

.FINES

.SUBCKT FILTRO ENTRADA SALIDA PARAMS: CENTRO = 100kHz,

+ ANCHO DE BANDA = 10kHz

...

.FINES

.SUBCKT 74LS00 DBY

+ OPCIONAL: DPWR = $ G_DPWR DGND = $ G_DGND

+ PARAMS: MNTYMXDLY = 0 IO_LEVEL = 0

...

.FINES

C - Condensador

Formatos generales

C <+ nodo> <- nodo> [nombre del modelo] [IC = ]

[nombre del modelo] es opcional y si no está incluido, entonces  es la capacitancia en faradios. Si [nombre del modelo] se especifica entonces la capacitancia viene dada por:

Ctot = | valor | * C * [1+ TC1 * (T-Tnom) + TC2 * (T-Tnom)²]

donde C, TC1y TC2 se describen a continuación.  Cto es la capacitancia total   T es la temperatura de simulación. Y tom es la temperatura nominal (27 ° C a menos que se establezca en el cuadro de diálogo Análisis de análisis)

 puede ser positivo o negativo.

[IC = ] da PSPICE Una estimación inicial del voltaje a través del condensador durante el cálculo del punto de polarización y es opcional.

Parámetro	Descripción
C	multiplicador de capacitancia
TC1	coeficiente de temperatura lineal
TC2	coeficiente de temperatura cuadrático

Ejemplo:

CARGA 15 0 20pF

C2 1 2 0.2E-12 IC = 1.5V

C3 3 33 CMOD 10pF

D - Diodo

Formatos generales

re <+ nodo> <- nodo> [valor de área] [DESACTIVADO]

El diodo está modelado por una resistencia de valor. R_S/[valor de área] en serie con un diodo intrínseco.  <+ nodo> es el ánodo y <- nodo> es el cátodo 

[valor del área]escamas IS, RS, CJOy IBV y es 1 por defecto.  IBV y BV Son ambos positivos.

Parámetro	Descripción
AF	exponente de ruido de parpadeo
BV	valor de desglose inverso
CJO	capacitancia pn de polarización cero
EG	voltaje de banda prohibida
FC	coeficiente de capacitancia de agotamiento de polarización directa
IBV	corriente de descomposición inversa
IS	corriente de saturación
KF	coeficiente de ruido de parpadeo
M	pn coeficiente de calificación
N	coeficiente de emisión
RS	resistencia parasitaria
RZ	Residencia Zener (solo TINA)
TT	Tiempo de tránsito
VJ	potencial de pn
XTI	IS exponente de temperatura

El parámetro OFF no es compatible con PSPice.

Ejemplo

ABRAZADERA DC 14 0 DMOD

D13 15 17 INTERRUPTOR 1.5

DBV1 3 9 DX 1.5 APAGADO

E - Fuente de voltaje controlada por voltaje, G - Fuente de corriente controlada por voltaje

Formatos generales

mi <+ nodo> <- nodo>

+ <+ nodo de control> <- nodo de control>

mi <+ nodo> <- nodo> POLY ( )

+ <<+ nodo de control>, <- nodo de control>> * 

+ < > *

mi <+ <- nodo> VALOR = { }

mi <+ <- nodo> TABLE { } =

+ < , > *

mi <+ nodo> <- nodo> LAPLACE { } =

+ { }

mi <+ nodo> <- nodo> FREQ { } = 

+ < , , > *

Cada formato declara una fuente de voltaje cuya magnitud está relacionada con la diferencia de voltaje entre nodos <+ nodo de control> y <- nodo de control>. El primer formato define un caso lineal, los otros definen casos no lineales.

La LAPLACE y FREQ El modo de la fuente controlada solo se puede utilizar en modo CA.

El modo FREQ no está disponible en LT y SIMetrix

El modo LAPLACE se realiza con un bloque de función de transferencia de dominio S SIMetrix.

Ejemplo:

EFECTO 10 11 1 2 1.0

EAMP 13 0 POLY (1) 26 0 0 500

ENONLIN 100 POLY (101) 2 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2

ESQROOT 5 0 VALUE = {5V * SQRT (V (3,2))}

TABLA ET2 2 0 {V (ANODO, CATODO)} = (0,0) (30,1)

ERC 5 0 LAPLACE {V (10)} = {1 / (1 + .001 * s)}

ELOWPASS 5 0 FREQ {V (10)} = (0,0,0) (5kHz, 0,0) (6kHz -60, 0)

F - Fuente de corriente controlada por corriente, H - Fuente de voltaje controlada por corriente

Formatos generales

F <+ nodo> <- nodo> 

+

or

F <+ nodo> <- nodo> POLY ( )

+ < > * 

+ < > *

Ambos formatos declaran una fuente actual cuya magnitud está relacionada con el paso actual .

La primera forma genera una relación lineal. La segunda forma genera una respuesta no lineal.  

Ejemplo:

FSENSE 1 2 VSENSE 10.0

FAMP 13 0 POLY (1) VIN 0

FNONLIN 100 POLY (101) VCNTRL2 VCINTRL1 2 0.0 13.6 0.2

I - Fuente de corriente independiente, V - Fuente de voltaje independiente

Formatos generales

yo <+ nodo> <- nodo> 

+ [[DC] ]

+ [AC [valor de fase]]

+ [especificación transitoria]

Hay tres tipos de fuentes actuales. DC, ACo fuentes transitorias.

DC Las fuentes dan una fuente de corriente con corriente de magnitud constante.  DC Las fuentes se utilizan para suministros o para.DC analiza

AC las fuentes se utilizan para el .C.A análisis. La magnitud de la fuente viene dada por . La fase inicial de la fuente viene dada por [fase], la fase predeterminada es 0.  

Las fuentes transitorias son fuentes cuya salida varía durante el tiempo de simulación. Estos se utilizan principalmente con el análisis transitorio, .TRAN.

Las fuentes transitorias deben definirse como una de las siguientes:

EXP | parámetros |

PULSE | parámetros |

PWL | parámetros |

SFFM | parámetros |

SIN | parámetros |

Ejemplo:

IBIAS 13 0 2.3mA

IAC 2 3 AC 0.001

IACPHS 2 3 AC 0.001 90

VPULSE 1 0 PULSE (-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)

V3 26 77 DC 0.002 AC 1 SIN (0.002 0.002 1.5MEG)

J - Unión FET

Formatos generales

J [área] [DESACTIVADO]

J declara un JFET. El JFET se modela como un FET intrínseco con una resistencia óhmica (RD / {area}) en serie con el drenaje, una resistencia óhmica (RS / {area}) en serie con la fuente y una resistencia óhmica (RG) en serie con la puerta.

{zona}, opcional, es el área relativa del dispositivo. El valor predeterminado es 1.

Parámetro	Descripción
AF	exponente de ruido de parpadeo
BETA	coeficiente de transconductancia
BETATO	Coeficiente de temperatura exponencial BETA
CGD	capacitancia de pn cero de drenaje de compuerta
CGS	capacitancia pn de fuente cero de polarización de puerta
EG	voltaje de banda prohibida (solo TINA)
IS	corriente de saturación de pn de puerta
KF	coeficiente de ruido de parpadeo
LAMBDA	modulación de longitud de canal
M	portón pn coeficiente de calificación
PB	portón pn posible
RD	drenar la resistencia óhmica
RS	fuente de resistencia óhmica
VTO	voltaje umbral
VTOTC	Coeficiente de temperatura VTO

El parámetro OFF no es compatible con PSPice.

Ejemplo:

JIN 100 1 0 JRÁPIDO

J13 22 14 23 JNOM 2.0

JA3 3 9 JX 2 APAGADO

K - Acoplamiento del inductor (núcleo del transformador)

Formatos generales

K L > *

+

K > *

+ [valor de tamaño]

K acopla dos o más inductores juntos. Usando la convención de puntos, coloque un punto en el primer nodo de cada inductor. Entonces, la corriente acoplada será de polaridad opuesta con respecto a la corriente de excitación.

 es el coeficiente de acoplamiento mutuo y debe estar entre 0 y 1. [valor de tamaño] escala la sección transversal magnética, su valor predeterminado es 1.

Sinombre del modelo> está presente 4 cosas cambian: 

1. El inductor de acoplamiento mutuo se convierte en un núcleo magnético no lineal.

2. Las características de BH del núcleo se analizan utilizando el modelo de Jiles-Atherton.

3. Los inductores se convierten en bobinados, por lo que el número que especifica la inductancia ahora significa número de vueltas.

4. La lista de inductores acoplados puede ser solo un inductor.

Parámetro	Descripción
A	parámetro de forma
Reservada	sección transversal magnética media
C	coeficiente de flexión de la pared del dominio
GAP	longitud efectiva del entrehierro
K	constante de fijación de pared de dominio
MS	saturación de magnetización
PACKS	factor de embalaje (apilamiento)
TRAYECTORIA	longitud media del camino magnético

2^nd formulario no es compatible con LT y SIMetrix. 

En SIMetrix solo se pueden conectar 2 inductores, si desea acoplar más necesita crear un comando de acoplamiento separado para cada combinación.

Ejemplo:

KTUned L3OUT L4IN .8

KTRNSFRM LSECNDRY LPRIMARY 1

KXFRM L1 L2 L3 L4 .98 KPOT_3C8

L - Inductor

Formatos generales

L <+ nodo> <- nodo> [nombre del modelo] [IC = ] 

L define un inductor.  <+ nodo> y <- nodo> Definir la polaridad de la caída de tensión positiva.  

 puede ser positivo o negativo pero no 0.

[nombre del modelo] es opcional. Si se deja fuera, el inductor tiene una inductancia de  henries

Si [nombre del modelo] se incluye, entonces la inductancia total es:

Ltot = | valor | * L * (1 + TC1 * (T-Tnom) + TC2 * (T-Tnom)²)

donde L, TC1y TC2 se definen en la declaración del modelo, T es la temperatura de simulación, y  tom es la temperatura nominal (27 ° C a menos que en el cuadro de diálogo Analysis.Set Analysis)

[IC = ] es opcional y, si se usa, define la estimación inicial de la corriente a través del inductor cuando PSPICE intenta encontrar el punto de sesgo.

Parámetro	Descripción
L	multiplicador de inductancia
TC1	coeficiente de temperatura lineal
TC2	coeficiente de temperatura cuadrático

Ejemplo:

L2 1 2 0.2E-6

L4 3 42 LMOD 0.03

L31 5 12 2U IC = 2 mA

M - MOSFET

Formato general:

METRO

+ [L = ] [W = ] [AD = | valor |] [AS = | valor |]

+ [PD = ] [PS = ] [NRD = | valor |] [NRS = | valor |]

+ [NRG = ] [NRB =

M define un transistor MOSFET. El MOSFET se modela como un MOSFET intrínseco con resistencias óhmicas en serie con el drenaje, la fuente, la puerta y el sustrato (a granel). También hay una resistencia de derivación (RDS) en paralelo con el canal de fuente de drenaje.  

L y W son la longitud y el ancho del canal.  L se reduce en 2 * LD y W se reduce en 2 * WD para obtener el largo y ancho efectivo del canal. L y W se puede definir en la declaración del dispositivo, en el modelo o en .OPCIÓN mando. La declaración del dispositivo tiene precedencia sobre el modelo que tiene precedencia sobre el OPCIONES.

AD y AS son las áreas de drenaje y fuente de difusión.  PD y PS son los parámetros de difusión del drenaje y de la fuente. Las corrientes de saturación de volumen de drenaje y de volumen de fuente se pueden especificar mediante JS (que a su vez se multiplica por AD y AS) o por IS (un valor absoluto). Las capacitancias de agotamiento de polarización cero se pueden especificar mediante CJ, que se multiplica por AD y AS, y por CJSW, que se multiplica por PD y PS, O  CBD y CBS, que son valores absolutos.  RDA, NRS, NRGy NRB son resistividades reactivas de sus respectivos terminales en cuadrados. Estos parásitos pueden especificarse por RSH (que a su vez se multiplica por RDA, NRS, NRGy NRB) o por resistencias absolutas RD, RG, RSy RB. Valores predeterminados para L, W, ADy AS se puede configurar usando el OPCIONES mando. Si OPCIONES no se usa, sus valores predeterminados son 100u, 100u, 0 y 0 respectivamente

M es un multiplicador de dispositivo paralelo (predeterminado = 1), que simula el efecto de múltiples dispositivos en paralelo. El ancho efectivo, las capacidades de superposición y unión, y las corrientes de unión del MOSFET se multiplican por M. Los valores de resistencia parásita (p. Ej., RD ​​y RS) se dividen por M. 

NIVEL= 1 modelo de Shichman-Hodges

NIVEL= 2 modelo analítico basado en geometría

NIVEL= 3 modelo semi-empírico de canal corto

NIVEL= 7 BSIM3 modelo versión 3 

Nivel A1

Parámetro	Descripción
AF	Exponente de ruido de parpadeo
CBD	capacitancia de pn a cero de drenaje a granel
CBS	capacitancia pn de fuente cero a granel
CGBO	capacitancia de solapamiento puerta-sustrato / longitud del canal
CGDO	capacitancia de superposición de drenaje de puerta / ancho de canal
CGSO	capacitancia de superposición de fuente de puerta / ancho de canal
CJ	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
CJSW	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
FC	coeficiente de capacitancia de polarización directa pn a granel
GAMA	parámetro de umbral a granel
IS	corriente de saturación de pn a granel
JS	Corriente / área de saturación de pn a granel
KF	Coeficiente de ruido de parpadeo
KP	transconductancia
L	longitud del canal
LAMBDA	modulación de longitud de canal
LD	difusión lateral (longitud)
NIVEL	tipo de modelo
MJ	coeficiente de clasificación inferior de pn a granel
MJSW	coeficiente de clasificación de la pared lateral de pn a granel
N	coeficiente de emisión de pn a granel
NSS	densidad del estado superficial
NSUB	densidad de dopaje del sustrato
PB	potencial de pn a granel
FI	potencial de superficie
RB	resistencia óhmica del sustrato
RD	drenar la resistencia óhmica
RDS	resistencia óhmica de fuente de drenaje
RG	puerta resistencia óhmica
RS	fuente de resistencia óhmica
RSH	drenaje, resistencia de lámina de difusión de fuente
TOX	espesor de óxido
TPG	tipo de material de la puerta: +1 = opuesto, -1 = igual, 0 = aluminio
UO	movilidad superficial
VTO	voltaje umbral de polarización cero
W	Ancho de banda

Nivel A2

Parámetro	Descripción
AF	Exponente de ruido de parpadeo
CBD	capacitancia de pn a cero de drenaje a granel
CBS	capacitancia pn de fuente cero a granel
CGBO	capacitancia de solapamiento puerta-sustrato / longitud del canal
CGDO	capacitancia de superposición de drenaje de puerta / ancho de canal
CGSO	capacitancia de superposición de fuente de puerta / ancho de canal
CJ	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
CJSW	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
DELTA	efecto de ancho en el umbral
FC	coeficiente de capacitancia de polarización directa pn a granel
GAMA	parámetro de umbral a granel
IS	corriente de saturación de pn a granel
JS	Corriente / área de saturación de pn a granel
KF	Coeficiente de ruido de parpadeo
KP	transconductancia
L	longitud del canal
LAMBDA	modulación de longitud de canal
LD	difusión lateral (longitud)
NIVEL	tipo de modelo
MJ	coeficiente de clasificación inferior de pn a granel
MJSW	coeficiente de clasificación de la pared lateral de pn a granel
N	coeficiente de emisión de pn a granel
NEFF	coeficiente de carga del canal
NFS	densidad de estado superficial rápida
NSS	densidad del estado superficial
NSUB	densidad de dopaje del sustrato
PB	potencial de pn a granel
FI	potencial de superficie
RB	resistencia óhmica del sustrato
RD	drenar la resistencia óhmica
RDS	resistencia óhmica de fuente de drenaje
RG	puerta resistencia óhmica
RS	fuente de resistencia óhmica
RSH	drenaje, resistencia de lámina de difusión de fuente
TOX	espesor de óxido
TPG	tipo de material de la puerta: +1 = opuesto, -1 = igual, 0 = aluminio
UCRIT	degradación de la movilidad campo crítico
UEXP	exponente de degradación de la movilidad
UO	movilidad superficial
Vmax	velocidad máxima de deriva
VTO	voltaje umbral de polarización cero
W	Ancho de banda
XJ	profundidad de la unión metalúrgica

Nivel A3

Parámetro	Descripción
AF	Exponente de ruido de parpadeo
ALPHA	Alpha
CBD	capacitancia de pn a cero de drenaje a granel
CBS	capacitancia pn de fuente cero a granel
CGBO	capacitancia de solapamiento puerta-sustrato / longitud del canal
CGDO	capacitancia de superposición de drenaje de puerta / ancho de canal
CGSO	capacitancia de superposición de fuente de puerta / ancho de canal
CJ	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
CJSW	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
DELTA	efecto de ancho en el umbral
ETA	retroalimentación estática
FC	coeficiente de capacitancia de polarización directa pn a granel
GAMA	parámetro de umbral a granel
IS	corriente de saturación de pn a granel
JS	Corriente / área de saturación de pn a granel
KAPPA	factor de campo de saturación
KF	Coeficiente de ruido de parpadeo
KP	transconductancia
L	longitud del canal
LD	difusión lateral (longitud)
NIVEL	tipo de modelo
MJ	coeficiente de clasificación inferior de pn a granel
MJSW	coeficiente de clasificación de la pared lateral de pn a granel
N	coeficiente de emisión de pn a granel
NFS	densidad de estado superficial rápida
NSS	densidad del estado superficial
NSUB	densidad de dopaje del sustrato
PB	potencial de pn a granel
FI	potencial de superficie
RB	resistencia óhmica del sustrato
RD	drenar la resistencia óhmica
RDS	resistencia óhmica de fuente de drenaje
RG	puerta resistencia óhmica
RS	fuente de resistencia óhmica
RSH	drenaje, resistencia de lámina de difusión de fuente
THETA	modulación de movilidad
TOX	espesor de óxido
TPG	tipo de material de la puerta: +1 = opuesto, -1 = igual, 0 = aluminio
UO	movilidad superficial
Vmax	velocidad máxima de deriva
VTO	voltaje umbral de polarización cero
W	Ancho de banda
XD	coeficiente
XJ	profundidad de la unión metalúrgica

Nivel A7

Parámetro	Descripción
MOBMOD	selector de modelo de movilidad
Capmod	bandera para el modelo de capacitancia de canal corto
Nqsmod	bandera para modelo NQS
Noimod	bandera para modelo de ruido
BINUNIDAD	selector de escala de la unidad de contenedor
AF	Exponente de ruido de parpadeo
CGBO	capacitancia de solapamiento puerta-sustrato / longitud del canal
CGDO	capacitancia de superposición de drenaje de puerta / ancho de canal
CGSO	capacitancia de superposición de fuente de puerta / ancho de canal
CJ	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
CJSW	pn a granel capacitancia / área inferior de polarización cero
JS	Corriente / área de saturación de pn a granel
KF	Coeficiente de ruido de parpadeo
L	longitud del canal
NIVEL	tipo de modelo
MJ	coeficiente de clasificación inferior de pn a granel
MJSW	coeficiente de clasificación de la pared lateral de pn a granel
PB	potencial de pn a granel
RSH	drenaje, resistencia de lámina de difusión de fuente
W	Ancho de banda
A0	coeficiente de efecto de carga masiva para la longitud del canal
A1	primer parámetro de efecto de no saturación
A2	segundo factor de no saturación
AGS	coeficiente de sesgo de puerta de Abulk
ALFA0	primer parámetro de corriente de ionización de impacto
B0	coeficiente de efecto de carga masiva para ancho de canal
B1	efecto de carga masiva ancho de desplazamiento
BETA0	segundo parámetro de corriente de ionización de impacto
CDSC	capacidad de acoplamiento de drenaje / fuente a canal
CDSCB	sensibilidad al sesgo corporal de CDSC
CDSCD	sensibilidad de drenaje-sesgo de CDSC
CIT	capacitancia de trampa de interfaz
DELTA	parámetro Vds efectivo
SEQUÍA	Coeficiente de dependencia L del parámetro de corrección DIBL en Rout
DSUB	Coeficiente DIBL exponente en la región subliminal
TVP0	primer coeficiente de efecto de canal corto sobre voltaje umbral
TVP0W	primer coeficiente de efecto de ancho estrecho sobre el voltaje de umbral para longitud de canal pequeño
TVP1	segundo coeficiente de efecto de canal corto en la tensión umbral
TVP2	coeficiente de polarización del cuerpo del efecto de canal corto en la tensión umbral
TVP1W	segundo coeficiente de efecto de ancho estrecho sobre el voltaje de umbral para una longitud de canal pequeña
TVP2W	coeficiente de polarización del cuerpo del efecto de ancho estrecho para canales pequeños
DWB	coeficiente de dependencia del sesgo corporal del sustrato de Weff
DWG	coeficiente de dependencia de la puerta de Weff
ETA0	Coeficiente DIBL en la región subliminal
Etab	coeficiente de sesgo corporal para el efecto DIBL por debajo del umbral
JSW	corriente de saturación de la pared lateral por unidad de longitud
K1	coeficiente de efecto corporal de primer orden
K2	coeficiente de efecto corporal de segundo orden
K3	coeficiente de ancho estrecho
K3B	coeficiente de efecto corporal de K3
KETA	coeficiente de sesgo corporal del efecto de carga masiva
HILAS	parámetro de ajuste de desplazamiento de longitud desde IV sin sesgo
FACTOR	factor de oscilación por debajo del umbral
NGATE	concentración de dopaje de poli puerta
NLX	parámetro de dopaje lateral no uniforme
PCLM	parámetro de modulación de longitud del canal
PDIBLC1	primer parámetro de corrección de efecto de resistencia DIBL de salida
PDIBLC2	parámetro de corrección del efecto de la segunda resistencia de salida DIBL
Pdiblcb	coeficiente de efecto corporal del parámetro de corrección DIBL
PRWB	coeficiente de efecto corporal de RDSW
PRWG	coeficiente de efecto de sesgo de puerta de RDSW
PSCBE1	primer parámetro de efecto corporal actual del sustrato
PSCBE2	parámetro de efecto corporal actual del segundo sustrato
PVAG	dependencia de la puerta de voltaje temprano
RDSW	resistencia parásita por unidad de ancho
U0	movilidad en Temp = TNOM
UA	coeficiente de degradación de movilidad de primer orden
UB	coeficiente de degradación de movilidad de segundo orden
UC	efecto corporal del coeficiente de degradación de la movilidad
VBM	sesgo corporal máximo aplicado en el cálculo de la tensión umbral
VAPAGADO	voltaje de compensación en la región subliminal en W y L grandes
VSAT	velocidad de saturación a Temp = TNOM
VTH0	Tensión umbral @ Vbs = 0 para L grande
W0	parámetro de ancho estrecho
GANAR	parámetro de ajuste de desplazamiento de ancho de IV sin sesgo
WR	desplazamiento de ancho de Weff para el cálculo de Rds
CF	capacitancia de campo
CKAPPA	coeficiente para capacitancia de superposición de región ligeramente dopada capacitancia de campo de franjas
CLC	término constante para el modelo de canal corto
CLE	término exponencial para el modelo de canal corto
CGDL	capacitancia de superposición de la región de la puerta de drenaje dopada con luz
CGSL	capacitancia de superposición de región fuente-puerta dopada con luz
CJSWG	fuente / puerta de drenaje capacitancia de unión de la pared lateral por unidad de ancho
DLC	parámetro de ajuste de desplazamiento de longitud de CV
DWC	parámetro de ajuste de desplazamiento de ancho de CV
MJSWG	fuente / puerta de drenaje coeficiente de clasificación de capacitancia de unión de la pared lateral
PBSW	fuente / drenaje unión lateral potencial incorporado
PBSWG	fuente / puerta de drenaje unión de la pared lateral potencial incorporado
VFBCV	parámetro de voltaje de banda plana (solo para CAPMOD = 0)
Xpart	indicador de tasa de partición de carga
LMAX	longitud máxima del canal
LMIN	longitud mínima del canal
WMAX	ancho máximo del canal
WMÍN	ancho de canal mínimo
EF	exponente de parpadeo
EM	campo de saturación
NOIA	parámetro de ruido A
NOIB	parámetro de ruido B
NOIC	parámetro de ruido C
ELM	Elmore constante del canal
GAMA1	coeficiente de efecto corporal cerca de la superficie
GAMA2	coeficiente de efecto corporal en el bulto
NCH	concentración de dopaje en el canal
NSUB	concentración de dopaje del sustrato
TOX	espesor de óxido de puerta
VBX	Vbs en el que la región de agotamiento = XT
XJ	profundidad de unión
XT	profundidad de dopaje
AT	coeficiente de temperatura para velocidad de saturación
KT1	coeficiente de temperatura para voltaje umbral
KT1L	dependencia de la longitud del canal del coeficiente de temperatura para la tensión umbral
KT2	coeficiente de polarización corporal del efecto de temperatura de voltaje umbral
NJ	coeficiente de emisión de unión
PRT	coeficiente de temperatura para RDSW
TNOM	temperatura a la que se extraen los parámetros
UA1	coeficiente de temperatura para UA
UB1	coeficiente de temperatura para UB
UC1	coeficiente de temperatura para UC
OUT	exponente de temperatura de movilidad
XTI	coeficiente de exponente de temperatura de corriente de unión
LL	coeficiente de dependencia de longitud para desplazamiento de longitud
LLN	potencia de dependencia de longitud para desplazamiento de longitud
LW	coeficiente de dependencia de ancho para desplazamiento de longitud
LWL	coeficiente de longitud y ancho de término cruzado para desplazamiento de longitud
LWN	potencia de dependencia de ancho para desplazamiento de longitud
WL	coeficiente de dependencia de longitud para desplazamiento de ancho
WLN	potencia de longitud dependencia de ancho de desplazamiento
WW	coeficiente de dependencia de ancho para desplazamiento de ancho
WWL	coeficiente de longitud y ancho de término cruzado para desplazamiento de ancho
WWN	potencia de ancho dependencia del ancho de desplazamiento

El parámetro OFF no es compatible con PSPice.

BSIM3 es el modelo de nivel 8 en LT y

Ejemplo:

M1 14 2 13 0 PNOM L = 25u W = 12u

M13 15 3 0 0 NFUERTE

M16 17 3 0 0 NX M = 2 APAGADO

M28 0 2 NWEAK L = 100u W = 100u

+ AD = 288p AS = 288p PD = 60u PS = 60u NRD = 14 NRS = 24 NRG = 10 NRB = 0.5

N - Entrada digital

norte

+

+ DGTLNET =

+

+ [IS = estado inicial]

Parámetro	Descripción
CHI	capacitancia al nodo de alto nivel
CLO	capacitancia al nodo de bajo nivel
S0NOMBRE..S19NOMBRE	abreviatura de carácter 0..19
S0TSW..S19TSW	estado 0..19 tiempo de conmutación
S0rlo..s19rlo	estado 0..19 resistencia al nodo de bajo nivel
S0rhi..s19rhi	estado 0..19 resistencia al nodo de alto nivel

El dispositivo N no existe en LT y SImetrix

Ejemplo:

N1 ANALÓGICO DIGITAL_GND DIGITAL_PWR DIN74

+ DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD

NRESET 7 15 16 DESDE_TTL

O - Salida digital

O

+ DGTLNET =

Parámetro	Descripción
ÚNICO	0: escribe cada paso de tiempo, 1: escribe sobre el cambio
CUBIERTA	condensador de salida
CARGAR	resistencia de salida
S0NOMBRE..S19NOMBRE	abreviatura de carácter 0..19
S0VLO..S19VLO	estado 0..19 voltaje de bajo nivel
S0vhi..s19vhi	estado 0..19 voltaje de alto nivel
SXNOMBRE	estado aplicado cuando el voltaje del nodo de interfaz cae fuera de todos los rangos

El dispositivo O define una línea de transmisión con pérdida en LTSpice y Simetrix

Ejemplo:

O12 ANALOG_NODE DIGITAL_GND DO74 DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD

Ovco 17 0 a_ttl

Q - Transistor bipolar

Formatos generales

Q

+ [sustrato] [valor de área] [DESACTIVADO]

Q declara un transistor bipolar en PSPICE. El transistor se modela como un transistor intrínseco con resistencias óhmicas en serie con la base, el colector (RC / {valor de área}), y con el emisor (RE / {valor de área}).  {sustrato} El nodo es opcional, el valor predeterminado es tierra. {valor de área} es opcional (se utiliza para escalar dispositivos), el valor predeterminado es 1. Los parámetros ISE y ISC puede establecerse mayor que 1. Si es así, se convierten en multiplicadores de IS  (por ejemplo ISE * IS).

El parámetro OFF no es compatible con PSPice.

Nivel 1: modelo Gummel-Poon

Parámetro	Descripción
AF	Exponente de ruido de parpadeo
BF	ideal máximo beta hacia adelante
BR	beta inversa máxima ideal
CJC	capacitancia pn de cero polarización del colector base
TJCE	capacitancia pn de emisor base cero polarización
CJS	capacitancia pn colector-sustrato cero polarización
EG	voltaje de banda prohibida (altura de barrera)
FC	coeficiente de condensador de agotamiento de polarización directa
IKF	esquina para avance beta de alta corriente roll off
lo sé, vale	esquina para la versión beta de alta corriente inversa
IS	pn corriente de saturación
ISC	coeficiente de saturación de fugas del colector base
ISE	corriente de saturación de fugas del emisor base
ISS	Corriente de saturación de sustrato pn
KF	Coeficiente de ruido de parpadeo
MJC	coeficiente de clasificación pn del colector base
MJE	coeficiente de clasificación pn del emisor base
MJS	coeficiente de clasificación pn colector-sustrato
NC	coeficiente de emisión de fugas del colector base
NE	coeficiente de emisión de fugas del emisor base
NF	coeficiente de emisión de corriente directa
NR	coeficiente de emisión de corriente inversa
NS	coeficiente de emisión de sustrato pn
PTF	exceso de fase a 1 / (2 * PI * TF) Hz.
RB	resistencia de base de polarización cero (máxima)
GBR	resistencia base mínima
RC	colector resistencia óhmica
RE	emisor resistencia óhmica
TF	tiempo de tránsito hacia adelante ideal
TR	tiempo de tránsito inverso ideal
Vaf	adelante Tensión temprana
VAR	tensión temprana inversa
VJC	base-colector construido en potencial
VJE	emisor base construido en potencial
VJS	colector-sustrato construido en potencial
VTF	dependencia del tiempo de tránsito en VBC
XCJC	fracción de CJC conectada internamente a RB
XTB	coeficiente de temperatura de polarización directa e inversa
XTF	coeficiente de dependencia de sesgo de tiempo de tránsito
XTI	Exponente de efecto de temperatura IS

Ejemplo:

Q1 14 2 13 pnpnom

Q13 15 3 0 1 NPN FUERTE 1.5

Q7 VC 5 12 [sub] LATPNP

QN5 1 2 3 QX APAGADO

R - Resistencia

Formatos generales

R <+ nodo> <- nodo> [nombre del modelo] 

+ [TC = [, ]]

La <+ nodo> y <- nodo> define la polaridad de la resistencia en términos de la caída de voltaje a través de ella.  

{nombre del modelo} es opcional y si no se incluye entonces | valor | es la resistencia en ohmios. Si [nombre del modelo] se especifica y TCE no se especifica, entonces la resistencia viene dada por:

Rtot = | valor | * R * [1 + TC1 * (T-Tnom)) + TC2 * (T-Tnom)²]

donde R, TC1y TC2 se describen a continuación.  Rtot Es la resistencia total.  V es el voltaje a través de la resistencia.  T es la temperatura de simulación. Y tom es la temperatura nominal (27 ° C a menos que se encuentre en el cuadro de diálogo Análisis de análisis)

If TCE se especifica entonces la resistencia viene dada por:

Rtot = | valor | * R * 1.01^{(TCE * (T-Tnom))}

 puede ser positivo o negativo.

Parámetro	Descripción
R	multiplicador de resistencia
TC1	coeficiente de temperatura lineal
TC2	coeficiente de temperatura cuadrático
TCE	coeficiente de temperatura exponencial

Ejemplo:

CARGA 15 0 2K

R2 1 2 2.4E4 TC = 0.015, -0.003

RA34 3 33 RMOD 10K

S - Interruptor controlado por voltaje

Formatos generales

S <+ nodo de cambio> <- nodo de cambio> 

+ <+ nodo de control> <- nodo de control> | 

S denota un interruptor controlado por voltaje. La resistencia entre <+ cambiar nodo> y <- cambiar nodo> depende de la diferencia de voltaje entre <+ nodo de control> y <- nodo de control>. La resistencia varía continuamente entre RON y ROFF.

RON y ROFF debe ser mayor que cero y menor que GMIN (establecido en el OPCIONES mando). Una resistencia de valor 1 / GMIN está conectado entre los nodos de control para evitar que floten. Para interruptor de histéresis TV, VH debe usarse de otra manera Von, Voff

Parámetro	Descripción
RON	en resistencia
ROFF	fuera de resistencia
DESDE	control de voltaje para el estado activado
VAPAGADO	control de voltaje para estado apagado
VT	voltaje de control de umbral
VH	tensión de control de histéresis

Ejemplo:

T12 13 17 2 0 SMOD

SESET 5 0 15 3 RELÉ

T - Línea de transmisión

Formatos generales

T <Puerto + A> <- Puerto A> <Puerto + B> <- Puerto B>

+ Z0 = [TD = ] [F = [NL = ]]

+ IC =

T <Puerto + A> <- Puerto A> <Puerto + B> <- Puerto B>

+ LEN = R = L =

+ G = C =

T define una línea de transmisión de 2 puertos. El dispositivo es una línea de retardo ideal bidireccional. Los dos puertos son A y B con sus polaridades dadas por el + or – firmar. El primer formato describe una línea de transmisión sin pérdidas, el segundo describe una línea de transmisión con pérdidas.

Si define una línea con pérdida, se deben especificar al menos dos de los parámetros R, L, G, C y deben ser distintos de cero. Las combinaciones admitidas son: LC, RLC, RC, RG. No se admite RL y tampoco se admite nonyeo G expext (RG).

La línea de transmisión con pérdida se puede definir con un dispositivo O usando los mismos parámetros en LTSpice y SImetrix

Ejemplo:

T1 1 2 3 4 Z0 = 220 TD = 115ns

T2 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 2.25MEG

T3 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 4.5MEG NL = 0.5

T4 1 2 3 4 LEN = 1 R = .311 L = 0.378u G = 6.27u C = 67.3p

W - Interruptor controlado por corriente

Formatos generales

W <+ nodo de cambio> <- nodo de cambio> 

+ 

W denota un interruptor controlado por corriente. La resistencia entre <+ cambiar nodo> y <- cambiar nodo> depende de la corriente que fluye a través de la fuente de control . La resistencia varía continuamente entre RON y ROFF.

RON y ROFF debe ser mayor que cero y menor que GMIN (establecido en el OPCIONES mando). Se conecta una resistencia de valor 1 / GMIN entre los nodos de control para evitar que floten. Para interruptor de histéresis TV, VH debe usarse de otra manera Von, Voff

Parámetro	Descripción
RON	en resistencia
ROFF	fuera de resistencia
ION	control de voltaje para el estado activado
IAPAGADO	control de voltaje para estado apagado
IT	voltaje de control de umbral
IH	tensión de control de histéresis

El interruptor controlado por corriente no está disponible en SIMetrix

Ejemplo:

W12 13 17 VC WMOD

WRESET 5 0 RELÉS VRESET

X - Llamada de subcircuito

Formatos generales

X [nodo]* [PARAMS: < = > *]

X llama al subcircuito .   en algún lugar debe ser definido por el .SUBCCT y .FINES mando. El número de nodos (dado por [nodo]*) debe ser coherente. El Subcircuito referenciado se inserta en el circuito dado y los nodos dados reemplazan los nodos de argumento en la definición. Las llamadas a subcircuitos pueden estar anidadas pero no pueden volverse circulares.

Ejemplo:

X12 100 101 200 DIFAMP

XBUFF 13 15 UNIDADAMP

X SEGUIR IN OUT VCC VEE OUT OPAMP

XFELT 1 2 PARÁMETROS DE FILTRO: CENTRO = 200 kHz

U - Primitivas digitales

U [( *)]

+

+ *

+

+ [MNTYMXDLY = ]

+ [IO_LEVEL = ]

Las primitivas admitidas son: BUF, INV, XOR, NXOR, AND, NAND, OR, NOR, BUFA, INVA, XORA, NXORA, ANDA, NANDA, ORA, NORA, BUF3, BUF3A, JKFF, DFF, SRFF, DLTCH

Las matrices de puertas no son compatibles en modo mixto.

U STIM ( , )

+

+ *

+

+ [IO_LEVEL = ]

+ [TIMESTEP = ]

Parámetros del modelo de temporización de puerta

Parámetro	Descripción
Tplhmn	retraso: bajo a alto, min
Tplhty	retraso: bajo a alto, típico
TPLHMX	Retraso: bajo a alto, máximo
TPHLMN	retraso: de mayor a menor, min
THLTY	retraso: mayor a menor, típico
Tphlmx	retraso: de mayor a menor, máx.

Parámetros del modelo de cronometraje

Parámetro	Descripción
Thdgmn	Mantener: s / r / d después del borde de la puerta, mín.
THDGTY	Mantener: s / r / d después del borde de la puerta, típico
Thdgmx	Mantener: s / r / d después del borde de la puerta, máx.
Tpdqlhmn	Retardo: s / r / d a q / qb bajo a alto, min
Tpdqlhty	Retardo: s / r / d a q / qb bajo a alto, típico
Tpdqlhmx	Retardo: s / r / d a q / qb bajo a alto, máximo
Tpdqhlmn	Retardo: s / r / d a q / qb hi a bajo, min
TPDQHLTY	Retardo: s / r / d a q / qb hola a bajo, típico
Tpdqhlmx	Retardo: s / r / d a q / qb alto a bajo, máximo
TPGQLHMN	Retardo: puerta a q / qb baja a alta, min
TPGQLHTY	Retardo: puerta a q / qb baja a alta, típica
Tpgqlhmx	Retardo: puerta a q / qb baja a alta, máxima
TPGQHLMN	Retardo: puerta a q / qb hi a low, min
TPGQHLTY	Retardo: puerta a q / qb hola a baja, típica
Tpgqhlmx	Retardo: puerta a q / qb hi a low, max
TPPCQLHMN	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb bajo a alto, min
TPPCQLHTY	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb bajo a alto, típico
Tppcqlhmx	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb bajo a alto, máximo
Tppcqhlmn	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb hi a low, min
Tppcqhlty	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb hola a bajo, típico
Tppcqhlmx	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb hi a low, max
TSUDGMN	Configuración: s / r / d al borde de la puerta, mín.
TSUDGTY	Configuración: s / r / d al borde de la puerta, típico
Tsudgmx	Configuración: s / r / d al borde de la puerta, máx.
TSUPCGHMN	Configuración: preb / ​​clrb hola al borde de la puerta, min
Tsupcghty	Configuración: preb / ​​clrb hola al borde de la puerta, típico
TSUPCGHMX	Configuración: preb / ​​clrb hola al borde de la puerta, máx.
Twpclmn	Ancho mínimo preb / ​​clrb bajo, min
Twpclty	Ancho mínimo preb / ​​clrb bajo, típico
Twpclmx	Ancho mínimo preb / ​​clrb bajo, máximo
TWGHMN	Ancho de puerta mínimo hola, minuto
TWGHTY	Ancho de puerta mínimo hola, típico
Twghmx	Ancho de puerta mínimo hola, máximo

Parámetros de modelo de temporización FF activados por flanco

Parámetro	Descripción
THDCLKMN	Mantener: j / k / d después de clk / clkb edge, min
Thdclkty	Mantener: j / k / d después de clk / clkb edge, típico
THDCLKMX	Mantener: j / k / d después de clk / clkb edge, max
Tpclkqlhmn	Retardo: clk / clkb edge to q / qb low to hi, min
TPCLKQLHTY	Retardo: clk / clkb edge to q / qb low to hi, típico
TPCLKQLHMX	Retardo: clk / clkb edge to q / qb low to hi, max
TPCLKQHLMN	Retardo: clk / clkb edge a q / qb hi a low, min
Tpclkqhlty	Retardo: clk / clkb edge a q / qb hi a low, típico
TPCLKQHLMX	Retardo: clk / clkb edge a q / qb hi a low, max
TPPCQLHMN	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb bajo a alto, min
TPPCQLHTY	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb bajo a alto, típico
Tppcqlhmx	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb bajo a alto, máximo
Tppcqhlmn	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb hi low, min
Tppcqhlty	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb hi low, min
Tppcqhlmx	Retardo: preb / ​​clrb a q / qb hi low, min
TSUDCLKMN	Configuración: j / k / d a clk / clkb edge, min
TSUDCLKTY	Configuración: j / k / d en clk / clkb edge, típico
TSUDCLKMX	Configuración: j / k / d a clk / clkb edge, max
TSUPCLKHMN	Configuración: preb / ​​clrb hola a clk / clkb edge, min
TSUPCLKHTY	Configuración: preb / ​​clrb hola a clk / clkb edge, típico
TSUPCLKHMX	Configuración: preb / ​​clrb hola a clk / clkb edge, max
Twpclmn	Ancho mínimo preb / ​​clrb bajo, min
Twpclty	Ancho mínimo preb / ​​clrb bajo, típico
Twpclmx	Ancho mínimo preb / ​​clrb bajo, máximo
TWCLKLMN	Min clk / clkb ancho bajo, min
TWCLKLMN	Ancho mínimo de clk / clkb bajo, típico
TWCLKLMN	Ancho mínimo de clk / clkb bajo, máximo
TWCLKHMN	Min clk / clkb ancho hola, min
TWCLKHTY	Ancho mínimo de clk / clkb hola, típico
Twclkhmx	Min clk / clkb ancho hola, max
Tsuceclkmn	Configuración: reloj habilitado para clk edge, min
Tsuceclkty	Configuración: reloj habilitado para clk edge, típico
Tsuceclkmx	Configuración: reloj habilitado para clk edge, max
THCECLKMN	Hold: reloj habilitado después de clk edge, min
Thceclkty	Hold: reloj habilitado después de clk edge, típico
THCECLKMX	Hold: reloj habilitado después de clk edge, maxN

Parámetros del modelo de entrada / salida

Parámetro	Descripción
DRVH	Salida de alto nivel de resistencia
DRVL	Salida de bajo nivel de resistencia
Drvz	Salida de resistencia de fuga en estado Z
INLD	Capacitancia de carga de entrada
INR	Resistencia de carga de entrada
MUNDO	Capacidad de carga de salida
TPWRT	Umbral de rechazo de ancho de pulso
Tstoremn	Tiempo mínimo de almacenamiento para que la red se simule como una carga
TSWHL1	Tiempo de conmutación de mayor a menor para DtoA1
TSWHL2	Tiempo de conmutación de mayor a menor para DtoA2
TSWHL3	Tiempo de conmutación de mayor a menor para DtoA3
TSWHL4	Tiempo de conmutación de mayor a menor para DtoA4
TSWLH1	Tiempo de conmutación de menor a mayor para DtoA1
TSWLH2	Tiempo de conmutación de menor a mayor para DtoA2
TSWLH3	Tiempo de conmutación de menor a mayor para DtoA3
TSWLH4	Tiempo de conmutación de menor a mayor para DtoA4
ATOD1	Nombre del subcircuito de interfaz AtoD de nivel 1
ATOD2	Nombre del subcircuito de interfaz AtoD de nivel 2
ATOD3	Nombre del subcircuito de interfaz AtoD de nivel 3
ATOD4	Nombre del subcircuito de interfaz AtoD de nivel 4
DTOA1	Nombre del subcircuito de interfaz DtoA de nivel 1
DTOA1	Nombre del subcircuito de interfaz DtoA de nivel 2
DTOA1	Nombre del subcircuito de interfaz DtoA de nivel 3
DTOA1	Nombre del subcircuito de interfaz DtoA de nivel 4
PODER EXCAVADOR	Nombre del subcircuito de la fuente de alimentación.

El dispositivo U no está disponible en LT y SIMetrix. Aunque hay soporte de simulación digital en ambos simuladores. SIMetrix está utilizando una versión avanzada de la XSPICE motor digital, mientras que LT tiene su propio soporte digital. Ambos simuladores utilizan un dispositivo A para representar una primitiva digital.

Ejemplo:

U1 NAND (2) $ G_DPWR $ G_DGND 1 2 10 D0_GATE IO_DFT

U2 JKFF (1) $ G_DPWR $ G_DGND 3 5 200 3 3 10 D_2ASTD IO_STD

U3 INV $ G_DPWR $ G_DGND IN OUT D_INV IO_INV MNTYMXDLY = 3 IO_LEVEL = 2

Y - Primitivas de Tina

Y *

Los nombres de modelos admitidos son: VCO, SINE_VCO, TRI_VCO, SQUARE_VCO, AMPLI, AMPLI_GR, COMP, COMP_GR, COMP_GR_2INP, COMP_GR_3INP, COMP_GR_4INP, COMP_GR_NINP, CNTN_UDSR

Parámetros del modelo VCO, SINE_VCO, TRI_VCO, SQUARE_VCO

Parámetro	Descripción
FRECUENCIA CENTRAL
CONVGANAR
PHI0
Outampli
FUERA
Inllim
INULIMA
LIMITAR
DEBERCYC
HORA DE LEVANTARSE
OTOÑO
MODO

Parámetros del modelo AMPLI

Parámetro	Descripción
GANANCIA
RIN
DERROTA
RUTA FUENTE
RUTSINK
Ioutmax
FUENTE IOUTMAX
IOUTMAXSINK
IS0
VELOCIDAD DE SUBIDA
SLEWRATERIZAR
RETROCESO
Fpole1
Fpole2
Vdropoh
VDRÓPOL
VOFTSNOM
Tcovoffs
IBIASNOMA
Ioffsnom
CURRDOUB
SALIDAS

Parámetros del modelo AMPLI_GR

Parámetro	Descripción
GANANCIA
RIN
DERROTA
RUTA FUENTE
RUTSINK
Ioutmax
FUENTE IOUTMAX
IOUTMAXSINK
VELOCIDAD DE SUBIDA
SLEWRATERIZAR
RETROCESO
Fpole1
Fpole2
VOUTH
VSALIDA
VOFTSNOM
Tcovoffs
IBIASNOMA
Ioffsnom
CURRDOUB
SALIDAS

Parámetros del modelo COMP

Parámetro	Descripción
GANANCIA
RIN
DERROTA
RUTA FUENTE
RUTSINK
Ioutmax
FUENTE IOUTMAX
IOUTMAXSINK
IS0
VELOCIDAD DE SUBIDA
SLEWRATERIZAR
RETROCESO
DELAY
RETRASO
RETRASO
VTRES
VHYST
Vdropoh
VDRÓPOL
VOFTSNOM
Tcovoffs
IBIASNOMA
Ioffsnom
CURRDOUB
SALIDAS

Parámetros del modelo COMP_GR

Parámetro	Descripción
GANANCIA
RIN
DERROTA
RUTA FUENTE
RUTSINK
Ioutmax
FUENTE IOUTMAX
IOUTMAXSINK
VELOCIDAD DE SUBIDA
SLEWRATERIZAR
RETROCESO
DELAY
RETRASO
RETRASO
VTRES
VHYST
VOUTH
VSALIDA
VOFTSNOM
Tcovoffs
IBIASNOMA
Ioffsnom
CURRDOUB
SALIDAS

Parámetros del modelo COMP_GR_2INP, COMP_GR_3INP, COMP_GR_4INP, COMP_GR_NINP

Parámetro	Descripción
GANANCIA
RIN
DERROTA
RUTA FUENTE
RUTSINK
Ioutmax
FUENTE IOUTMAX
IOUTMAXSINK
VELOCIDAD DE SUBIDA
SLEWRATERIZAR
RETROCESO
DELAY
RETRASO
RETRASO
VOUTH
VSALIDA
VOFTSNOM
Tcovoffs
IBIASNOMA
Ioffsnom
CURRDOUB
SALIDAS
TRANSFERENCIA DC
FUNCIÓNLOGICA
VTREM1..VTREM4
Vhyst1..vhyst4

Parámetros del modelo CNTN_UDSR

Parámetro	Descripción
INTIP
SOBRETIPO
DEL
IOMODELO
DELL2H
Delh2l
SEGURO DE PUERTA/COFRE/CAJUELA
CONTADOR MÁXIMO
CNT_MODE
MODO_FUERA

Ejemplo:

Y1 IN1p IN1m IN2p IN2m Salida Gnd Comp

FUENTES - Descripciones de fuentes transitorias

Existen varios tipos de fuentes disponibles para declaraciones transitorias.  

EXP - Fuente exponencial

Formato general:

CAD (| v1 | | v2 | | td1 | | td2 | | tc1 | | tc2 |)

La EXP la forma hace que el voltaje sea | v1 | Por el primero | td1 | segundos. Luego crece exponencialmente desde | v1 | a | v2 | con tiempo constante | tc1 |. El crecimiento dura | td2 | – | td1 | segundos. Entonces el voltaje decae de | v2 | a | v1 | con tiempo constante | tc2 |.

Parámetro	Descripción
v1	voltaje inicial
v2	voltaje pico
td1	tiempo de retraso de subida
tc1	tiempo de subida constante
td2	tiempo de retraso de caída
tc2	tiempo de caída constante

PULSO - Fuente de pulso

Formato general:

PULSE (| v1 | | v2 | | td | | tr | | tf | | pw | | per |)

El pulso genera un voltaje para comenzar en | v1 | y espera allí por | td | segundos. Entonces el voltaje va linealmente desde | v1 | a | v2 | para el siguiente | tr | segundos. Luego, el voltaje se mantiene en | v2 | para | pw | segundos. Posteriormente, cambia linealmente de | v2 | a | v1 | in | tf | segundos. Se queda en | v1 | por el resto del período dado por | por |.

Parámetro	Descripción
v1	voltaje inicial
v2	voltaje pulsado
td	tiempo de retardo
tr	hora de levantarse
tf	otoño
pw	ancho de pulso
para	período

PWL - Fuente lineal por partes

Formato general:

PWL 

+ [TIME_SCALE_FACTOR =propuesta de>]

+ [VALUE_SCALE_FACTOR =propuesta de>]

+ (puntos de esquina)*

donde corner_points son:

        ( , ) para especificar un punto

REPETIR PARA (puntos_esquinas) *

ENDREPEAT para repetirn> tiempos

REPETIR PARA SIEMPRE (corner_points) *

ENDREPEAT para repetir para siempre

PWL describe un formato lineal por partes. Cada par de tiempo / voltaje (es decir | tn |, | vn |) especifica una esquina de la forma de onda. El voltaje entre las esquinas es la interpolación lineal de los voltajes en las esquinas.

Parámetro	Descripción
tn	tiempo de la esquina
vn	voltaje de esquina

Este formato de PWL se llama PWLS en SIMetrix.

SFFM - Fuente FM de frecuencia única

Formato general:

SFFM (| voff | | vampl | | fc | | mod | | fm |)

SFFM hace que la señal de voltaje siga:       

v = voff + vamp * sin (2π * fc * t + mod * sin (2π * fm * t))

donde voff, vampiro, fc, mody fm se definen a continuación.  t es hora.

Parámetro	Descripción
voff	voltaje de contencion
vampiro	voltaje de amplitud máxima
fc	frecuencia portadora
mod	índice de modulación
fm	frecuencia de modulación

SIN - Fuente sinusoidal

Formato general:

SIN (| voff | | vampl | | freq | | td | | df | | phase |)

PECADO crea una fuente sinusoidal. La señal se mantiene en | vo | para | td | segundos. Entonces el voltaje se convierte en una onda sinusoidal exponencialmente amortiguada descrita por:

  v = voff + vampl * sin (2π * (frecuencia * (t - td) - fase / 360)) * e^{- ((t - td)} * f)

Parámetro	Descripción
voff	voltaje de contencion
vampiro	voltaje de amplitud máxima
frecuencia	frecuencia portadora
td	retrasar
df	factor de amortiguamiento
fase	fase

Ejemplo:

IRAMP 10 5 EXP (1 5 1 0.2 2 0.5)

VSW 10 5 PULSE (1 5 1 0.1 0.4 0.5 2)

v1 1 2 PWL (0,1) (1.2,5) (1.4,2) (2,4) (3,1)

v2 3 4 PWL REPEAT PARA 5 (1,0) (2,1) (3,0) ENDREPEAT

v4 7 8 PWL TIME_SCALE_FACTOR = 0.1

+ REPETIR PARA SIEMPRE (1,0) (2,1) (3,0) REPETIR

V34 10 5 SFFM (2 1 8 4 1)

ISIG 10 5 SIN (2 2 5 1 1 30)

FUNCIONES - Funciones en Expresión

Las funciones admitidas son: ABS, ACOS, ACOSH, ARCTAN, ASIN, ASINH, ATAN, ATAN2, ATANH, CEIL, COS, COSH, DDT, EXP, FLOOR, IF, IMG, LIMIT, LOG, LOG10, M, MAX, MIN, P, PWR, PWRS, R, SDT, SGN, SIN, SINH, SQRT, STP, TABLE, TAN, TANH.

CEIL, TABLE no está disponible en SIMetrix

STP no está disponible en LT

IMG, M, P, R no está disponible en SIMetrix y LT

Ejemplo:

FUNCIÓN	SIGNIFICADO	COMENTARIO
ABS (x)	| x |
ACOS (x)	arcocosina de x	-1.0 <= x <= +1.0
ACOSH (x)	coseno hiperbólico inverso de x	dar como resultado radianes, x es una expresión
ARCTAN (x)	tan-1 (x)	resultar en radianes
ASIN (x)	arcoseno de x	-1.0 <= x <= +1.0
ASINH (x)	Seno hiperbólico inverso de x	dar como resultado radianes, x es una expresión
ATAN (x)	tan-1 (x)	resultar en radianes
ATAN2 (y, x)	arctan de (y / x)	resultar en radianes
ATANH (x)	Bronceado hiperbólico inverso de x	dar como resultado radianes, x es una expresión
COS (x)	cos (x)	x en radianes
COSH (x)	coseno hiperbólico de x	x en radianes
DDT (x)	derivada del tiempo de x	solo análisis transitorio
SI (t, x, y)	x si t = VERDADERO y si t = FALSO	es una expresión booleana que se evalúa como VERDADERO o FALSO y puede incluir operadores lógicos y relacionales X e Y son valores numéricos o expresiones.
IMG (x)	parte imaginaria de x	devuelve 0.0 para números reales
LÍMITE (x, min, max)		el resultado es min si x <min, max si x> max, yx en caso contrario
REGISTRO (x)	ln (x)
LOG10 (x)	log (x)
M (x)	magnitud de x	esto produce el mismo resultado que ABS (x)
MAX (x, y)	máximo de x e y
MIN (x, y)	mínimo de x e y
P (x)	fase de x
PWR (x, y)	| x | y
PWRS (x, y)	+ | x | y (si x> 0), - | x | y (si x <0)
R (x)	parte real de x
SDT (x)	integral de tiempo de x	solo análisis transitorio
SGN (x)	función signum
PECADO (x)	pecado (x)	x en radianes
PECADO (x)	seno hiperbólico de x	x en radianes
STP (x)	1 si x> = 0.0 0 si x <0.0	La función de paso unitario se puede utilizar para suprimir un valor hasta que haya transcurrido un período de tiempo determinado.
SQRT (x)	x1 / 2
TAN (x)	bronceado (x)	x en radianes
TANH (x)	tangente hiperbólica de x	x en radianes
TABLA (x, x1, y1, x2, y2,… xn, yn)		El resultado es el valor y correspondiente a x, cuando todos los puntos xn, yn se trazan y se conectan mediante líneas rectas. Si x es mayor que el máximo xn, entonces el valor es el yn asociado con el mayor xn. Si x es menor que el xn más pequeño, entonces el valor es el yn asociado con el xn más pequeño.
techo (arg)		Devuelve un valor entero. El argumento para esta función debe ser un valor numérico o una expresión que se evalúe como un valor numérico. Si arg es un número entero, el valor de retorno es igual al valor del argumento. Si arg es un valor no entero, el valor de retorno es el entero más cercano mayor que el valor del argumento.
piso (arg)		Devuelve un valor entero. El argumento para esta función debe ser un valor numérico o una expresión que se evalúe como un valor numérico. Si arg es un número entero, el valor de retorno es igual al valor del argumento. Si arg es un valor no entero, el valor de retorno es el entero más cercano más pequeño que el valor del argumento.