Test d'anglais SPICE cours de simulation et de modélisation

SPICE, SPICE, SPICE lorsque vous faites une simulation de circuit électronique, vous entendez toujours ces mots magiques. Qu'est-ce que c'est et pourquoi est-ce si important? Nous expliquerons cela dans ce cours gratuit sur Internet et vous apprendrons à utiliser, ajouter et créer des modèles d'appareils sophistiqués pour votre logiciel de simulation. Dans notre matériel, nous vous fournirons les logiciels TINA et TINACloud pour la démonstration des circuits et des modèles que nous créerons, cependant notre SPICE les modèles et les circuits fonctionnent dans la plupart SPICE simulateurs sans aucun changement.

Histoire de SPICE

Comment SPICE est utilisé aujourd'hui

Création d'un SPICE modèle pour un comparateur avec hystérésis

Création d'un SPICE modèles pour pilotes de portail pratiques

L'ajout de SPICE modèles à TINA et TINACloud

.MODEL - Définition du modèle

.PARAM- Définition des paramètres

.SUBCKT- Description du sous-circuit

C - Condensateur

D - Diode

E - Source de tension contrôlée par la tension, G - Source de courant contrôlée par la tension

F – Source de courant à courant contrôlé, H – Source de tension à courant contrôlé

I - Source de courant indépendante, V - Source de tension indépendante

J – FET de jonction

K - Couplage d'inducteur (noyau de transformateur)

L - Inducteur

M - MOSFET

N – Entrée numérique

O – Sortie numérique

Q – Transistor bipolaire

R – Résistance

S – Commutateur à tension contrôlée

T – Ligne de transmission

W - Commutateur à courant contrôlé

X - Appel de sous-circuit

U - Primitives numériques

Y - Tina Primitives

SOURCES – Descriptions des sources transitoires

FONCTIONS - Fonctions d'expression

---

Histoire de SPICE

Spice La simulation est une méthode de simulation de circuits développée à l'Université de Californie à Berkeley, présentée pour la première fois en 1973. La dernière version 3f5 de Berkeley Spice a été libéré en 1993. Berkely Spice sert de base à la plupart des programmes de simulation de circuits dans les universités et dans l'industrie. Aujourd'hui Spice les simulateurs sont bien sûr plus avancés et sophistiqués que le Berkely original Spice simulateur et sont étendus de plusieurs façons. Un énorme avantage de Spice simulation, que les fabricants de semi-conducteurs fournissent de grandes bibliothèques gratuites pour leurs produits en utilisant Spice modèles, dont la plupart Spice les simulateurs peuvent s'ouvrir et utiliser.

Comment SPICE est utilisé aujourd'hui

Création d'un SPICE modèle pour un comparateur avec hystérésis

Création d'un SPICE modèles pour pilotes de portail pratiques

L'ajout de SPICE modèles à TINA et TINACloud

Vous pouvez trouver plus de tutoriels sur

.MODEL - Définition du modèle

Format général:

.MAQUETTE [AKO : ]  

+ ([<nom du paramètre> = [spécification de tolérance]]*)

La .MODÈLE L'instruction décrit un ensemble de paramètres de périphérique qui sont utilisés dans la liste nette pour certains composants.   est le nom du modèle utilisé par les composants.   est le type d'appareil et doit être l'un des suivants:

Following  est la liste des paramètres qui décrivent le modèle de l'appareil. Aucun, aucun ou tous les paramètres peuvent être affectés de valeurs, ceux qui ne sont pas affectés prennent des valeurs par défaut. Les listes de noms de paramètres, de significations et de valeurs par défaut se trouvent dans les descriptions individuelles des appareils.  

LT et SIMetrix utilisant un appareil A pour représenter les primitives numériques.

Mise en situation :

.MODEL RMAX RES (R = 1.5 TC1 = 0.0002 TC2 = 0.005)

.MODEL DNOM D (IS = 1E-9)

.MODEL QDRIV NPN (IS = 1E-7 BF = 30)

.MODEL QDR2 AKO: QDRIV NPN (BF = 50 IKF = 50m)

.PARAM- Définition des paramètres

Formats généraux:

    .PARAM < = >*

    .PARAM < = { } >*

La .PARAM définit la valeur d'un paramètre. Un nom de paramètre peut être utilisé à la place de la plupart des valeurs numériques dans la description du circuit. Les paramètres peuvent être des constantes, ou des expressions impliquant des constantes, ou une combinaison de celles-ci, et ils peuvent inclure d'autres paramètres.

Paramètres prédéfinis: TEMP, VT, GMIN, HEURE, S,  TARTE

Mise en situation :

.PARAM VCC = 12 V, VEE = -12 V

LARGEUR DE BANDE .PARAM = {100 kHz / 3}

.PARAM PI = 3.14159, TWO_PI = {2 * 3.14159}

.PARAM VNUM = {2 * TWO_PI}

Description du sous-circuit .SUBCKT

Formats généraux:

.SUBCKT [nœud]* 

+ [FACULTATIF : < = >*]

+ [PARAMETRES : < = >* ]

.SUBKT déclare qu'un sous-circuit de la liste nette sera décrit jusqu'à ce que le .PREND FIN commander. Les sous-circuits sont appelés dans la net list par la commande, X.   est le nom des sous-circuits.  [nœud]* est une liste facultative de nœuds locaux uniquement au sous-circuit et utilisés pour la connexion au niveau supérieur. Les appels de sous-circuit peuvent être imbriqués (peuvent avoir X à l'intérieur). Cependant, les sous-circuits ne peuvent pas être imbriqués (pas de .SUBKT à l'intérieur).

Exemple:

.SUBCKT AMP OP 1 2 101 102 17

...

.PREND FIN

PARAMÈTRES DE SORTIE D'ENTRÉE DU FILTRE .SUBCKT: CENTRE = 100 kHz,

+ LARGEUR DE BANDE = 10 kHz

...

.PREND FIN

.SUBCKT 74LS00 ABY

+ FACULTATIF: DPWR = $ G_DPWR DGND = $ G_DGND

+ PARAMS: MNTYMXDLY = 0 IO_LEVEL = 0

...

.PREND FIN

C - Condensateur

Formats généraux:

C <+ nœud> <- nœud> [nom du modèle] [CI = ]

[nom du modèle] est facultatif et s'il n'est pas inclus,  est la capacité en farads. Si [nom du modèle] est spécifié alors la capacité est donnée par:

Ctot = | valeur | * C * [1+ TC1 * (T-Tnom) + TC2 * (T-Tnom)²]

De C, TC1et TC2 sont décrits ci-dessous.  Tot est la capacité totale.   T est la température de simulation. Et Tnom est la température nominale (27 ° C, sauf si définie par dans la boîte de dialogue Analyse. Définir l'analyse)

 peut être positif ou négatif.

[CI = ] donne PSPICE une estimation initiale de la tension aux bornes du condensateur pendant le calcul du point de polarisation et est facultative.

Paramètre	Description
C	multiplicateur de capacité
TC1	coefficient de température linéaire
TC2	coefficient de température quadratique

Mise en situation :

CHARGE 15 0 20pF

C2 1 2 0.2E-12 IC = 1.5 V

C3 3 33 CMOD 10pF

D - Diode

Formats généraux:

ré <+ nœud> <- nœud> [valeur de zone] [OFF]

La diode est modélisée par une résistance de valeur R_S/[valeur de surface] en série avec une diode intrinsèque.  <+ nœud> est l'anode et <- nœud> est la cathode. 

[valeur de zone]Balance IS, RS, JCJet IBV et vaut 1 par défaut.  IBV et BV sont tous deux positifs.

Paramètre	Description
AF	exposant de bruit de scintillement
BV	valeur de ventilation inverse
JCJ	capacité pn à polarisation nulle
EG	tension de bande interdite
FC	coefficient de capacité d'appauvrissement de polarisation directe
IBV	courant de claquage inversé
IS	courant de saturation
KF	coefficient de bruit de scintillement
M	coefficient de classement pn
N	coefficient d'émission
RS	résistance parasite
RZ	Résitance Zener (TINA uniquement)
TT	temps de transit
VJ	potentiel pn
XTI	Exposant de température IS

Le paramètre OFF n'est pas pris en charge dans PSPice.

Exemple

DCLAMP 14 0 DMOD

D13 15 17 INTERRUPTEUR 1.5

DBV1 3 9 DX 1.5 OFF

E - Source de tension contrôlée par la tension, G - Source de courant contrôlée par la tension

Formats généraux:

E <+ nœud> <- nœud>

+ <+ nœud de contrôle> <- nœud de contrôle>

E <+ nœud> <- nœud> POLY( )

+ < <+ nœud de contrôle>, <- nœud de contrôle> >* 

+ < >*

E <+ <- nœud> VALEUR = { }

E <+ <- nœud> TABLE { } =

+ < , >*

E <+ nœud> <- nœud> LAPLACE { } =

+ { }

E <+ nœud> <- nœud> FREQ { } = 

+ < , , >*

Chaque format déclare une source de tension dont l'amplitude est liée à la différence de tension entre les nœuds <+ nœud de contrôle> et <- nœud de contrôle>. Le 1er format définit un cas linéaire les autres définissent des cas non linéaires.

La LAPLACE et FREQ Le mode de la source contrôlée ne peut être utilisé qu'en mode CA.

Le mode FREQ n'est pas disponible dans LT et SIMetrix

Le mode LAPLACE est réalisé avec un bloc fonction de transfert de domaine S SIMetrix.

Mise en situation :

EBUFF 10 11 1 2 1.0

EAMP 13 0 POLY (1) 26 0 0

ENONLIN 100 POLY (101) 2 3 0 4 0 0.0 13.6 0.2

ESQROOT 5 0 VALUE = {5V * SQRT (V (3,2))}

ET2 2 0 TABLE {V (ANODE, CATHODE)} = (0,0) (30,1)

ERC 5 0 LAPLACE {V (10)} = {1 / (1 + .001 * s)}

ELOWPASS 5 0 FREQ {V (10)} = (0,0,0) (5 kHz, 0,0) (6 kHz -60, 0)

F – Source de courant à courant contrôlé, H – Source de tension à courant contrôlé

Formats généraux:

F <+ nœud> <- nœud> 

+

or

F <+ nœud> <- nœud> POLY( )

+ < >* 

+ < >*

Les deux formats déclarent une source de courant dont l'amplitude est liée au courant traversant .

La première forme génère une relation linéaire. La seconde forme génère une réponse non linéaire.  

Exemple:

FSENSE 1 2 VSENSE 10.0

FAMP 13 0 POLY (1) VIN 0

FNONLIN 100 POLY (101) VCNTRL2 VCINTRL1 2 0.0 13.6 0.2

I - Source de courant indépendante, V - Source de tension indépendante

Formats généraux:

je <+ nœud> <- nœud> 

+ [ [CD] ]

+ [ CA [valeur de phase] ]

+ [spécification transitoire]

Il existe trois types de sources actuelles. DC, ACou des sources transitoires.

DC les sources donnent une source de courant avec un courant de magnitude constante.  DC les sources sont utilisées pour les fournitures ou pour.DC analyses.

AC les sources sont utilisées pour .CA Analyse. La grandeur de la source est donnée par . La phase initiale de la source est donnée par [phase], la phase par défaut est 0.  

Les sources transitoires sont des sources dont la sortie varie au cours du temps de simulation. Ceux-ci sont principalement utilisés avec l'analyse transitoire, .TRAN.

Les sources transitoires doivent être définies comme l'une des suivantes:

EXP | paramètres |

PULSE | paramètres |

PWL | paramètres |

SFFM | paramètres |

NAS | paramètres |

Mise en situation :

IBIAS 13 0 2.3mA

IAC 2 3 AC 0.001

IACPHS 2 3 AC 0.001 90

VPULSE 1 0 PULSE (-1mA 1mA 2ns 2ns 2ns 50ns 100ns)

V3 26 77 DC 0.002 AC 1 SIN (0.002 0.002 1.5 MEG)

J – FET de jonction

Formats généraux:

J [zone] [NON]

J déclare un JFET. Le JFET est modélisé comme un FET intrinsèque avec une résistance ohmique (RD / {zone}) en série avec le drain, une résistance ohmique (RS / {zone}) en série avec la source, et une résistance ohmique (RG) en série avec le portail.

{zone}, facultatif, est la zone relative du périphérique. Sa valeur par défaut est 1.

Paramètre	Description
AF	exposant de bruit de scintillement
BETA	coefficient de transconductance
BETACHE	Coefficient de température exponentielle BETA
CGD	capacité pn à polarisation nulle grille-drain
CGS	capacité pn de polarisation nulle grille-source
EG	tension de bande interdite (TINA uniquement)
IS	porte pn courant de saturation
KF	coefficient de bruit de scintillement
LAMBDA	modulation de longueur de canal
M	la porte pn coefficient de classement
PB	la porte pn défaillances
RD	drain résistance ohmique
RS	résistance ohmique source
VTO	tension de seuil
VTOTC	Coefficient de température VTO

Le paramètre OFF n'est pas pris en charge dans PSPice.

Exemple:

JIN 100 1 0 JFAST

J13 22 14 23 JNOM 2.0

JA3 3 9 JX 2 ARRÊT

K - Couplage d'inducteur (noyau de transformateur)

Formats généraux:

K L >*

+

K >*

+ [valeur de taille]

K couple deux ou plusieurs inducteurs ensemble. En utilisant la convention des points, placez un point sur le premier nœud de chaque inducteur. Ensuite, le courant couplé sera de polarité opposée par rapport au courant d'entraînement.

 est le coefficient de couplage mutuel et doit être compris entre 0 et 1. [valeur de taille] redimensionne la section magnétique, sa valeur par défaut est 1.

Sinom du modèle> est présent 4 choses changent: 

1. L'inducteur de couplage mutuel devient un noyau magnétique non linéaire.

2. Les caractéristiques BH du cœur sont analysées à l'aide du modèle Jiles-Atherton.

3. Les inducteurs deviennent des enroulements, ainsi le nombre spécifiant l'inductance signifie maintenant le nombre de tours.

4. La liste des inductances couplées peut n'être qu'une inductance.

Paramètre	Description
A	paramètre de forme
Réservé	section magnétique moyenne
C	coefficient de flexion de la paroi du domaine
GAP	longueur effective de l'entrefer
K	constante d'épinglage de mur de domaine
MS	saturation de magnétisation
PACK	facteur d'emballage (empilement)
PATH	longueur moyenne du chemin magnétique

La solution 2^nd le formulaire n'est pas pris en charge dans LT et SIMetrix. 

Dans SIMetrix, seuls 2 inducteurs peuvent être coulés, si vous souhaitez en coupler plus, vous devez créer une commande de couplage distincte pour chaque combinaison.

Mise en situation :

KTUNED L3OUT L4IN .8

KTRNSFRM LPRIMARY LSCNDRY 1

KXFRM L1 L2 L3 L4 .98 KPOT_3C8

L - Inducteur

Formats généraux:

L <+ nœud> <- nœud> [nom du modèle] [CI = ] 

L définit une inductance.  <+ nœud> et <- nœud> définir la polarité de la chute de tension positive.  

 peut être positif ou négatif mais pas 0.

[nom du modèle] est facultatif. S'il est laissé de côté, l'inducteur a une inductance de  Henri.

Si [nom du modèle] est inclus, alors l'inductance totale est :

Ltot = | valeur | * L * (1 + TC1 * (T-Tnom) + TC2 * (T-Tnom)²)

De L, TC1et TC2 sont définis dans la déclaration modèle, T est la température de simulation, et  Tnom est la température nominale (27 ° C sauf dans la boîte de dialogue Analysis.Set Analysis)

[CI = ] est facultatif et, s'il est utilisé, définit la supposition initiale du courant passant par l'inductance lorsque PSPICE tente de trouver le point de biais.

Paramètre	Description
L	multiplicateur d'inductance
TC1	coefficient de température linéaire
TC2	coefficient de température quadratique

Mise en situation :

L2 1 2 0.2E-6

L4 3 42 LMOD 0.03

L31 5 12 2U IC = 2mA

M - MOSFET

Format général:

M

+ [L = ] [W = ] [AD = |valeur|] [AS = |valeur|]

+ [PD = ] [PS = ] [NRD = |valeur|] [NRS = |valeur|]

+ [NRG = ] [NRB =

M définit un transistor MOSFET. Le MOSFET est modélisé comme un MOSFET intrinsèque avec des résistances ohmiques en série avec le drain, la source, la grille et le substrat (en vrac). Il y a aussi une résistance shunt (RDS) en parallèle avec le canal drain-source.  

L et W sont la longueur et la largeur du canal.  L est diminué de 2 * LD et W est diminué de 2 * WD pour obtenir la longueur et la largeur effectives du canal. L et W peut être défini dans l'instruction de périphérique, dans le modèle ou dans .OPTION commander. La déclaration de l'appareil a préséance sur le modèle qui a préséance sur le .OPTIONS.

AD et AS sont les zones de diffusion du drain et de la source.  PD et PS sont les paramètres de diffusion drain et source. Les courants de saturation drain-bulk et source-bulk de saturation peuvent être spécifiés par JS (qui à son tour est multiplié par AD et AS) Ou IS (une valeur absolue). Les capacités d'appauvrissement à polarisation nulle peuvent être spécifiées par CJ, qui est multiplié par AD et AS, et par CJSW, qui est multiplié par PD et PS, Ou par CBD et CBS, qui sont des valeurs absolues.  Allemagne de l'est, NRS, NRGet NRB sont des résistivités réactives de leurs bornes respectives en carrés. Ces parasites peuvent être spécifiés soit par RSH (qui à son tour est multiplié par Allemagne de l'est, NRS, NRGet NRB) ou par résistances absolues RD, RG, RSet RB. Valeurs par défaut pour L, W, ADet AS peut être défini à l'aide du .OPTIONS commander. Si .OPTIONS n'est pas utilisé, leurs valeurs par défaut sont 100u, 100u, 0 et 0 respectivement

M est un multiplicateur de périphériques parallèles (par défaut = 1), qui simule l'effet de plusieurs périphériques en parallèle. La largeur effective, les capacités de chevauchement et de jonction et les courants de jonction du MOSFET sont multipliés par M. Les valeurs de résistance parasite (par exemple, RD et RS) sont divisées par M. 

NIVEAU= 1 modèle Shichman-Hodges

NIVEAU= 2 modèles analytiques basés sur la géométrie

NIVEAU= 3 modèle semi-empirique à canal court

NIVEAU= 7 modèle BSIM3 version 3 

Niveau 1

Paramètre	Description
AF	Exposant du bruit scintillant
CBD	capacité pn de polarisation nulle à drain en vrac
CBS	capacité pn à polarisation nulle de source en vrac
CGBO	capacité de chevauchement grille-substrat / longueur de canal
DGDO	capacité de chevauchement grille-drain / largeur de canal
OSCG	capacité de chevauchement grille-source / largeur de canal
CJ	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
CJSW	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
FC	coefficient de capacité de polarisation directe en vrac pn
GAMME	paramètre de seuil en masse
IS	courant de saturation pn en vrac
JS	courant / zone de saturation pn en vrac
KF	Coefficient de bruit de scintillement
KP	transconductance
L	longueur du canal
LAMBDA	modulation de longueur de canal
LD	diffusion latérale (longueur)
NIVEAU	type de modèle
MJ	coefficient de classement de fond pn en vrac
MJSW	coefficient de classement des parois latérales pn en vrac
N	coefficient d'émission pn en vrac
NSS	densité d'état de surface
NSUB	densité de dopage du substrat
PB	potentiel pn en vrac
PHI	potentiel de surface
RB	résistance ohmique du substrat
RD	drain résistance ohmique
RDS	résistance ohmique drain-source
RG	porte résistance ohmique
RS	résistance ohmique source
RSH	drain, résistance de feuille de diffusion de source
TOX	épaisseur d'oxyde
TPG	type de matériau du portail: +1 = opposé, -1 = identique, 0 = aluminium
UO	mobilité de surface
VTO	tension de seuil à polarisation nulle
W	Largeur de canal

Niveau 2

Paramètre	Description
AF	Exposant du bruit scintillant
CBD	capacité pn de polarisation nulle à drain en vrac
CBS	capacité pn à polarisation nulle de source en vrac
CGBO	capacité de chevauchement grille-substrat / longueur de canal
DGDO	capacité de chevauchement grille-drain / largeur de canal
OSCG	capacité de chevauchement grille-source / largeur de canal
CJ	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
CJSW	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
DELTA	effet de largeur sur seuil
FC	coefficient de capacité de polarisation directe en vrac pn
GAMME	paramètre de seuil en masse
IS	courant de saturation pn en vrac
JS	courant / zone de saturation pn en vrac
KF	Coefficient de bruit de scintillement
KP	transconductance
L	longueur du canal
LAMBDA	modulation de longueur de canal
LD	diffusion latérale (longueur)
NIVEAU	type de modèle
MJ	coefficient de classement de fond pn en vrac
MJSW	coefficient de classement des parois latérales pn en vrac
N	coefficient d'émission pn en vrac
NEFF	coefficient de charge de canal
NFS	densité d'état de surface rapide
NSS	densité d'état de surface
NSUB	densité de dopage du substrat
PB	potentiel pn en vrac
PHI	potentiel de surface
RB	résistance ohmique du substrat
RD	drain résistance ohmique
RDS	résistance ohmique drain-source
RG	porte résistance ohmique
RS	résistance ohmique source
RSH	drain, résistance de feuille de diffusion de source
TOX	épaisseur d'oxyde
TPG	type de matériau du portail: +1 = opposé, -1 = identique, 0 = aluminium
UCRIT	champ critique de dégradation de la mobilité
EXPUÉ	exposant de la dégradation de la mobilité
UO	mobilité de surface
Vmax	vitesse de dérive maximale
VTO	tension de seuil à polarisation nulle
W	Largeur de canal
XJ	profondeur de jonction métallurgique

Niveau 3

Paramètre	Description
AF	Exposant du bruit scintillant
ALPHA	Alpha
CBD	capacité pn de polarisation nulle à drain en vrac
CBS	capacité pn à polarisation nulle de source en vrac
CGBO	capacité de chevauchement grille-substrat / longueur de canal
DGDO	capacité de chevauchement grille-drain / largeur de canal
OSCG	capacité de chevauchement grille-source / largeur de canal
CJ	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
CJSW	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
DELTA	effet de largeur sur seuil
ETA	rétroaction statique
FC	coefficient de capacité de polarisation directe en vrac pn
GAMME	paramètre de seuil en masse
IS	courant de saturation pn en vrac
JS	courant / zone de saturation pn en vrac
KAPPA	facteur de champ de saturation
KF	Coefficient de bruit de scintillement
KP	transconductance
L	longueur du canal
LD	diffusion latérale (longueur)
NIVEAU	type de modèle
MJ	coefficient de classement de fond pn en vrac
MJSW	coefficient de classement des parois latérales pn en vrac
N	coefficient d'émission pn en vrac
NFS	densité d'état de surface rapide
NSS	densité d'état de surface
NSUB	densité de dopage du substrat
PB	potentiel pn en vrac
PHI	potentiel de surface
RB	résistance ohmique du substrat
RD	drain résistance ohmique
RDS	résistance ohmique drain-source
RG	porte résistance ohmique
RS	résistance ohmique source
RSH	drain, résistance de feuille de diffusion de source
THETA	modulation de la mobilité
TOX	épaisseur d'oxyde
TPG	type de matériau du portail: +1 = opposé, -1 = identique, 0 = aluminium
UO	mobilité de surface
Vmax	vitesse de dérive maximale
VTO	tension de seuil à polarisation nulle
W	Largeur de canal
XD	coefficient
XJ	profondeur de jonction métallurgique

Niveau 7

Paramètre	Description
MOBMOD	sélecteur de modèle de mobilité
CAPMOD	indicateur pour le modèle de capacité à canal court
NQSMOD	drapeau pour le modèle NQS
NOIMOD	drapeau pour le modèle de bruit
BINUNITÉ	sélecteur d'échelle d'unité de bac
AF	Exposant du bruit scintillant
CGBO	capacité de chevauchement grille-substrat / longueur de canal
DGDO	capacité de chevauchement grille-drain / largeur de canal
OSCG	capacité de chevauchement grille-source / largeur de canal
CJ	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
CJSW	capacité / zone inférieure pn à polarisation nulle
JS	courant / zone de saturation pn en vrac
KF	Coefficient de bruit de scintillement
L	longueur du canal
NIVEAU	type de modèle
MJ	coefficient de classement de fond pn en vrac
MJSW	coefficient de classement des parois latérales pn en vrac
PB	potentiel pn en vrac
RSH	drain, résistance de feuille de diffusion de source
W	Largeur de canal
A0	coefficient d'effet de charge en vrac pour la longueur du canal
A1	premier paramètre d'effet de non saturation
A2	deuxième facteur de non saturation
AGS	coefficient de biais de porte d'Abulk
ALPHA0	premier paramètre du courant d'ionisation par impact
B0	coefficient d'effet de charge en vrac pour la largeur du canal
B1	décalage de la largeur de l'effet de charge en vrac
BÊTA0	deuxième paramètre du courant d'impact-ionisation
CDSC	capacité de couplage drain / source à canal
CDSCB	sensibilité aux biais corporels du CDSC
CDSCD	sensibilité au drain drain de CDSC
CIT	capacité de piège d'interface
DELTA	paramètre Vds effectif
DROUTER	Coefficient de dépendance L du paramètre de correction DIBL dans Rout
DSUB	Exposant du coefficient DIBL dans la région sous-seuil
TVP0	premier coefficient d'effet de canal court sur la tension de seuil
DVT0W	premier coefficient d'effet de faible largeur sur la tension de seuil pour une longueur de petit canal
TVP1	deuxième coefficient d'effet de canal court sur la tension de seuil
TVP2	coefficient de polarisation corporelle de l'effet de canal court sur la tension de seuil
DVT1W	deuxième coefficient d'effet de faible largeur sur la tension de seuil pour une petite longueur de canal
DVT2W	coefficient de biais de corps d'effet de largeur étroite pour une petite longueur de canal
DWB	coefficient de dépendance du biais du corps du substrat de Weff
DWG	coefficient de dépendance à la porte de Weff
ETA0	Coefficient DIBL dans la région sous-seuil
ETAB	coefficient de biais corporel pour l'effet DIBL sous-seuil
JSW	courant de saturation des parois latérales par unité de longueur
K1	coefficient d'effet corporel de premier ordre
K2	coefficient d'effet corporel de second ordre
K3	coefficient de largeur étroite
K3B	coefficient d'effet corporel de K3
KÉTA	coefficient de biais corporel de l'effet de charge en vrac
PELUCHE	paramètre d'ajustement de décalage de longueur à partir de IV sans biais
NFACTEUR	facteur d'oscillation sous-seuil
NGATÉ	concentration de dopage poly gate
NLX	paramètre de dopage non uniforme latéral
PCLM	paramètre de modulation de longueur de canal
PDIBLC1	premier paramètre de correction d'effet de résistance de sortie DIBL
PDIBLC2	deuxième paramètre de correction d'effet de résistance de sortie DIBL
PDIBLCB	coefficient d'effet corporel du paramètre de correction DIBL
RPSF	coefficient d'effet corporel de RDSW
PRWG	coefficient d'effet de biais de grille de RDSW
PSCBE1	premier paramètre d'effet corporel actuel du substrat
PSCBE2	deuxième paramètre d'effet corporel actuel du substrat
PVAG	dépendance de grille de la tension précoce
RDSW	résistance parasite par unité de largeur
U0	mobilité à Temp = TNOM
UA	coefficient de dégradation de la mobilité du premier ordre
UB	coefficient de dégradation de la mobilité de second ordre
UC	effet corporel du coefficient de dégradation de la mobilité
VBM	polarisation maximale du corps appliquée dans le calcul de la tension de seuil
VOFF	tension de décalage dans la région sous-seuil à grande W et L
VSAT	vitesse de saturation à Temp = TNOM
VTH0	tension de seuil @ Vbs = 0 pour grand L
W0	paramètre de largeur étroite
HIVER	paramètre d'ajustement à décalage de largeur à partir de IV sans biais
WR	décalage de largeur de Weff pour le calcul de Rds
CF	capacité du champ de franges
CKAPPA	coefficient pour la capacité de chevauchement des régions légèrement dopées capacité du champ de franges
CLC	terme constant pour le modèle à canal court
et CLE	terme exponentiel pour le modèle à canal court
CGDL	capacité de chevauchement de la région drain-grille dopée à la lumière
CGSL	capacité de chevauchement de la région source-grille dopée à la lumière
GTSJC	capacité de jonction de paroi latérale source / drain gate par unité de largeur
DLC	paramètre d'ajustement de décalage de longueur de CV
DWC	paramètre d'ajustement de décalage de largeur de CV
MJSWG	Coefficient de gradation de la capacité de la jonction de la paroi latérale de la porte de source / drain
PBSW	potentiel intégré de jonction côté source / drain
GTSPBS	potentiel intégré de jonction de paroi latérale de source / drain drain
VFBCV	paramètre de tension à bande plate (pour CAPMOD = 0 uniquement)
XPART	indicateur de taux de partitionnement des frais
LMAX	longueur maximale du canal
LMIN	longueur minimale du canal
WMAX	largeur maximale du canal
WMIN	largeur minimale du canal
EF	exposant de scintillement
EM	champ de saturation
ENNUI	paramètre de bruit A
NOIB	paramètre de bruit B
NOIC	paramètre de bruit C
ELM	Constante Elmore du canal
GAMMA1	coefficient d'effet corporel près de la surface
GAMMA2	coefficient d'effet corporel en vrac
NCH	concentration de dopage de canal
NSUB	concentration de dopage du substrat
TOX	épaisseur d'oxyde de grille
VBX	Vbs pour laquelle la région d'appauvrissement = XT
XJ	profondeur de jonction
XT	profondeur de dopage
AT	coefficient de température pour la vitesse de saturation
KT1	coefficient de température pour la tension de seuil
KT1L	dépendance de la longueur de canal du coefficient de température pour la tension de seuil
KT2	coefficient de polarisation du corps de l'effet de la température de la tension de seuil
NJ	coefficient d'émission de jonction
PRT	coefficient de température pour RDSW
TNOM	température à laquelle les paramètres sont extraits
UA1	coefficient de température pour UA
UB1	coefficient de température pour UB
UC1	coefficient de température pour UC
UTE	exposant de la température de mobilité
XTI	coefficient exposant de la température du courant de jonction
LL	coefficient de dépendance à la longueur pour le décalage de longueur
LLN	puissance de la dépendance à la longueur pour le décalage de longueur
LW	coefficient de dépendance à la largeur pour le décalage de longueur
LWL	coefficient de longueur et de largeur terme croisé pour décalage de longueur
LWN	puissance de la dépendance à la largeur pour le décalage de longueur
WL	coefficient de dépendance à la longueur pour le décalage de largeur
WLN	puissance de la dépendance de la longueur du décalage de la largeur
WW	coefficient de dépendance à la largeur pour le décalage de largeur
WWL	coefficient de longueur et de largeur terme croisé pour décalage de largeur
WWN	puissance de la dépendance de la largeur du décalage de la largeur

Le paramètre OFF n'est pas pris en charge dans PSPice.

BSIM3 est un modèle de niveau 8 en LT et

Mise en situation :

M1 14 2 13 0 PNOM L = 25u W = 12u

M13 15 3 0 0 NFORT

M16 17 3 0 0 NX M = 2 OFF

M28 0 2 NWEAK L = 100u W = 100u

+ AD = 288p AS = 288p PD = 60u PS = 60u NRD = 14 NRS = 24 NRG = 10 NRB = 0.5

N – Entrée numérique

N

+

+ DGTLNET =

+

+ [IS = état initial]

Paramètre	Description
OMS	capacité au nœud de haut niveau
CLO	capacité au nœud de bas niveau
S0NOM..S19NOM	abréviation de l'état 0..19 caractère
S0TSW..S19TSW	état 0..19 temps de commutation
S0RLO..S19RLO	état 0..19 résistance au nœud de bas niveau
S0RHI..S19RHI	état 0..19 résistance au nœud de haut niveau

Le périphérique N n'existe pas dans LT et SImetrix

Mise en situation :

N1 ANALOGIQUE DIGITAL_GND DIGITAL_PWR DIN74

+ DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD

NRESET 7 15 16 FROM_TTL

O – Sortie numérique

O

+ DGTLNET =

Paramètre	Description
CHGONIQUEMENT	0: écrire chaque pas de temps, 1: écrire lors du changement
CHARGER	condensateur de sortie
TÉLÉCHARGER	résistance de sortie
S0NOM..S19NOM	abréviation de l'état 0..19 caractère
S0VLO..S19VLO	état 0..19 tension de bas niveau
S0VHI..S19VHI	état 0..19 tension de haut niveau
NOM SX	état appliqué lorsque la tension du nœud d'interface tombe en dehors de toutes les plages

Le dispositif O définit une ligne de transmission avec perte en LTSpice et Simetrix.

Mise en situation :

O12 ANALOG_NODE DIGITAL_GND DO74 DGTLNET = DIGITAL_NODE IO_STD

OVCO 17 0 TO_TTL

Q – Transistor bipolaire

Formats généraux:

Q

+ [substrat] [valeur de zone] [OFF]

Q déclare un transistor bipolaire en PSPICE. Le transistor est modélisé comme un transistor intrinsèque avec des résistances ohmiques en série avec la base, le collecteur (RC / {valeur de zone}), et avec l'émetteur (RE / {valeur de zone}).  {substrat} le nœud est facultatif, la valeur par défaut est la masse. {valeur de zone} est facultatif (utilisé pour mettre à l'échelle les appareils), la valeur par défaut est 1. Les paramètres ISE et ISC peut être supérieur à 1. Si tel est le cas, ils deviennent des multiplicateurs de IS (c'est à dire ISE * IS).

Le paramètre OFF n'est pas pris en charge dans PSPice.

Niveau 1: modèle Gummel-Poon

Paramètre	Description
AF	Exposant du bruit scintillant
BF	bêta avant maximale idéale
BR	bêta inverse maximale idéale
CJC	capacité pn à polarisation nulle du collecteur de base
CJE	capacité pn base-émetteur à polarisation nulle
CJS	capacité pn collecteur-substrat à polarisation nulle
EG	tension de bande interdite (hauteur de barrière)
FC	coefficient de condensateur d'appauvrissement de polarisation directe
IKF	coin pour bêta avant courant élevé roll off
IKR	coin pour bêta inverse courant élevé roll off
IS	courant de saturation pn
ISC	coefficient de saturation de fuite base-collecteur
ISE	courant de saturation de fuite base-émetteur
ISS	substrat pn courant de saturation
KF	Coefficient de bruit de scintillement
MJC	coefficient de classement pn collecteur de base
MJE	coefficient de classement pn émetteur de base
MJS	coefficient de classement pn collecteur-substrat
NC	coefficient d'émission de fuite base-collecteur
NE	coefficient d'émission de fuite base-émetteur
NF	coefficient d'émission de courant direct
NR	coefficient d'émission de courant inverse
NS	coefficient d'émission pn du substrat
PTF	phase en excès à 1 / (2 * PI * TF) Hz.
RB	résistance de base à polarisation nulle (maximale)
RBM	résistance de base minimale
RC	résistance ohmique du collecteur
RE	émetteur résistance ohmique
TF	temps de transit avant idéal
TR	temps de transit inverse idéal
VAF	tension précoce
VAR	inverser la tension précoce
VJC	base-collecteur construit en potentiel
VJE	base-émetteur construit en potentiel
VJS	collecteur-substrat construit en potentiel
VTF	dépendance du temps de transit sur VBC
XCJC	fraction de CJC connectée en interne à RB
XTB	coefficient de température de polarisation avant et arrière
XTF	coefficient de dépendance du biais de temps de transit
XTI	Exposant de l'effet de température IS

Mise en situation :

T1 14 2 13 PNPNOM

Q13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.5

Q7 CV 5 12 [SOUS] LATPNP

QN5 1 2 3 QX DÉSACTIVÉ

R – Résistance

Formats généraux:

R <+ nœud> <- nœud> [nom du modèle] 

+ [TC = [, ]]

La <+ nœud> et <- nœud> définir la polarité de la résistance en termes de chute de tension à travers elle.  

{nom du modèle} est facultatif et s'il n'est pas inclus, alors |valeur| est la résistance en ohms. Si [nom du modèle] est spécifié et TCE n'est pas spécifié alors la résistance est donnée par:

Rtot = | valeur | * R * [1 + TC1 * (T-Tnom)) + TC2 * (T-Tnom)²]

De R, TC1et TC2 sont décrits ci-dessous.  Rtot est la résistance totale.  V est la tension aux bornes de la résistance.  T est la température de simulation. Et Tnom est la température nominale (27 ° C sauf dans la boîte de dialogue Analysis.Set Analysis)

If TCE est spécifié alors la résistance est donnée par:

Rtot = | valeur | * R * 1.01^{(TCE * (T-Tnom))}

 peut être positif ou négatif.

Paramètre	Description
R	multiplicateur de résistance
TC1	coefficient de température linéaire
TC2	coefficient de température quadratique
TCE	coefficient de température exponentiel

Mise en situation :

CHARGER 15 0 2K

R2 1 2 2.4E4 TC = 0.015, -0.003

RA34 3 33 RMOD 10K

S – Commutateur à tension contrôlée

Formats généraux:

S <+ commutateur de nœud> <- commutateur de nœud> 

+ <+ nœud de contrôle> <- nœud de contrôle> | 

S désigne un interrupteur commandé en tension. La résistance entre <+ changer de nœud> et <- changer de nœud> dépend de la différence de tension entre <+ nœud de contrôle> et <- nœud de contrôle>. La résistance varie continuellement entre RON et ROFF.

RON et ROFF doit être supérieur à zéro et inférieur à GMIN (défini dans le .OPTIONS commander). Une résistance de valeur 1 / GMIN est connecté entre les nœuds de contrôle pour les empêcher de flotter. Pour interrupteur à hystérésis VT, VH doit être utilisé autrement VON, VOFF

Paramètre	Description
RON	sur la résistance
ROFF	hors résistance
D'	tension de commande pour l'état activé
VOFF	tension de commande pour l'état bloqué
VT	tension de commande de seuil
VH	tension de commande d'hystérésis

Mise en situation :

S12 13 17 2 0

SESET 5 0 15 3 RELAIS

T – Ligne de transmission

Formats généraux:

T <+ port A> <- port A> <+ port B> <- port B>

+ Z0 = [DT = ] [F = [NL = ]]

+ IC=

T <+ port A> <- port A> <+ port B> <- port B>

+ LON= R= L=

+ G= C=

T définit une ligne de transmission à 2 ports. L'appareil est une ligne à retard bidirectionnelle idéale. Les deux ports sont A et B avec leurs polarités données par le + or - signe. Le 1er format décrit une ligne de transmission sans perte, le 2ème décrit une ligne de transmission avec perte.

Si vous définissez une ligne avec perte, au moins deux des paramètres R, L, G, C doivent être spécifiés et doivent être différents de zéro. Les combinaisons prises en charge sont : LC, RLC, RC, RG. RL non pris en charge et non yeo G expext (RG) non pris en charge non plus.

La ligne de transmission avec perte peut être définie avec un appareil O en utilisant les mêmes paramètres dans LTSpice et SImetrix

Mise en situation :

T1 1 2 3 4 Z0 = 220 TD = 115ns

T2 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 2.25 MEG

T3 1 2 3 4 Z0 = 220 F = 4.5 MEG NL = 0.5

T4 1 2 3 4 LEN = 1 R = .311 L = 0.378u G = 6.27u C = 67.3p

W - Commutateur à courant contrôlé

Formats généraux:

W <+ commutateur de nœud> <- commutateur de nœud> 

+ 

W désigne un interrupteur commandé en courant. La résistance entre <+ changer de nœud> et <- changer de nœud> dépend du courant traversant la source de contrôle . La résistance varie continuellement entre RON et ROFF.

RON et ROFF doit être supérieur à zéro et inférieur à GMIN (défini dans le .OPTIONS commander). Une résistance de valeur 1/GMIN est connectée entre les nœuds de contrôle pour les empêcher de flotter. Pour commutateur d'hystérésis VT, VH doit être utilisé autrement VON, VOFF

Paramètre	Description
RON	sur la résistance
ROFF	hors résistance
ION	tension de commande pour l'état activé
IOFF	tension de commande pour l'état bloqué
IT	tension de commande de seuil
IH	tension de commande d'hystérésis

Le commutateur à courant contrôlé n'est pas disponible dans SIMetrix

Mise en situation :

W12 13 17 VC WMOD

RELAIS WRESET 5 0 VRESET

X - Appel de sous-circuit

Formats généraux:

X [nœud]* [PARAMETRES : < = >*]

X appelle le sous-circuit .   doit quelque part être défini par le .SUBKT et .PREND FIN commander. Le nombre de nœuds (donné par [nœud]*) doit être cohérent. Le sous-circuit référencé est inséré dans le circuit donné avec les nœuds donnés remplaçant les nœuds d'argument dans la définition. Les appels de sous-circuits peuvent être imbriqués mais ne peuvent pas devenir circulaires.

Mise en situation :

X12 100 DIFFAMP

XBUFF 13 15 UNITAMP

XFOLLOW IN OUT VCC VEE OUT OPAMP

PARAMÈTRES DU FILTRE XFELT 1 2: CENTRE = 200 kHz

U - Primitives numériques

U [( *)]

+

+ *

+

+ [MNTYMXDLY= ]

+ [IO_LEVEL= ]

Les primitives prises en charge sont: BUF, INV, XOR, NXOR et AND, NAND, OR, NOR, BUFA, INVA, XORA, NXORA, ANDA, NANDA, ORA, NORA, BUF3, BUF3A, JKFF, DFF, SRFF, DLTCH

Les tableaux de portes ne sont pas pris en charge en mode mixte.

U STIM( , )

+

+ *

+

+ [IO_LEVEL= ]

+ [CALENDRIER= ]

Paramètres du modèle de synchronisation de la porte

Paramètre	Description
TPLHMN	retard: faible à élevé, min
TPLHTY	délai: faible à élevé, typique
TPLHMX	délai: faible à élevé, max
TPHLMN	délai: haut à bas, min
TPHLTY	délai: élevé à faible, typique
TPHLMX	retard: haut à bas, max

Paramètres du modèle de synchronisation de verrouillage

Paramètre	Description
THDGMN	Maintien: s / r / d après le bord de la porte, min
THDGTY	Maintien: s / r / d après le bord de la porte, typique
THDGMX	Maintien: s / r / d après le bord de la porte, max
TPDQLHMN	Délai: s / r / d à q / qb bas à hi, min
TPDQLHTY	Délai: s / r / d à q / qb faible à élevé, typique
TPDQLHMX	Délai: s / r / d à q / qb bas à hi, max
TPDQHLMN	Délai: s / r / d à q / qb hi à low, min
TPDQHLTY	Délai: s / r / d à q / qb hi à low, typique
TPDQHLMX	Délai: s / r / d à q / qb hi à low, max
TPGQLHMN	Délai: passage à q / qb bas à hi, min
TPGQLHTY	Delay: gate to q / qb low to hi, typique
TPGQLHMX	Délai: passage à q / qb bas à hi, max
TPGQHLMN	Délai: passage à q / qb hi à low, min
TPGQHLTY	Délai: passage à q / qb hi à low, typique
TPGQHLMX	Délai: passage à q / qb hi à low, max
TPPCQLHMN	Délai: préb / clrb à q / qb bas à hi, min
TPPCQLHTY	Delay: preb / ​​clrb à q / qb low à hi, typique
TPPCQLHMX	Delay: preb / ​​clrb à q / qb bas à hi, max
TPPCQHLMN	Delay: preb / ​​clrb à q / qb hi à low, min
TPPCQHLTY	Delay: preb / ​​clrb à q / qb hi à low, typique
TPPCQHLMX	Delay: preb / ​​clrb à q / qb hi à low, max
TSUDGMN	Configuration: s / r / d au bord de la porte, min
TSUDGTY	Configuration: s / r / d au bord de la porte, typique
TSUDGMX	Configuration: s / r / d au bord de la porte, max
TSUPCGHMN	Configuration: preb / ​​clrb hi to gate edge, min
TSUPCGHTY	Configuration: preb / ​​clrb hi to gate edge, typique
TSUPCGHMX	Configuration: preb / ​​clrb hi to gate edge, max
TWPCLMN	Largeur mini préb / clrb faible, min
TWPCLTY	Largeur minimale de préb / clrb faible, typique
TWPCLMX	Largeur mini préb / clrb basse, max
TWGHMN	Largeur mini du portail hi, min
TWGHTY	Largeur mini du portail hi, typique
TWGHMX	Largeur mini du portail hi, max

Paramètres du modèle de synchronisation FF déclenché par front

Paramètre	Description
THDCLKMN	Maintien: j / k / d après le bord clk / clkb, min
THDCLKTY	Maintien: j / k / d après le bord clk / clkb, typique
THDCLKMX	Maintien: j / k / d après le bord clk / clkb, max
TPCLKQLHMN	Délai: bord clk / clkb à q / qb bas à hi, min
TPCLKQLHTY	Delay: clk / clkb edge à q / qb low to hi, typique
TPCLKQLHMX	Delay: clk / clkb edge à q / qb low à hi, max
TPCLKQHLMN	Délai: bord clk / clkb à q / qb hi à low, min
TPCLKQHLTY	Delay: clk / clkb edge à q / qb hi à low, typique
TPCLKQHLMX	Delay: clk / clkb edge à q / qb hi à low, max
TPPCQLHMN	Délai: préb / clrb à q / qb bas à hi, min
TPPCQLHTY	Delay: preb / ​​clrb à q / qb low à hi, typique
TPPCQLHMX	Delay: preb / ​​clrb à q / qb bas à hi, max
TPPCQHLMN	Delay: preb / ​​clrb à q / qb hi low, min
TPPCQHLTY	Delay: preb / ​​clrb à q / qb hi low, min
TPPCQHLMX	Delay: preb / ​​clrb à q / qb hi low, min
TSUDCLKMN	Configuration: j / k / d à bord clk / clkb, min
TSUDCLKTY	Configuration: j / k / d à bord clk / clkb, typique
TSUDCLKMX	Configuration: j / k / d à bord clk / clkb, max
TSUCCLKHMN	Configuration: preb / ​​clrb hi à clk / clkb edge, min
TSUCCLKHTY	Configuration: preb / ​​clrb hi à clk / clkb edge, typique
TSUCCLKHMX	Configuration: preb / ​​clrb hi à clk / clkb edge, max
TWPCLMN	Largeur mini préb / clrb faible, min
TWPCLTY	Largeur minimale de préb / clrb faible, typique
TWPCLMX	Largeur mini préb / clrb basse, max
TWCLKLMN	Min clk / clkb largeur faible, min
TWCLKLMN	Largeur minimale clk / clkb faible, typique
TWCLKLMN	Min clk / clkb largeur basse, max
TWCLKHMN	Largeur min clk / clkb hi, min
TWCLKHTY	Largeur min clk / clkb hi, typique
TWCLKHMX	Largeur min clk / clkb hi, max
TSUCECLKMN	Configuration: activation de l'horloge sur clk edge, min
TSUCECLKTY	Configuration: horloge activée pour clk edge, typique
TSUCECCLKMX	Configuration: activation de l'horloge sur clk edge, max
THCECLKMN	Maintien: activation de l'horloge après le bord clk, min
THCECLKTY	Maintien: activation de l'horloge après le bord clk, typique
THCECLKMX	Maintien: activation de l'horloge après le bord clk, maxN

Paramètres du modèle d'entrée / sortie

Paramètre	Description
DRVH	Résistance de haut niveau de sortie
DRVL	Sortie de faible niveau de résistance
DRVZ	Résistance aux fuites à l'état Z en sortie
INLD	Capacité de charge d'entrée
INR	Résistance de charge d'entrée
OUTLD	Capacité de charge de sortie
TPWRT	Seuil de rejet de largeur d'impulsion
STOREMN	Temps de stockage minimum pour que le filet soit simulé comme une charge
TSWHL1	Temps de commutation haut en bas pour DtoA1
TSWHL2	Temps de commutation haut en bas pour DtoA2
TSWHL3	Temps de commutation haut en bas pour DtoA3
TSWHL4	Temps de commutation haut en bas pour DtoA4
TSWLH1	Temps de commutation faible à élevé pour DtoA1
TSWLH2	Temps de commutation faible à élevé pour DtoA2
TSWLH3	Temps de commutation faible à élevé pour DtoA3
TSWLH4	Temps de commutation faible à élevé pour DtoA4
ATOD1	Nom du sous-circuit de l'interface AtoD de niveau 1
ATOD2	Nom du sous-circuit de l'interface AtoD de niveau 2
ATOD3	Nom du sous-circuit de l'interface AtoD de niveau 3
ATOD4	Nom du sous-circuit de l'interface AtoD de niveau 4
DTOA1	Nom du sous-circuit d'interface DtoA de niveau 1
DTOA1	Nom du sous-circuit d'interface DtoA de niveau 2
DTOA1	Nom du sous-circuit d'interface DtoA de niveau 3
DTOA1	Nom du sous-circuit d'interface DtoA de niveau 4
PUISSANCE D'IMPRESSION	Nom du sous-circuit d'alimentation

Le périphérique U n'est pas disponible dans LT et SIMetrix. Bien qu'il existe un support de simulation numérique dans les deux simulateurs. SIMetrix utilise une version avancée du XSPICE moteur numérique, tandis que LT a son propre support numérique. Les deux simulateurs utilisent un dispositif A pour représenter une primitive numérique.

Mise en situation :

U1 NAND (2) $ G_DPWR $ G_DGND 1 2 10 D0_GATE IO_DFT

U2 JKFF (1) $ G_DPWR $ G_DGND 3 5 200 3 3 10 D_2ASTD IO_STD

U3 INV $ G_DPWR $ G_DGND IN OUT D_INV IO_INV MNTYMXDLY = 3 IO_LEVEL = 2

Y - Tina Primitives

Oui *

Les noms de modèles pris en charge sont: VCO, SINE_VCO, TRI_VCO, SQUARE_VCO, AMPLI, AMPLI_GR, COMP, COMP_GR, COMP_GR_2INP, COMP_GR_3INP, COMP_GR_4INP, COMP_GR_NINP, CNTN_UDSR

Paramètres du modèle VCO, SINE_VCO, TRI_VCO, SQUARE_VCO

Paramètre	Description
CENTFREQ
CONVAGAIN
PHI0
OUTAMPLI
SORTIES
INLLIM
INULIM
LIMRNG
DUTYCYC
TEMPS DE MONTÉE
AUTOMNE
MODE

Paramètres du modèle AMPLI

Paramètre	Description
GAIN
Rhin
DÉROUTE
SOURCE ROUTIÈRE
évier
IOUTMAX
IOUTMAXSOURCE
IOUTMAXSINK
IS0
VITESSE DE BALAYAGE
RAFRAÎCHISSEMENT
RALENTISSEMENT
FPÔLE1
FPÔLE2
VDROPOH
VDROPOL
VOFFSNOM
TCOVOFF
IBIASNOM
IOFFSNOM
CURROUB
VOUTOFFS

Paramètres du modèle AMPLI_GR

Paramètre	Description
GAIN
Rhin
DÉROUTE
SOURCE ROUTIÈRE
évier
IOUTMAX
IOUTMAXSOURCE
IOUTMAXSINK
VITESSE DE BALAYAGE
RAFRAÎCHISSEMENT
RALENTISSEMENT
FPÔLE1
FPÔLE2
VOYANT
VOUTL
VOFFSNOM
TCOVOFF
IBIASNOM
IOFFSNOM
CURROUB
VOUTOFFS

Paramètres du modèle COMP

Paramètre	Description
GAIN
Rhin
DÉROUTE
SOURCE ROUTIÈRE
évier
IOUTMAX
IOUTMAXSOURCE
IOUTMAXSINK
IS0
VITESSE DE BALAYAGE
RAFRAÎCHISSEMENT
RALENTISSEMENT
RETARD
DÉLAIHL
DELAILH
VTHRES
VHYST
VDROPOH
VDROPOL
VOFFSNOM
TCOVOFF
IBIASNOM
IOFFSNOM
CURROUB
VOUTOFFS

Paramètres du modèle COMP_GR

Paramètre	Description
GAIN
Rhin
DÉROUTE
SOURCE ROUTIÈRE
évier
IOUTMAX
IOUTMAXSOURCE
IOUTMAXSINK
VITESSE DE BALAYAGE
RAFRAÎCHISSEMENT
RALENTISSEMENT
RETARD
DÉLAIHL
DELAILH
VTHRES
VHYST
VOYANT
VOUTL
VOFFSNOM
TCOVOFF
IBIASNOM
IOFFSNOM
CURROUB
VOUTOFFS

Paramètres de modèle COMP_GR_2INP, COMP_GR_3INP, COMP_GR_4INP, COMP_GR_NINP

Paramètre	Description
GAIN
Rhin
DÉROUTE
SOURCE ROUTIÈRE
évier
IOUTMAX
IOUTMAXSOURCE
IOUTMAXSINK
VITESSE DE BALAYAGE
RAFRAÎCHISSEMENT
RALENTISSEMENT
RETARD
DÉLAIHL
DELAILH
VOYANT
VOUTL
VOFFSNOM
TCOVOFF
IBIASNOM
IOFFSNOM
CURROUB
VOUTOFFS
TRANSFERT DC
FONCTIONLOGIQUE
VTHRES1..VTHRES4
VHYST1..VHYST4

Paramètres du modèle CNTN_UDSR

Paramètre	Description
INTYP
SORTIE
DEL
IOMODÈLE
DELL2H
DELH2L
LATCH
COMPTEMAX
CNT_MODE
OUT_MODE

Mise en situation :

Y1 IN1p IN1m IN2p IN2m Out Gnd Comp

SOURCES – Descriptions des sources transitoires

Il existe plusieurs types de sources disponibles pour les déclarations transitoires.  

EXP - Source exponentielle

Format général:

EXP (| v1 | | v2 | | td1 | | td2 | | tc1 | | tc2 |)

La EXP forme fait que la tension est | v1 | pour le premier | td1 | secondes. Ensuite, il croît de façon exponentielle à partir de | v1 | à | v2 | avec constante de temps | tc1 |. La croissance dure | td2 | - | td1 | secondes. Puis la tension décroît de | v2 | à | v1 | avec constante de temps | tc2 |.

Paramètre	Description
v1	tension initiale
v2	tension de crête
td1	temps de retard de montée
tc1	constante de temps de montée
td2	temps de retard de chute
tc2	constante de temps de chute

PULSE - Source d'impulsions

Format général:

PULSE (| v1 | | v2 | | td | | tr | | tf | | pw | | per |)

Pulse génère une tension pour démarrer à | v1 | et tiens-toi là pour | td | secondes. Ensuite, la tension passe linéairement de | v1 | à | v2 | pour le prochain | tr | secondes. La tension est alors maintenue à | v2 | en | pw | secondes. Ensuite, il change linéairement de | v2 | à | v1 | in | tf | secondes. Il reste à | v1 | pour le reste de la période donnée par | par |.

Paramètre	Description
v1	tension initiale
v2	tension pulsée
td	temporisation
tr	temps de montée
tf	temps de chute
pw	largeur d'impulsion
/	période

PWL - Source linéaire par morceaux

Format général:

PWL 

+ [TIME_SCALE_FACTOR=Plus-value>]

+ [VALUE_SCALE_FACTOR=Plus-value>]

+ (coins_points)*

où corner_points sont:

        ( , ) pour spécifier un point

RÉPÉTER POUR (coin_points)*

ENDREPEAT pour répétern> fois

REPEAT FOREVER (corner_points) *

ENDREPEAT pour répéter pour toujours

PWL décrit un format linéaire par morceaux. Chaque couple temps/tension (c'est-à-dire | tn |, | vn |) spécifie un coin de la forme d'onde. La tension entre les coins est l'interpolation linéaire des tensions aux coins.

Paramètre	Description
tn	temps de coin
vn	tension d'angle

Ce format de PWL est appelé PWLS dans SIMetrix.

SFFM - Source FM à fréquence unique

Format général:

SFFM (| voff | | vampl | | fc | | mod | | fm |)

SFFM fait suivre le signal de tension:       

v = voff + vamp * sin(2π * fc * t + mod * sin(2π * fm * t))

De Ouah, vampire, fc, modet fm sont définis ci-dessous.  t c'est le temps.

Paramètre	Description
Ouah	tension de décalage
vampire	tension d'amplitude de crête
fc	fréquence porteuse
mod	indice de modulation
fm	fréquence de modulation

NAS - Source sinusoïdale

Format général:

SIN (| voff | | vampl | | freq | | td | | df | | phase |)

PÉCHÉ crée une source sinusoïdale. Le signal tient à | vo | en | td | secondes. Ensuite, la tension devient une onde sinusoïdale exponentiellement amortie décrite par :

  v = voff + vampl * sin (2π * (freq * (t - td) - phase / 360)) * e^{- ((t - td)} *df)

Paramètre	Description
Ouah	tension de décalage
vampire	tension d'amplitude de crête
fréq	fréquence porteuse
td	retarder
df	facteur d'amortissement
phase	phase

Mise en situation :

IRAMP 10 5 EXP (1 5 1 0.2 2 0.5)

VSW 10 5 PULSE (1 5 1 0.1 0.4 0.5 2)

v1 1 2 PWL (0,1) (1.2,5) (1.4,2) (2,4) (3,1)

v2 3 4 PWL RÉPÉTITION POUR 5 (1,0) (2,1) (3,0) ENDREPEAT

v4 7 8 PWL TIME_SCALE_FACTOR = 0.1

+ RÉPÉTER POUR TOUJOURS (1,0) (2,1) (3,0) ENDRÉPÉTER

V34 10 5 SFFM (2 1 8 4 1)

ISIG 10 5 SIN (2 2 5 1 1 30)

FONCTIONS - Fonctions d'expression

Les fonctions prises en charge sont: ABS, ACOS, ACOSH, ARCTAN, ASIN, ASINH, ATAN, ATAN2, ATANH, CEIL, COS, COSH, DDT, EXP, FLOOR, IF, IMG, LIMIT, LOG, LOG10, M, MAX, MIN, P, PWR, PWRS, R, SDT, SGN, SIN, SINH, SQRT, STP, TABLE, TAN, TANH.

CEIL, TABLE n'est pas disponible dans SIMetrix

STP n'est pas disponible en LT

IMG, M, P, R n'est pas disponible dans SIMetrix et LT

Exemple:

FONCTION	SENS	COMMENTAIRE
ABS (x)	| x |
ACOS (x)	arccosine de x	-1.0 <= x <= +1.0
ACOSH (x)	cosinus hyperbolique inverse de x	résultat en radians, x est une expression
ARCTAN (x)	tan-1 (x)	résultat en radians
ASIN (x)	arcsinus de x	-1.0 <= x <= +1.0
ASINH (x)	Sinus hyperbolique inverse de x	résultat en radians, x est une expression
ATAN (x)	tan-1 (x)	résultat en radians
ATAN2 (y, x)	arctan de (y / x)	résultat en radians
ATANH (x)	Bronzage hyperbolique inverse de x	résultat en radians, x est une expression
COS (x)	cos (x)	x en radians
COSH (x)	cosinus hyperbolique de x	x en radians
DDT (x)	dérivée temporelle de x	analyse transitoire uniquement
SI (t, x, y)	x si t = TRUE y si t = FALSE	est une expression booléenne qui prend la valeur TRUE ou FALSE et peut inclure des opérateurs logiques et relationnels X et Y sont des valeurs numériques ou des expressions.
IMG (x)	partie imaginaire de x	renvoie 0.0 pour les nombres réels
LIMITE (x, min, max)		le résultat est min si x < min, max si x > max et x sinon
JOURNAL (x)	ln (x)
LOG10 (x)	log (x)
M (x)	magnitude de x	cela produit le même résultat que l'ABS (x)
MAX (x, y)	maximum de x et y
MIN (x, y)	minimum de x et y
P (x)	phase de x
PWR (x, y)	| x | y
PWRS (x, y)	+|x|y (si x>0), -|x|y (si x<0)
R (x)	partie réelle de x
SDT (x)	intégrale de temps de x	analyse transitoire uniquement
SGN (x)	fonction signum
NAS (x)	péché (x)	x en radians
SINH (x)	sinus hyperbolique de x	x en radians
STP (x)	1 si x>=0.0 0 si x<0.0	La fonction de pas d'unité peut être utilisée pour supprimer une valeur jusqu'à ce qu'un laps de temps donné se soit écoulé.
SQRT (x)	x1 / 2
TAN (x)	tan (x)	x en radians
TANH (x)	tangente hyperbolique de x	x en radians
TABLE (x, x1, y1, x2, y2,… xn, yn)		Le résultat est la valeur y correspondant à x, lorsque tous les points xn, yn sont tracés et reliés par des lignes droites. Si x est supérieur au max xn, alors la valeur est le yn associé au plus grand xn. Si x est inférieur au plus petit xn, alors la valeur est le yn associé au plus petit xn.
ceil (arg)		Renvoie une valeur entière. L'argument de cette fonction doit être une valeur numérique ou une expression qui s'évalue en une valeur numérique. Si arg est un entier, la valeur de retour est égale à la valeur de l'argument. Si arg est une valeur non entière, la valeur renvoyée est l'entier le plus proche supérieur à la valeur de l'argument.
étage (arg)		Renvoie une valeur entière. L'argument de cette fonction doit être une valeur numérique ou une expression qui s'évalue en une valeur numérique. Si arg est un entier, la valeur de retour est égale à la valeur de l'argument. Si arg est une valeur non entière, la valeur de retour est l'entier le plus proche plus petit que la valeur d'argument.