1. Vantagens e desvantagens dos FETs
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As vantagens dos FETs em relação aos BJTs são resumidas da seguinte forma:
- FETs são dispositivos sensíveis à tensão com alta impedância de entrada (na ordem de 107 para 1012 Ω). Como essa impedância de entrada é consideravelmente maior que a dos BJTs, os FETs são preferidos aos BJTs para uso como estágio de entrada de um amplificador de múltiplos estágios.
- Uma classe de FETs (JFETs) gera um ruído menor do que os BJTs.
- Os FETs são mais estáveis à temperatura do que os BJTs.
- Os FETs são geralmente mais fáceis de fabricar que os BJTs. Um número maior de dispositivos pode ser fabricado em um único chip (isto é, densidade de empacotamento é possível).
- Os FETs reagem como resistores variáveis controlados por tensão para valores pequenos de tensão de dreno para fonte.
- A alta impedância de entrada dos FETs permite que eles armazenem carga por tempo suficiente para permitir que eles sejam usados como elementos de armazenamento.
- Os FETs de energia podem dissipar alta potência e podem alternar grandes correntes.
- Os FETs não são tão sensíveis à radiação quanto os BJTs (uma consideração importante para aplicações espaciais eletrônicas).
Existem várias desvantagens que limitam o uso de FETs em alguns aplicativos. Estes são:
- Normalmente, os amplificadores FET exibem fraca resposta de freqüência devido à alta capacitância de entrada.
- Alguns tipos de FET exibem baixa linearidade.
- FETs podem ser danificados no manuseio devido à eletricidade estática.